良率
- 提高半導體良率的質量管理策略分析
32）1 半導體良率管理面臨的挑戰隨著電子信息技術快速發展，半導體行業經歷持續高速增長。截至2022年，全球半導體市場規模已達到5 740億美元。為滿足消費電子、通信、汽車電子等下游需求，半導體制造商不斷提高集成度，推出更復雜的芯片產品。與此同時，更先進的制程也對半導體企業的良率管理能力提出更高的要求。目前主流芯片制程已經達到10 nm 甚至更小的工藝節點。極限尺寸使芯片制造難度大幅提高，不同工序間容錯率降低。任何微小變異都可能導致產量損失和質量問題。晶圓
今日自動化 2023年7期2023-11-23
- 基于CNN-LSTM的晶圓良率預測*
試電路參數與晶圓良率之間的關聯,進而對晶圓良率進行預測,可揭示半導體工藝制程中影響晶圓良率的關鍵環節,為工藝制程調整及晶圓質量控制提供重要參考。因此,晶圓良率預測逐漸獲得晶圓制造質量管理部門關注。傳統晶圓良率預測研究主要考慮晶圓缺陷的數量、類型、來源等因素展開,BAE等[1]考慮晶圓缺陷的群聚特征與晶圓圖上缺陷的空間分布特點,基于不同的回歸分析方法建立良率預測模型;邱明輝等[2]提出一種基于密度噪聲的應用空間聚類方法分析晶圓缺陷的聚集特征,并設計一種混合模
組合機床與自動化加工技術 2023年7期2023-08-02
- 設備部件延壽的灰色多指標畸變預測模型
、生產過程的產品良率變異情況等,這些因素對設備壽命的影響均是未知的,造成預測的精度出現偏差較大。故本文選用灰色預測方法構建灰色多目標畸變預測模型,對設備部件的壽命已經達到管控閾值后,進行延長壽命的預測研究,并對模型的預測精度進行檢驗,最終根據畸變預測的結果確定了設備部件的延壽時間,并以半導體制造業為實際案例驗證了該模型的有效性。1 延壽畸變預測模型架構本文首先確定了兩種上限和下限畸變異常預測指標A和B。然后運用灰色系統理論,在第一階段分別建立灰色上下畸變預
系統工程與電子技術 2023年2期2023-02-01
- 螺絲機設備類型及在自動化行業中的應用
點是鎖付質量高、良率高，不良螺絲和鎖付不良品隨時排除。缺點是效率低，人工容易疲勞，不適合連續生產，綜合成本高。半自動螺絲機為人工進行產品的上料，螺絲自動進行上料，自動進行鎖付；或者是螺絲自動上料，人工進行產品的上料和鎖付。半自動螺絲機效率比人工高，鎖付質量也能得到保障。自動化螺絲機就是自動對產品進行定位、自動上螺絲、自動進行鎖付、自動周轉成品的螺絲機設備。自動化螺絲機效率高、成本低，但是良率不一，問題也比較多。1.2 按平臺類型分按平臺類型，分為桌面式螺絲
裝備制造技術 2022年8期2022-11-10
- 無視覺引導下普通電批超小螺絲鎖付結構設計
，影響螺絲的鎖付良率。改進后采用兩組軸承對批頭進行導向，而且兩個軸承的間距在結構允許的條件下盡量遠、盡量靠近批頭端部，以控制批頭端部的擺動量，提高螺絲的鎖付良率。改進前，連接體上端與批頭結合處的密封墊片采用聚氨酯或硅膠墊片，密封性雖好，但是由于加工精度難以保證，密封墊片對批頭的摩擦力變動量大，造成電批的鎖付力矩波動大，影響螺絲的鎖付質量。改進后采用POM材質，保證加工精度，提高耐磨性，從而提高摩擦力的穩定性，達到穩定鎖付力矩的目的。2.4 吸嘴設計吸嘴結構
裝備制造技術 2022年7期2022-10-21
- LED用藍寶石平片濕法清洗研究
影響PSS的外觀良率。因此，對藍寶石平片清洗工藝進行研究并優化來提高平片潔凈度，進而提高PSS的良率和品質、保證外延質量，成了一項急迫的工作。1 方法概述目前，藍寶石平片清洗以RCA標準清洗技術為主，RCA清洗法依靠溶劑、酸、表面活性劑和水，在不破壞晶圓表面特征的情況下通過噴射、凈化、氧化、蝕刻和溶解來處理晶片表面污染物、有機物及金屬離子污染，這種清洗方法對不同污染物采用不同的清洗劑。藍寶石平片表面一般會有顆粒、有機物、無機物、金屬離子等雜質，這些雜質根據
電子元器件與信息技術 2022年6期2022-09-08
- 電流舵數模轉換器的靜態誤差分析與建模*
界引入了INL 良率的概念，INL良率定義為在多個相同的DAC 芯片樣本中INL 小于0.5 LSB 的概率[3]。在此基礎上，文獻[4]推導出了一個公式，描述管子失配對電流舵DAC INL 良率的影響，通過計算可以獲得管子失配與INL 良率的映射關系。試驗表明這種方法要求的單位電流源管尺寸過大，導致DAC 梯度效應增強，寄生電容增大，動態性能下降，成本提高。蒙特卡羅仿真是評估失配最精確的方法，但是仿真時間與DAC 的分辨率呈指數關系，極大地影響了設計效率
電子與封裝 2022年8期2022-08-31
- 印制板外層圖形轉移中線路良率改善方法
板）的AOI一次良率統計見圖1所示。圖1 18110型號的AOI一次良率統計AOI一次良率不良項凹短、銅絲銅渣、干膜擦花三項居高不下，設備的保養會改善良率，但效果不明顯。2 試驗計劃PCB外層圖形生產流程：針刷磨板機——壓膜機——曝光機——顯影線試驗根據條件相關性分為3組：試驗①、試驗②、試驗③，試驗數量各60 PNL。記錄生產參數見表1所示（18110型號生產條件）3 試驗過程（1）試驗一。表2 生產條件參數表更改壓膜速度為下限值1.8 m/min，相關
印制電路信息 2021年10期2021-12-08
- 5 V雙向TVS器件表面缺陷改善
中，對每片晶圓的良率有較高的要求（業界水平不小于98%），然而，在實際生產的過程中，常因材料片電阻率、工藝過程、沾污、缺陷等異常導致產品出現低良率報廢，對產品質量和生產成本造成巨大影響。因此，對工藝過程能力控制提出了較高的要求，并且需要持續優化工藝條件，提升產品良率。本文分析了造成晶圓邊緣漏電異常的原因及內部機理，研究了工藝對晶圓邊緣處器件漏電的影響，結合現有的工藝條件，提出了工藝優化方法，改善了器件表面缺陷，解決了5 V雙向TVS器件的良率問題，實現了片
電子與封裝 2021年9期2021-10-13
- 光模塊印制板量產良率提升的研究
。1 流程確認及良率分析1.1 流程確認從流程設計來看，光模塊板的流程與傳統的PCB設計沒有什么本質上的區別。結合光模塊板高平整度、高表觀的要求，對外層的PCB工藝流程提出了更高的要求，特別是表面處理的工藝流程確定。初期外層流程設計如圖1所示。圖1 初期外層流程圖1.2 良率及缺陷分析1.2.1 報廢缺陷類別分析按照初期的流程以及現場的管控,光模塊板批量生產到FQC收集到的良率只有50%,針對缺陷按照類別和工段分別進行分析。按照報廢缺陷類別分析見圖2所示。
印制電路信息 2021年7期2021-08-10
- 基于六西格瑪的手機攝像頭模組質量改善研究
，手機攝像頭模組良率一直不高，嚴重影響生產進度和產品質量，引起公司高度重視，隨即組建六西格瑪小組做精益改善，提高良率。圖1 手機攝像頭模組1 手機攝像頭模組生產流程及其現狀1.1 手機攝像頭模組生產流程A手機攝像頭一直以購入其他公司成品模組的方式完成組裝，C公司現階段承接攝像頭模組ODM和OEM業務，對生產技術帶來了很高要求。一個合格的手機攝像頭模組需要具備防水、架構穩定、無黑點、無損傷、測試性能良好等特點，其生產流程簡化如圖2所示。圖2 手機攝像頭模組生
精密制造與自動化 2021年1期2021-03-26
- AOI檢測技術應用及在印刷式OLED發展方向
升各段工藝制程的良率，降低不良率。隨之而來，自動光學檢測設備（AOI）逐漸應用到產品的制程管控中，同時自動光學檢測設備（AOI）的要求也逐漸提高，正朝著分辨力高、檢測速度快、掃描時間短、拍攝圖片清晰、操作軟件簡易化、設計的模塊化和系統處理程序化等方向發展[1]。關鍵詞：AOI檢測;工藝制程;良率在電子工業發展發展早期，人們主要采用人工目視和高低倍顯微鏡來觀察產品表面，以確認所看之處是否有缺陷不良存在。這種方式缺點尤為明顯，觀察區域有限、效率低、漏檢率高、人
科技風 2020年35期2020-12-28
- 基于改進的連續型深度信念網絡的晶圓良率預測方法
發展的態勢。晶圓良率是完成所有工藝步驟后測試合格的芯片的數量與整片晶圓上的有效芯片的比值[1]，由于集成電路產品生產投入大、損失代價高，提前預知晶圓生產的良率情況，對提升晶圓生產工藝、降低晶圓生產損失具有重要意義。傳統的晶圓良率預測方法主要考慮晶圓的缺陷來源、缺陷數目、缺陷聚集程度與良率之間的關系，如：Raghavachari等[2]從統計學的角度，通過對晶圓單位面積的平均缺陷數進行分析，建立基于泊松分布的良率預測方法，但該方法未考慮晶圓缺陷的群聚特性，對
計算機集成制造系統 2020年9期2020-10-12
- 全玻璃手機技術—復合玻璃性能研究
響到壓合后的成品良率，雙層玻璃熔合的良率可達95%以上。此外，玻璃來料的崩邊和劃傷也會對熔合良率造成影響，一般情況下，內崩邊的不良是100%，因為后續不會對內部進行CNC 加工；外崩邊的直徑不能超過1mm。玻璃疊合影響的是成品的外形，直接影響到后續的CNC加工，雙層玻璃熔合成品的CNC 加工良率在98%左右。2.2 研發成果熔合成品包括生產上主要使用的德國某品牌玻璃以及美國某品牌玻璃。2.2.1 德國某品牌玻璃該玻璃的優點是薄，目前已用0.25mm、0.4
化工設計通訊 2020年3期2020-05-15
- 電子紙的2W2D工藝改善研究
TFT特性，損失良率。此外，采用1W1D的刻蝕方法對半色調掩膜光刻膠的厚度和均一性都有較高的要求，管控難度大，生產過程中經常出現未達管控標準返工重新進行曝光的情況，嚴重浪費了產能。為了改善1W1D帶來的問題，我們參考了非電子紙產品的兩次濕刻兩次干刻(2W2D)的工藝方法。然而非電子紙的2W2D工藝會產生較長的a-Si拖尾，導致較大的寄生電容，對像素電壓造成擾動，產生良率損失；此外，a-Si殘留和溝道特性問題也阻礙了電子紙良率的進一步提升。因此，本文對非電子
液晶與顯示 2020年4期2020-05-11
- GaAs HBT 中測信號防護處理
，正確地得到電性良率是必須的。GaAs HBT 器件的中測（Circuit Probing, CP）過程主要以直流測試（例如：漏電流/偏壓和輸出電流）為主，有時會增加射頻功能測試項[2]（例如：增益/小增益/P1dB/Pout），對應使用的測試工具是懸臂式探針卡。懸臂式探針卡主要由印刷電路板、探針、環氧樹脂和固定環四個部分組成，是測試機與晶圓間重要的媒介工具。藉由探針卡的探針與晶圓上的焊墊或凸塊接觸，將電性信號傳送到測試機并分析其功能與特性，進而判別晶粒的
微處理機 2020年2期2020-05-11
- 基于OTP修調功能的芯片量產方法研究
響,從而導致芯片良率的下降,增加芯片的生產成本。因此,如何提高芯片的良率使芯片平均成本降低成為一個重要問題。為了保證芯片出貨的良率,測試成為集成電路的重要一環。芯片制造受到工藝的影響,一些重要參數會有一定偏差,因此在自動化測試設備(ATE)測試時,需要通過trim code 進行微調。需要復測的情況有以下兩種: 1)可能存在測試機異常導致測試的電壓或電流不合格,需要進行復測,如果沒有改進算法,此時OTP 也會被重復燒寫,讓原本可能PASS 的芯片真正失效。
量子電子學報 2020年6期2020-02-25
- 容偏差靈敏放大器研究與實現?
A 在各情況下的良率。仿真數據如表1所示。表1 容偏差靈敏放大器Monte Carlo仿真數據表從以上數據可以得出：1）新工藝下的該靈敏放大器單獨工作在20mv差分輸入時Monte Carlo分析良率達到100.00%；2）在以上幾種情況下該結構的靈敏放大器在差分電壓為10mv 時，蒙特卡洛仿真都或多或少的有Failed情況出現；3）該靈敏放大器性能受差分電壓的影響很明顯，差分電壓越大，其自身延時越小、速度越快、抗偏差能力越強；4）溫度的降低和電壓的升高，
計算機與數字工程 2019年11期2019-11-29
- 維信諾：昆山5．5代產線良率已達90％
截止三季度末綜合良率已達90%，并為中興、LG、傳音等多個品牌客戶供貨;固安第6代柔性AMO-LED生產線，設計產能30K/月，目前產能和良率正處于爬坡狀態，產品已開始批量供貨，綜合良率達70%，未來產能將進一步釋放;合肥第6代柔性AMOLED生產線，設計產能30K/月，建設正如期推進中，10月中旬產線主體結構封頂，產線建成后將在技術、產品等方面持續創新，為高端客戶提供高端定制化服務;另外投建的廣州增城模組線項目也已于9月底啟動建設。成交折價率較高的部分交
股市動態分析 2019年43期2019-11-19
- 和輝光電6代AMOLED產線已量產出貨
O-LED生產線良率超過70%，已經量產出貨。據悉，和輝光電第6代AMOLED生產線主要生產剛性AMOLED，主攻智能手機和筆記本電腦應用市場。同時，和輝光電第6代LTPS AMO-LED生產線兼容剛性屏和柔性屏，初期主要量產剛性AMOLED，然后逐漸拓展到柔性AMOLED、2.5K以上分辨率OLED、中尺寸OLED和全面屏等產品。據了解，和輝光電第6代LTPS AMOLED生產線總投資272.78億元，規劃月產能3萬大片基板（含部分柔性OLED，基板尺寸
中國電子報 2019年53期2019-10-24
- 7nm+EUV工藝大規模量產EUV光刻機能否走出一波行情
制造成本、難度、良率、交付期限均顯著惡化。在關鍵層應用EUV光刻技術，從而減少曝光次數，進而帶來制造成本與難度的降低，這讓EUV光刻技術具備了足夠的生產價值?！癊UV光刻機在5nm及以下工藝具有不可替代性，在未來較長時間內應用EDV技術都將成為實現摩爾定律發展的重要方向?！蓖蹊Ｕf。因此，從工藝技術和制造成本綜合因素考量，EUV設備被普遍認為是7nm以下工藝節點最佳選擇，它可以繼續往下延伸三代工藝，讓摩爾定律再至少延長10年時間。DRAM存儲器將帶動EUV光
中國電子報 2019年72期2019-09-26
- 技術和價格是折疊屏手機“生死穴”
，國內面板廠硬屏良率和柔性屏良率仍然偏低，特別是OLED的核心材料設備主要靠國外供應，國內的設備精密度、材料壽命還存在差距，需要進一步攻關突破?！皣鴥让姘鍙S硬屏良率在70%到80%之間，代表性企業的柔性屏良率在70%到80%之間。影響良率的因素很多，我們所說的良率是指綜合良率，包括前段的顯示屏良率和后段模組良率，材料、工藝、制程等都會對良率產生影響?！眳鞘鐖@說，折疊屏手機大規模進入市場，還會面臨消費者使用體驗、產品性能指標、供貨能力三大挑戰。柔性顯示產業鏈
中國商界 2019年5期2019-08-14
- LCD與OLED全面發展 京東方實現雙技術開花
增加超300%，良率水平創新高，達到業內較高水平；綿陽第6代柔性AMOLED生產線已實現量產出貨；重慶第6代柔性AMOLED生產線建設按計劃推進。京東方合肥第10.5代TFT-LCD生產線實現滿產，良率超90%；武漢第10.5代TFT-LCD生產線完成設備搬入。在OLED領域，京東方已經實現和華為的合作，且也成為蘋果的考察企業之一，其OLED屏幕應用在旗艦手機上，可見京東方在OLED領域的實力也逐漸得到市場認可，而LCD領域其生產的面板成為諸多電視企業的采
網印工業 2019年10期2019-05-22
- 針對20 μm 及以下間距的微凸塊工藝缺陷檢測的研究方法
時還可以檢測影響良率的關鍵缺陷(例如損壞、缺失或錯位的凸塊)并正確地判別每個芯片是否合格。如果錯誤地檢測芯片的共面性或者未能獲取影響良率的關鍵缺陷，就會造成芯片的錯誤分類并且認為它們可以進一步加工[1]。典型的芯片堆疊通常含有8個或更多個芯片，一個分類錯誤的芯片將會影響整個產品的良率。圖2 關于微凸塊的直徑CD、凸塊高度（BH）和共面性（CO）的量測表征關于缺陷率和量測的研究采用了兩種微凸塊類型（如表1所示)。 Imec的PTCO和PTCP封裝測試芯片使用
電子工業專用設備 2018年5期2018-12-14
- 平臺管理助推LCM良率提升的方法研究
變為分組式的產品良率管理。但是由于分析組織之間又跨組織，而且分組式管理的水平又參差不齊，導致產品良率提升沒有了主導者，組織之間協同作業差，分析組織的管理者也不能及時掌控產品的實際問題。此種情況下，如何整合公司各個部門資源一起努力以達到良率的健康指標呢？怎樣才能使大家都參與到良率提升中來呢？轉型期間，B公司的良率Issue的處理流程類似于七步法問題解決，流程大致可以概括為：發現異常–成立小組-異常分析–臨時措施–風險評估–根因確認–長期措施–預防措施?？梢钥?/div>
電子世界 2018年20期2018-11-14
- 賽默飛發布最新半導體行業解決方案助力“中國芯”
器件生產的品控和良率，助力中國半導體產業的高速發展。近年來在新興技術市場趨勢和中國政策支持的雙重利好推動下，中國半導體產業的發展達到了前所未有的高度。預計未來幾年內，中國仍將會是全球最大的集成電路市場，且將保持20%左右的年均增長率?！半S著3D NAND產品的快速增長和制造商向高堆棧方向的發展，行業的復雜性和資金投入也相應增長，制程控制的需求變得更加嚴格。從二維到3D設備如FinFETs轉變的行業變化也使得邏輯芯片過程控制變得空前嚴峻?！辟惸w半導體行業副中國食品工業 2018年3期2018-06-11
- 汽車IC的行業趨勢
藝會受到正常產線良率問題和突發的良率下降的影響，從而導致產品可靠性差強人意。因此，廠商需要采用新的工藝控制策略以應對不成熟的工藝，并防止可能的器件可靠性故障。激烈的市場競爭和強勁的需求給晶圓廠帶來了額外的壓力，它們需要比以往更快的速度達到極其成熟的良率。最后一個趨勢是對于汽車市場器件可靠性的預期要求要遠遠高于消費電子級元件，多達幾個數量級。在比較平穩的運行環境中，消費電子元件在頭兩年內的故障率也可允許在10%。這是許多非汽車工廠所習慣的服務標準。相反，汽車電子工業專用設備 2018年1期2018-03-16
- 改善PECVD制程良率的方法初探
對PECVD制程良率進行改善顯得十分必要。在本文研究的主要領域為液晶顯示器的研發，尤其對于PECVD的改良方式進行了細致的研究與優化。在改善過程中，從特征方面了解到，厚度H1與H相比較小，改善中使用的毛刷為滾軸毛刷，并且毛刷的數量要有多個。1 改善PECVD制程良率的必要性在TFT-LCD制程過程中，良率損失主要受到膜下異物的不良影響，導致制程良率長期受到損害。由于PECVD的生產技術十分嚴格，在生產時不能產生任何顆粒物質，因此往往會采用清洗玻璃基板沉膜、中國設備工程 2018年14期2018-01-30
- IC卡最佳封裝良率控制對生產運營模式的影響
成本。IC卡封裝良率直接反映卡片制造商的工藝水平和質量控制能力，同時直接影響智能IC卡產品成本。為了控制卡片封裝時的模塊損失，客戶通常會對卡片制造商提出封裝良率要求，即客戶為卡片制造商設定封裝良率目標，卡片制造商通過控制封裝工藝從而實現客戶要求的封裝良率目標。如果智能IC卡制造商封裝卡片的實際良率不能達到目標，則需要賠付客戶模塊損失，即未達目標而多損失的模塊成本。按此約定，無論卡片制造商基準封裝良率多少，或者是否達到客戶的封裝良率目標，對客戶而言，卡片封裝電子與封裝 2018年1期2018-01-23
- 解決集成電路漏電和中點電位異常的實例分析
性能異常和中測低良率。集成電路；漏電；中點電位；發射區；缺陷；磷；砷；原子半徑1 引言IC圓片試驗中，會遇到芯片性能異常和圓片中測低良現象。某個雙通道功率放大集成電路[1]在試制前期，中測良率不穩定，低良嚴重時中測批良率僅55%左右。中測失效現象主要表現為芯片漏電和輸出端中點電位異常。為解決問題，對異常原因進行了分析，找出失效機理，并通過工藝改進得以解決。2 中測失效現象描述、分析及改進試驗2.1 中測失效現象該款IC為雙通道功率放大IC，前期中測良率在5微處理機 2017年5期2017-11-17
- 臺積電將推出12nm新工藝：16nm進化版
程工藝上都遭遇到良率問題，而這也直接導致采用改工藝的高通驍龍835、蘋果A10X、聯發科Helio X30等移動芯片供貨緊張，并且問題有可能會持續一整年。臺積電的 16 nm工藝已經發展了多個版本，包括FinFET、FinFET Plus等，若推出 12 nm工藝，不僅可以在市場上緩解 10 nm工藝帶來的訂單緊張問題，而且還可以在市場營銷上反擊三星、GlobalFoundries、中芯國際等對手的 14 nm工藝，避免訂單的流失。 目前擺在臺積電面前的問中國信息化周報 2017年4期2017-03-23
- 淺析IC測試開發流程及量產數據對產品設計的影響
改善產品的性能和良率，甚至規避未來可能出現的產品設計質量隱患。然而，遺憾的是國內很多設計公司往往忽略了這一點，或者即使意識到了量產測試數據的重要性，卻也不知道從哪里入手、怎樣去分析這些數據。因此，如何分析利用這些數據非常重要。2.1 量產數據與產品良率的關系首先需要糾正的一個誤區是：很多設計公司在追蹤產品測試數據時只關心產品最終的良率，這顯然是不夠的。產品的某些突發工藝問題并不一定直接反映在產品最終良率變化上，所以在觀察產品良率的同時必須追蹤各個fail網絡安全與數據管理 2016年20期2016-11-18
- 基于MicroSIM卡和NanoSIM卡的二切三切卡的研究及新工藝開發過程中問題解決
兩個：電性能測試良率低和3FF銃切力過低導致產品可靠性受影響。在本節中，我們將分別對兩個問題展開討論和研究。在一卡六芯產品的試生產過程中，我們發現在最終個人化數據寫入過程中的ATR（模塊電性能）測試中，各產品試運行批均產生了低良率的現象，由此，我們使用品管七工具中最適用于尋找主要因素，抓住主要矛盾的柏拉圖來進行分析。圖2 柏拉圖分析ATR測試良率低的問題由圖分析得知，電性能良率低的主要問題集中在模塊功能不良的問題，此問題占據了所有不良中的78.26%，解決數碼世界 2016年9期2016-10-19
- NAND Flash浮柵干法蝕刻工藝優化解決數據寫入失效
重要的地位。產品良率是影響NAND Flash發展的一個重要因素。其中NAND Flash讀寫操作中的寫入失效是良率損失最主要的原因。經分析，整合工藝的復雜性以及蝕刻制程工藝的局限性，浮柵和控制柵物理結構不完善會產生數據寫入失效。著眼于對浮柵的干法蝕刻工藝進行改進，改善浮柵和控制柵物理結構，防止寫入失效，從而得到最佳的良率。NAND；Flash工藝制程；浮柵；控制柵；干法蝕刻；良率1 引言隨著蘋果的智能手機（iPhone）及智能移動終端（iPad）的成功，電子與封裝 2016年7期2016-09-13
- 利用縫隙抑制型鎢填充接觸區工藝來降低良率損失
接觸區工藝來降低良率損失應用材料公司金屬沉積產品事業部接觸和中段產品線全球經理 Jonathan Bakke在早先的技術節點中，由于器件尺寸較大，能采用成核及平整化化學氣相沉積（CVD）技術進行鎢（W）填充。如今，由于插塞處的超小開口很容易發生懸垂現象，因此薄膜表面均勻生長的共形階段可能在填充完成前就關閉或夾斷，從而留下孔洞。即使沒有孔洞，由于填充物從側壁生長，在共形沉積時必然會在中間形成中心縫隙問題。這些屬性使極細小的成核層在化學機械拋光（CMP）過程中電子工業專用設備 2016年8期2016-08-24
- KLA-Tencor推出晶圓全面檢測與檢查系列產品應對10納米良率挑戰
產品應對10納米良率挑戰KLA-Tencor公司日前在 SEMICON West 2016上為前沿集成電路制造推出了六套先進的缺陷檢測與檢查系統：3900系列（以前稱為第5代）和 2930系列寬波段等離子光學檢測儀、PumaTM9980激光掃描檢測儀、CIRCLTM5全表面檢測套件、Surfscan?SP5XP無圖案晶圓缺陷檢測儀和eDR7280TM電子束檢查和分類工具。這些系統采用一系列創新技術形成一套全面的晶圓檢測解決方案，使集成電路制造的所有階段“從電子工業專用設備 2016年8期2016-03-10
- 應用材料公司推出全新光伏金屬化系統
有高轉換效率、高良率和良好成本效益的突出優勢 ，因此能夠滿足電池制造行業對最低成本和最低每瓦總成本的需求。該系統一經推出，就受到了業界的熱烈歡迎。目前全球已有數臺系統投入應用，其中，國內客戶占多數。Tempo系統已經在晶澳太陽能得到應用。精密操作系統和高速印刷控制功能使得Tempo系統每小時可處理超過3200片硅片，并且能保證出色的印刷工藝和質量，電池片日產量超過75000片，設備正常運行率超過92%。通過實際運行測算，和兩條單獨的單線系統相比，Tempo太陽能 2015年5期2015-12-31
- MIPS_RAC終端測試于0.13 μm邏輯平臺的工藝優化
MIPS_RAC良率的影響。兩種器件的尺寸均為寬度10 μm和長度0.13 μm。本實驗中的器件速度使用安捷倫4156電性測試儀進行測試。圖3顯示了6組實驗的MIPS_RAC終端測試的良率，TTT組、FFF組和NSF組的MIPS_RAC合格率損失均為0，NFS組的良率損失為0.2%， SSS（3倍標準差）的良率損失分別為1.5%和12%， SSS（4.5倍標準差）的良率損失增至62%。由此可見，隨著器件速度減慢，MIPS_RAC的合格率顯著降低。表1 器件電子與封裝 2014年1期2014-09-19
- 應用材料公司推出先進全自動硅片檢測系統
池生產的總體平均良率。這些新功能包括：100%在線硅片檢測，以解決人工檢查的質量局限；以及通過光致發光（PL）技術自動預測硅片電池轉換效率的能力，使客戶能夠只處理符合質量和良率規格的硅片，獲取更高的利潤。Vericell系統采用最先進的PL技術，結合多重感應功能和先進的軟件算法，能夠根據裸硅片材料預測最終的電池轉換效率，其多晶硅硅片的平均預測誤差小于0.15%。去除低效率硅片以及識別需要工藝改進的硅片，即可全面提升工廠中更高效電池的產能，進而顯著提高利潤。電子工業專用設備 2014年5期2014-08-15
- NiCr勢壘腐蝕工藝技術
時出現不同的產品良率，使用70℃王水處理的硅片因為沒有形成有效的勢壘區，最后良率很低，不足50%，。使用50℃王水處理的硅片最終測試良率在70%左右。3.2 硝酸鈰銨去除法因為硝酸鈰銨也有較強的氧化性，并且光刻版制作后也是用含硝酸鈰銨的溶液腐蝕的，配制好的溶液也易保存。所以采用硝酸鈰銨腐蝕液來進行去除NiCr實驗，圖3是采用硝酸鈰銨處理過的勢壘區圖片。圖3 硝酸鈰銨溶液處理過的勢壘區實驗發現，硝酸鈰銨溶液處理過的勢壘區表面平坦光滑，并且對產品最后的良率也有微處理機 2014年5期2014-08-07
- 基于鏈式的信號轉移冗余TSV方案
能是最有效的提高良率的方法，但是卻帶來了面積成本。提出了一種基于鏈式的信號轉移冗余方案，輸入端從下一分組選擇信號硅通孔傳輸信號。在基于概率模型下，提出的冗余結構良率可以達到99%，同時可以減少冗余TSV的數目。三維集成電路；硅通孔；容錯1 引言隨著集成電路的發展，為了在一定尺寸的芯片上實現更多功能，延續摩爾定律，三維方向上的封裝應運而生。硅通孔（Through-Silicon-Via，TSV）作為新興的互連技術，是指在晶圓和晶圓之間、芯片和芯片之間制作垂直計算機工程與應用 2014年17期2014-07-08
- 應用材料雙層網印技術將提升電池0.2%以上效率
，轉換效率顯著、良率提升，成本效益突出。在應用材料Baccini絲網印刷平臺將技術升級為Esatto雙層網印功能后，天津英利新能源有限公司呈報，較之前單層網印生產基準更為出色，同時達到電池效率提升0.2%以上、節省約15%的漿料成本、產出增加15%、良率提高0.46%。應用材料公司副總裁暨能源暨環保解決方案事業群太陽能產品總經理吉姆穆林（JimMullin）表示：“我們很高興能夠和天津英利新能源公司合作，共同推動先進的電池設計并迅速投入量產。運用Esatt網印工業 2013年11期2013-08-15
- 賽默飛發布最新半導體行業解決方案助力“中國芯”