ROHM開始量產采用溝槽結構的SiC-MOSFET

ROHM開始量產采用溝槽結構的SiC-MOSFET

日前，ROHM宣布成為世界首家開發出采用溝槽結構的SiCMOSFET，并已建立起了完備的量產體制。

與已經在量產中的平面型SiCMOSFET相比，同一芯片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業設備用電源、工業用逆變器等所有相關設備的功率損耗。

到目前為止，溝槽結構困在SiC-MOSFET中采用可有效降低導通電阻而備受關注，但為了確保元器件的長期可靠性，需要設計能夠緩和Gate Trench部分產生的電場的結構。

此次，ROHM通過采用獨創的結構，成功地解決了該課題，并世界首家實現了采用溝槽結構的 SiCMOSFET的量產。與已經在量產中的平面型SiC-MOSFET相比，導通電阻可降低約50%，同時還提高了開關性能（輸入電容降低約35%）。

近年來，在全球范圍尋求解決供電問題的大背景下，涉及到如何有效地輸送并利用所發電力的“功率轉換”備受關注。SiC功率器件作為可顯著減少這種功率轉換時的損耗的關鍵器件而備受矚目。ROHM一直在進行領先行業的相關產品研發，于2010年成功實現SiC MOSFET的量產，并在持續推進可進一步降低功率損耗的元器件開發。

此次，采用可最大限度發揮 SiC特性的溝槽結構的SiC-MOSFET在全球率先實現量產，其成功意義非常巨大，是劃時代的里程碑。該SiC-MOSFET是兼備極其優異的低損耗特性與高速開關特性的最高性能的功率晶體管，功率轉換時的效率更高，可″毫無浪費″地用電，其量產將為太陽能發電用功率調節器和工業設備用電源等所有設備進一步實現節能化、小型化、輕量化做出貢獻。

另外，此次開發的SiC-MOSFET計劃將推出功率模塊及分立封裝產品，目前已建立起了完備的功率模塊產品的量產體制。前期工序的生產基地為ROHM Apollo Co.，Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產基地為ROHM總部工廠(日本京都市)。

(AET Tiger)