三星電子 (SamsungElectronics)2011年將致力于提升DRAM存儲器半導體制程技術水平,再拉大與其它競爭業者間差距。三星半導體事業部專務趙南成表示,2010年采用30nm級制程制造DRAM,2011年上半計劃采行20nm級制程推出產品。三星計劃每年提升DRAM制程技術,維護業界領先地位。
20nm后半制程并非采用極紫外線(EUV)這種次世代曝光方式,而是采用既有的浸潤方式制作。納米制程是將半導體電路線幅微縮至人類頭發4000分之1粗細的制造工程。半導體制程越是微細,可以大幅縮減半導體體積,在單一晶圓(wafer)上生產的半導體數量可增加,或降低產品生產的費用。
三星計劃于2011年下半推出的20nm級制程DRAM產品,其量產性估計較30nm級產品提高約60%。三星2009年率先量產40nm級DRAM產品,接著2010年7月也領先業界首度投入30nm制程量產作業。海力士(Hynix)目前則是以40nm制程量產DRAM,并計劃2011年初將投入30nm制程產品量產。
日本爾必達(Elpida)和美國美光(Micron)等排名第3、4名的半導體廠目前主要以50nm級制程量產DRAM產品,并正準備轉換為40nm制程。以DRAM制程技術為基礎,三星2010年第3季在DRAM市場上首度將市占率拉升至40%以上。
三星若能依照預定的目標,于2011年下半推出20nm級制程DRAM產品,無論是在韓國境內或海外,與其它競爭公司的技術能力將有明顯差距,在DRAM市場上也將出現三星獨大的情況。
來源:DigiTimes