基極
- 近似等效法在高頻電子線路教學中的應用與探討
，當頻率增加時，基極與集電極之間的容抗變小，此時使用近似等效法，基極與集電極之間形成一個有效通路，如圖2所示，集電極上的電流會有一部分通過該通路泄露到基極上去，造成基極電壓升高，根據晶體管是將基極電壓放大為集電極電流原理，使得更進一步放大升高后的信號，形成一種類似于正反饋機制，使得晶體管從線性區迅速過渡到非線性區，進而使晶體管失去放大能力。圖2 高頻下晶體管極間電容近似等效以上的分析說明了電子線路對頻率高低敏感的原因之一，了解了晶體管對高頻信號影響之后，在
電子制作 2023年2期2023-03-01
- 基于RS 觸發器的危險區域安全保護裝置
加；三極管T1的基極電位降低，集電極電位升高，因此三極管T2的基極電位升高，集電極電位降低，在KA 兩端產生電壓差，其線圈得電，常開觸點吸合，M 斷電、停止運轉，發光二極管VD 及SP 得電，分別發出燈光示警和聲音示警。當人離開M 運轉區域時，R1受到的光照增加，阻值減??；T1的基極電位升高，集電極電位降低，因此T2基極電位也降低，集電極電位升高，KA 兩端沒有電壓差，其線圈掉電，返回常閉觸點，M 正常運轉；SP 停止，實現電機的自動控制[3]。圖1 無R
寧夏工程技術 2022年4期2023-01-31
- 一種高PSRR快速響應線性電源調制器的電路設計
比為8∶1，二者基極——發射極電壓差為：該電壓為PTAT電壓，經過電阻R9及其上面的電阻放大后，從VOUT到Q16基極的電壓，也是一個PTAT電壓，與下方BYP端相連的LPNP管Q13的BE結CTAT（負溫度系數）電壓補償后，得到一階零溫度系數的電壓VBG，為：由式（6）可知，調整R8與R9比例，使得VT正溫度系數與VBE13負溫度系數相等，即可得到穩定的帶隙基準電壓?？紤]到在高溫下VT與VBE變化速率的不同，在高溫時，VBE13降低速率更快，使得基準電壓
環境技術 2022年6期2023-01-25
- 基于MATLAB的線性電流調節的LED驅動器設計與仿真
R2的低電位端，基極二極管D2輸出端，發射極連接至電阻R3；一個NPN型三極管，電路集電極連接至LED2低電位端，基極連接至電阻R3的低電位端，發射極連接至地端；連個LED燈LED1和LED2，并進行串聯。圖中的函數f(x)=0表明低電位的電壓值為理想的0V。圖1 驅動器仿真電路其中分段線性電源V Src為電源線性變化模塊，如將電源的電壓值在0-1s時間內從0V沿直線上升至10V，可知電壓上升的斜率為10；兩個單向導通二極管D1和D2連接在分段線性電源的正
電子制作 2022年18期2022-10-31
- 硅外延平面NPN雙極晶體管的總劑量輻射損傷缺陷研究
至-0.8 V，基極和集電極均接地。深能級陷阱測量采用PhysTech公司的FT1230 HERA-DLTS測試系統，重點針對NPN三極管的發射結開展深能級瞬態譜測試和分析，獲取其缺陷特性。測試過程中P型基極接低電位，N型集電極接高電位。DLTS測試過程中設定的主要參數為：反向偏壓VR=1 V，脈沖電壓VP=-0.2 V，測試周期TW=0.3 s，脈沖寬度TP=10 ms，掃描溫度50～450 K。在溫度掃描時，可同時測試不同溫度下發射結的C-V和I-V曲
原子能科學技術 2022年10期2022-10-29
- 基于雙極工藝的高速MOSFET柵驅動電路
N/PNP器件的基極-發射極閾值電壓只有0.6 V（MOSFET器件普遍在1 V以上），因此與CMOS工藝的驅動電路相比，雙極工藝驅動電路擁有更低的導通損耗和更長的使用壽命；同時雙極型器件輸出電流與基極-發射極電壓成指數關系，器件輸出跨導效率相比MOS器件顯著增加，同等面積下可以比MOS器件得到更大的輸出電流，因此采用雙極工藝實現的驅動電路可以有效減小芯片面積，提高經濟效益。國內外已經研制出了多種基于雙極工藝的柵驅動電路[5-7]。文獻[5]采用級聯達林頓
電子與封裝 2022年10期2022-10-29
- 一生都在學習,81歲爺爺直播教電工知識走紅
：為什么三極管的基極電壓Ub與發射極電壓Ue同相位？三極管的基極電壓與集電極電壓為什么反相位？他的每場直播同時在線人數最高上萬，單場直播觀看人數超過40萬，來直播間聽他上課的學生遍布大江南北。走紅后，王廣杰在直播間被數十萬網友“催更”，他還登上熱搜榜，短短4天時間粉絲增加了50余萬。王廣杰坦言，自己學的都是電工基礎內容，隨著時代的發展，如今的科技也在進步，他又自學PLC（可編程邏輯控制器）知識，并在直播間里講解，“我沒有落后于時代，我很喜歡這個專業，這一生
文萃報·周二版 2022年25期2022-06-23
- 一種低偏流、低失調的高精度運算放大器設計
鏡采樣了Q4 的基極電流并返回一個近似相等的電流到Q2 的基極，從而完成偏流補償，減小輸入偏流。實際上，由于采樣管Q4 和輸入管Q2 的集電極電流和β并不完全匹配，再加上PNP 電流鏡基極電流和厄利效應帶來的誤差，最終會有1/20～1/5 的基極電流未補償。圖1 傳統偏流補償一考慮基極電流時的誤差情況：根據上式分析，由于PNP 管β較小，所以相比于采樣電路而言，PNP 電流鏡會成為更大的誤差來源。此外，這一偏流補償結構由于匹配性較差會導致失調電流的增大。失
電子設計工程 2022年11期2022-06-15
- 三維數值仿真研究鍺硅異質結雙極晶體管總劑量效應*
合增加,最終導致基極電流增大、增益下降;其中EB Spacer 氧化層中產生的陷阱電荷主要影響正向Gummel 特性,而LOCOS 隔離氧化層中的陷阱電荷則是造成反向Gummel 特性退化的主要因素.通過數值模擬分析獲得的SiGe HBT 總劑量效應損傷規律與不同偏置下60Co γ 輻照實驗的結論符合得較好.1 引言鍺硅異質結雙極晶體管(SiGe HBT)由于硅基能帶工程材料和器件結構的優勢,通過對基區Ge 組分梯度的控制,可實現大跨度的工作溫度范圍[1-
物理學報 2022年5期2022-03-18
- 基極調幅電路性能仿真分析
430033）基極調幅電路[1-2]是以高頻諧振功率放大電路為基礎構成的，是輸出電壓幅度受基極所加調制信號控制的高頻諧振功率放大器，輸出調幅信號有較高的功率，也是高電平調幅。理論上高頻諧振功率放大器工作在欠壓工作狀態時，調制信號和基極直流偏壓共同作為放大器的偏置電壓，即可在輸出端獲得AM 調幅信號。如何調整電路參數，才能使高頻諧振功率放大器工作于欠壓工作狀態；如何設置基極直流偏壓才能獲得不同調制度的調幅信號；如何調整載波、集電極電壓，才能獲得不失真的調幅
電子設計工程 2022年4期2022-02-27
- 射極跟隨器實驗研究與探索
電源電壓Vcc，基極電阻RB，和發射極，射極電阻RE，構成了輸入回路，同時電源電壓Vcc的正極通過基極電阻RB接入基極也保證了發射結正偏；電源電壓Vcc，集電極，發射極，射極電阻RE，構成了輸出回路，電源電壓Vcc正極接入集電極，電源電壓Vcc負極通過射極電阻RE接入集電極。所示的直流通路可看出，在輸入回路中，其中RB為可變電阻，依據基爾霍夫電壓定律(KVL)及晶體管的電流分配關系,可得如下公式：(1)和(1)基極電阻RB為可變電阻，通過改變電阻RB的阻值
太原科技大學學報 2021年6期2021-12-31
- 雙極型晶體管總劑量效應的統計特性*
照效應主要體現在基極電流(IB)的退化, 其作用機理是電離輻射在SiO2中及Si/SiO2界面作用導致的氧化物陷阱電荷面密度(Not)和界面陷阱電荷面密度(Nit)的增長.本文基于定制設計的柵控橫向PNP晶體管, 開展了大樣本、多劑量點的電離總劑量效應實驗, 獲得了雙極型晶體管IB, Not, Nit的分散性及其隨總劑量變化的統計特性, 初步建立了晶體管損傷分散性與Not分散性的關聯.該研究成果可以有效支撐雙極型電路輻射可靠性的機理研究與定量評估.1 引
物理學報 2021年13期2021-08-04
- 單管放大器電路解析及探討
調節T1晶體管的基極電位;滑動變阻器RW1連接著撥動開關,需要將撥動開關撥到“通”,可以將電源電壓的正極連接到T1晶體管的基極,從而保證了發射結處于正向偏置;T1晶體管的集電極電阻RC1通過導線連接到電源電壓的正極,就保證了集電極處于高電位,這樣單管放大器就滿足外部條件發射結正偏,集電結反偏,保證T1晶體管處于放大狀態。單管放大器電路中,由發射結連接基極電阻和射極電阻,加上電源構成了輸入回路,集電結連接集電極電阻和射極電阻,加上電源構成了輸出回路[3]。2
太原學院學報(自然科學版) 2021年2期2021-06-29
- 基于晶體三極管的放大電路分析
射極、集電極以及基極。在三極NPN的情況下，通過在硅片上生長的摻雜工藝在三極管上形成兩個PN結，并在不同的偏壓下控制兩個PN結的開關控制。電壓和電流放大效應大大加快了電子技術的發展。晶體的三極管分為不同的類型，根據制造材料分為鍺管和硅管，根據結構不同可分為PNP管和NPN管。把微弱的電信號按一定倍數放大。它還具有開關作用，用來構成多種脈沖與數字電路。它體積小、能耗低、價格便宜，已廣泛應用于電子線路中。2 不同組態的三極管放大電路根據三極管電路中的連接方式可
中國設備工程 2021年24期2021-04-03
- 結合通用技術課程 促進物理教學①
——以“電容器在延時電路中的應用”為例
手沒有觸摸VT1基極時，由于VT1、VT2均未導通，因此VT3基極為高電位，符合導通條件，因此VT3導通，發光二極管點亮，當手觸摸VT1基極之后，VT1、VT2相繼導通，VT3由于基極電位被拉低而截止，發光二極管熄滅，因此該電路有觸摸關燈的效果。在理解上述電路的基礎上，請學生思考：該電路能夠實現觸摸關燈的功能，但只有在手觸摸的時候燈才會關閉，手一離開，燈就會立刻點亮，應用性較差，我們能否讓燈在手離開之后繼續保持一段時間的熄滅狀態，然后再自動點亮呢？通過對這
物理之友 2021年1期2021-03-15
- 一種適用于毫米波的InP HBT小信號模型與參數提取方法
源等效電路部分。基極-發射極重疊電容和基極-集電極重疊電容分別被吸收到基極-發射極電容Cbe和外部基極-集電極電容Cbcx中[7]。其中總基極-集電極電容Cbc的物理機理可表示為:式中:Cbc0為零偏置電流下的基極-集電極電容;Ic為集電極電流。參數K1和Itc描述了集電極區的電子速度調制效應。通過對基極-集電極電容Cbc與集電極電流Ic進行擬合,結果如圖5(a)中實線所示。通過有源等效電路所得到的Z參數能夠提取基極-集電極電容Cbc。式中:Za為有源等效
電子元件與材料 2021年1期2021-02-05
- 偏置條件對國產SiGe BiCMOS 器件總電離輻射效應的影響
進行了分析，得到基極電流Ib和集電極電流Ic隨輻照累積劑量的變化關系，并對其進行了Gummel 特性曲線的測試，得到Ib和Ic隨基極-發射極電壓VBE的變化關系。2 實驗結果隨劑量而增大，從而導致了圖2中電流增益以及峰值電流增益隨劑量的不斷退化。表明Ib是SiGe BiCMOS器件的主要敏感參數，Ic基本不受電離輻射效應的影響。當輻照總劑量累積到12 kGy(Si)時，3種偏置條件下器件峰值hEF仍高于170，說明其在高劑量率輻照下有著良好的抗電離總劑量輻
輻射研究與輻射工藝學報 2020年5期2020-10-30
- 汽車電子電氣基礎知識詳解(五)
為發射極(E)、基極(B)和集電極(C)。電荷載體從發射極移動到基極(發射出去)并由集電極吸收。因此晶體管有兩個PN結，一個位于發射極與基極之間，另一個位于集電極與基極之間。圖67 晶體管的電路符號1.工作原理下面以一個NPN晶體管為例介紹工作原理。PNP晶體管的工作原理相同，但電流流動方向相反。如圖68是一個晶體管及其三個接頭(發射極、基極和集電極)的工作原理圖。圖68 發射極電路中的晶體管工作原理發射極內有很多電子，基極內只有少量空穴(缺陷處)。在正電
汽車維修與保養 2020年6期2020-10-24
- 基于基本共射級放大電路的增益計算及教學實踐
交流信號由三極管基極和發射極輸入，從集電極和發射極輸出，因為發射極作為輸入和輸出的共同接地端，因此該種放大電路也被稱為共射放大電路，其結構如圖1所示：圖1 基本共射放大電路其中，三極管VT作為整個放大電路的核心器件，將輸入信號產生的微弱基極電流，控制集電極電流的變化；基極直流電源VBB：通過基極電阻RB為三極管發射結提供正向偏置電壓以及合適的基電流；基極電阻RB：確保輸入信號有效的施加到放大電路的基極和發射極之間；集電極直流電源VCC：為三極管集電結提供反
山東化工 2020年8期2020-06-12
- NPN雙極型晶體管抗輻照加固研究
參數為雙極晶體管基極電流（IB）、集電極電流（IC）和電流增益（β=IC/IB）。同時對輻照的樣品進行DLTS 深能級瞬態譜測試。輻照實驗及其參數的測量均是在室溫下進行，每次參數的測試都在輻照或退火后20 min 內完成。3 實驗結果與分析3.1 輻照后直流參數的變化及成因對實驗樣品輻照后測試的直流參數研究表明，不同的電參數對于輻照的敏感程度是不同的。圖1所示為在不同總劑量水平下的基極電流IB、集電極電流IC隨基-射結偏壓VBE的變化情況。圖1 NPN 晶
微處理機 2019年5期2019-11-06
- 垂直腔面發射激光器與異質結雙極型晶體管集成結構的設計和模擬
片上,通過HBT基極電流調制VCSELs的輸出光功率.本文設計了一種VCSELs與HBT集成結構,該結構包括VCSELs和PNP InGaP/GaAs HBT,為直接串聯結構,并利用PICS3D軟件模擬了該集成結構的電光特性.為了模擬能夠順利進行,在模型中加入了過渡集電極.首先將HBT導通,電流由發射極流向過渡集電極,然后增大過渡集電極與N型電極之間的電壓,使VCSELs導通且把過渡集電極的電流降為零.由于過渡集電極的電流為零,在實際結構中可以將其移除.模
物理學報 2019年20期2019-10-25
- 淺談估算法計算單管放大電路靜態工作要點
開）。兩電位：指基極電位VBQ 和發射極電位VEQ。確定基極電位和發射極電位是關鍵中的關鍵，是解題的中心樞紐，只要把這個樞紐打開，整個解題過程就暢通了。如圖1（固定偏置放大電路），圖2（分壓式偏置放大電路）所示的兩電路：（1）先確定發射極電位VEQ，然后根據UBEQ=VBQ - VEQ 求 出 VBQ=VEQ + UBEQ，再 求ICQ=βIBQ，UBEQ=VCC-ICQ(RC+RE)。（2）先確定基極電位VBQ，然后根據UBEQ=VBQ-VEQ 求出VE
石河子科技 2019年6期2019-06-12
- 氫氣浸泡輻照加速方法在3DG111 器件上的應用及輻射損傷機理分析*
—1.2 V; 基極和集電極均接地,測試基極電流IB和集電極IC隨發射極電壓的變化趨勢. 本文選取的電流增益β值為VBE=0.65 V 時對應的IC與IB的比值. 通常利用電流增益倒數的變化量表征器件損傷程度.深能級瞬態譜儀(deep level transient spectroscopy,DLTS)是檢測雙極型器件內部深能級缺陷的有效手段,可以定量表征微觀缺陷種類、濃度及能級等信息. DLTS 測試過程中主要參數設定為: 脈沖寬度TP=0.01 s,脈
物理學報 2019年6期2019-04-10
- 基于摩擦起電和靜電感應控制的機器人觸覺系統
通過R1與Q2的基極相連，Q2的集電極通過R2與Q1的發射極相連，Q1的基極通過導線與Q2的集電極相連；自鎖觸發電路模塊(紅色框部分)，由NPN 型三極管Q3、電源E1、分壓電阻R3和R4，以及自鎖觸發端A 端構成，具體結構：Q3基極通過R4與自鎖觸發端A 端相連，發射極與電源負極相連，電源正極通過R3與Q2基極相連。圖3 系統中控制電路電路圖解鎖觸發電路模塊(藍色框部分)：由NPN 型三極管Q4、NPN 型三極管Q5、電源E2、分壓電阻R5和R6，以及解
實驗室研究與探索 2019年2期2019-04-02
- 按鈕控制的節能燈電路的設計
9013(1)的基極電阻使其達到飽和。實驗過程中不斷調試基極電阻RB,最后確定RB應小于68k,具體取值如電路圖1所示,RB=47k+10k。延時電路可利用電容器的充放電構成,按鈕并接在電容器的兩端。延長時間的長短取決于電容和電阻的取值,這里取C=470μF,R=100k。怎樣才能把延時電路與繼電器下面的三極管電路聯系到一起呢?設計的思路是在按下按鈕時,電容器開始充電,同時三極管9013(1)飽和導通,繼電器的金屬片與線圈吸合,燈泡亮;過一會兒,電容器充電
太原學院學報(自然科學版) 2018年4期2019-01-16
- Si3N4鈍化層對橫向PNP雙極晶?體管電離輻射損傷的影響機理
現,有鈍化器件的基極電流隨著柵壓變化出現展寬現象.由此得出推論,有鈍化層的器件可能是由于制備鈍化層過程中引入了氫分子,導致界面電荷的增加并使得界面態能級分散.然而,上述研究無法排除柵極工藝的影響.上述研究表明,雙極晶體管的輻射特性具有很強的工藝相關性.然而,迄今無法直接證明鈍化層對電離輻射損傷的影響機理.為了解決上述問題,本文選取60Co源作為輻照源,針對橫向PNP(LPNP)雙極晶體管,采用電性能測試及深能級缺陷分析等兩種研究手段相結合,深入研究了有/無
物理學報 2018年16期2018-09-11
- 一種基于憶阻器的截流型過電流保護電路
保護電路三極管的基極電壓。將通過simulink搭建出憶阻器的等效實現電路模型，然后構造基于憶阻器的截流型過電流保護電路并進行理論分析和仿真驗證。1 基于simulink的憶阻器等效實現電路通過simulink仿真構建了憶阻器的等效實現電路，如圖2所示。其伏安特性曲線如圖3所示。圖2 憶阻器的simulink模型圖3 憶阻器的伏安特性曲線2 基于憶阻器的截流型過電流保護電路本文所構造的基于憶阻器的截流型過電流保護電路如圖4所示。圖4中Q1是調整管，R2是電
機械制造與自動化 2018年4期2018-08-21
- 以“實”為證、以“理”服人開展通用技術教學嘗試
——以NPN型三極管與PNP型三極管置換為例
VT（9013）基極電壓為0.5V，沒有達到三極管的導通條件，現把47K電阻換成50K的可調電阻，重新接線，調節可調電阻，發現可調電阻阻值在10K左右時，可實現對應功能，以下電路中都使用10K電阻。實驗二：PNP型管9012直接調換NPN型管9013，發光二極管接在9012的發射極上，如圖2。按原理分析，實現的功能應與原電路功能相反，即光亮時二極管亮，光暗時二極管不亮，實驗結果也確實如此，但光亮時二極管只是微亮，亮度明顯比上一實驗低很多，即不能完全實現原電
中學課程輔導·教學研究 2018年17期2018-06-09
- 一種輸出可調的三端穩壓電路的設計
一路送到了T5的基極，另一路經R1、R2送到了T3、T4的基極。由于R4的負反饋作用，導致T6基極的信號變化比T2基極更為激烈。T6將此信號反相放大后加到了T5的發射極上，這樣在T5的發射結上就得到了一個更大幅度的誤差信號。T8、T9組成了1∶1的比例電流源，一方面作為T5的有源負載，另一方面，將T5放大后的信號傳遞到了T10的基極。誤差信號也通過R2、R10被T7所放大。由于T5、T7都是反相放大，經過電流鏡后，進入T10基極的電流為兩個放大后信號之差。
現代工業經濟和信息化 2018年5期2018-06-07
- 電子技術實踐課程改革探索
于飽和狀態，必須基極電流足夠大，三極管在飽和時，集電極與發射極間的飽和電壓（UCES）很小，基極電流很大，對硅管來說，發射結的飽和壓降UBES＝0.7V（鍺管UBES＝-0.3V），而UCES＝0.3V，可見，UBE＞0，UBC＞0，也就是說，發射結和集電結均為正偏。要使三極管處于截止狀態，必須基極電流IB＝0，此時集電極IC＝ICEO≈0（ICEO 為穿透電流，極?。?，UBE＜0，UBC＜0，也就是說，發射結和集電結均為反偏。要使三極管處于放大狀態，基極
數碼世界 2018年5期2018-06-04
- 可控硅整流器及其測試技術
的集電極作為Q2基極的驅動，同時，Q2的集電極作為Q1基極的驅動。圖1所示電路的特殊連接方式構成了正反饋，Q2基極電流的任何變化都將被放大并且通過Q1的反饋得到增強。這種正反饋將持續改變Q2的基極電流直至兩個晶體管都進入飽和或者截止狀態。一方面，如果Q2的基極電流增加，則其集電極電流也增加，從而使Q1的基極和集電極電流增加，Q1集電極電流的增加將會進一步增大Q2的基極電流。這種放大反饋作用會一直持續到兩個晶體管均達到飽和，此時，電路的功能類似于閉合的開關。
視聽 2018年4期2018-05-09
- 調幅信號的產生方法及電路仿真研究
法有集電極調幅和基極調幅。3 低電平調幅電路及其仿真平方律調幅是利用電子器件的伏安特性曲線平方律部分的非線性作用進行調幅；斬波調幅是將所要傳送的音頻信號按照載波頻率來斬波，然后通過中心頻率等于載波頻率的帶通濾波器濾波，取出調幅成分；模擬乘法器調幅是將所要傳送的信號與載波信號相乘，然后通過中心頻率等于載波頻率的帶通濾波器濾波，取出調幅成分。平方律調幅電路所用的電子器件多為二極管，產生的AM波如圖1（a）所示。改變調制信號的幅度或直流電源的電壓值，將靈敏地改變
設備管理與維修 2017年5期2018-01-02
- 一種低溫度系數高電源抑制比帶隙基準
）提出了一種基于基極電流補償的具有低溫度系數和高電源抑制比的帶隙基準電壓源結構，通過消除三極管基極電流對基準輸出電壓溫度系數的影響，有效降低了基準的溫漂系數，同時通過自偏置電流鏡結構和濾波電容提高了基準在全頻段的電源抑制比(PSRR)。Cadence中利用TSMC 0.18 μm工藝進行的仿真結果表明，在-55～125℃的溫度范圍內，得到9.1×10-6/℃的溫漂系數，低頻時的電源抑制比達到-80 dB。基極電流補償；低溫漂系數；高電源抑制比1 引言現代集
電子與封裝 2017年12期2017-12-23
- 恒流激勵型開關電源
功率開關晶體管的基極加入RC振蕩回路。通過電容的充放電來改變基極電位使開關管產生自激振蕩。同時又加入一個分流調整管，通過采樣電路對輸出電壓進行采樣，把這個采樣電壓通過分流調整管反饋回開關管，并影響開關管基極電流，通過改變開關管基極電流的大小來改變占空比，從而實現穩壓的目的。但是由于振蕩電路中的電壓是直接由變壓器感應而來，也就是說這個電壓直接受到輸入電壓的大小而影響，這樣的電路設計決定了該電路對輸入電壓的范圍有了較大的要求，使得穩壓范圍相對變窄。2 恒流激勵
時代農機 2017年9期2017-12-08
- 用于反激式變換器的BJT功率管驅動電路的設計
精確復制到功率管基極；針對BJT管較慢的開關速度，配合數字控制，縮短功率管狀態轉換所需時間，降低了功率管損耗。在CSMC 18 μm 18 V工藝下，利用Hspice軟件進行仿真，結果表明，BJT功率管工作在飽和區，開關轉換速度增強，滿足了反激式變換器對BJT功率管開關速度的要求。反激式變換器；BJT功率管；驅動電路；數字控制；飽和區；開關轉換隨著數碼電子產品的井噴式發展和國家對LED照明技術的重視，反激式開關電源市場日趨成熟。數字控制技術由于其設計可復用
電子元件與材料 2017年6期2017-10-14
- 一款增益可調且平坦的超寬帶低噪聲放大器*
連接晶體管Q1的基極,新型偏置bias2連接晶體管Q2的基極。Cbe1、Cbe2分別為晶體管Q1、Q2的基極與發射極之間的結電容,Rbe1、Rbe2分別為晶體管Q1、Q2的基極與發射極之間的等效電阻,gm1、gm2分別為晶體管Q1、Q2的跨導。圖2 FTG UWB-LNA的輸入級電路圖及其等效小信號電路圖根據圖2(b)的小信號電路圖,輸入阻抗可表示為:(1)為了實現良好的寬帶輸入阻抗匹配,需要滿足下列條件:(2)Rbe1≈50Ω(3)此外,由于晶體管Q2結
電子器件 2017年2期2017-04-25
- 淺析單管共射放大電路組成及靜態工作點的設置
極的電位就可以比基極的電位高。簡言之，+VCC可以保證集電結處在反向偏置。所以+VCC起到了兩個作用：一是使得發射結處于正向偏置，b、e 之間的電壓大于死區電壓；另一個則是使集電結處于反向偏置。這也是三極管處于放大作用的兩個外部必備條件。也就是說，+VCC可以提供滿足三極管放大作用的外部必備條件。再來談談放大電路中電阻的作用：Rb叫做基極回路電阻，它的作用就是和+VCC共同確定一個合適的IB。Rc叫做集電極電阻，在整個電路中，起到非常重要的作用。它把三極管
廣東教育·職教版 2017年1期2017-03-04
- 強電磁脈沖對雙極型晶體管的毀傷效應研究
、C、E分別表示基極、集電極和發射極,P、N分別為p型摻雜和n型摻雜,N+表示n型重摻雜,ad=9μm,de=3.7μm,ab=cd=2μm,其中摻雜分布如圖1(b)所示。3.1 集電極注入從集電極注入頻率為3GHz,幅度為40V的電磁波,器件內5ns時的溫度分布如圖2所示,溫度的峰值點出現在發射極的邊緣,另外在基極附近以及發射極和集電極之間的區域內也有較多熱量產生。圖2 從集電極注入時器件內溫度分布圖3 從集電極注入時器件燒毀和失效時間與電壓幅度、頻率的
艦船電子工程 2017年2期2017-03-03
- 上海研達調頻發射機故障簡析
導通直至TR-2基極為高電平。則TR-2集電極為低電平。直至1/4C1-2的同相輸入端5腳，那么輸出端2腳也為低電平。至TR-1的基極為低電平，TR-1集電極也為低電平。直至柵壓增益，增益不夠使功率降為半功率狀態。1.2 末級故障報警末級功放（600 W功放）出現故障時，D24變為紅燈，整機降為半功率。圖1中的電路流程原理為：高電平由“末級報警PA”處進入，經過L10和R47至1/4C1-4的第8和第9腳，同時輸入高電平。由于是或非門電路，所以它的輸出10
無線互聯科技 2016年21期2016-12-10
- 警報！有人“搬”書
為例，我們定義從基極B到發射極E的電流叫做基極電流Ib；把從集電極C到發射極E的電流叫做集電極電流Ic。這兩個電流的方向全部都是從發射極流出的。不要小看三極管的放大作用。集電極電流會受基極電流的控制，基極電流很小的變化，會引起集電極電流發生很大的變化，且變化還滿足一定的比例關系：集電極電流的變化量是基極電流變化量的β倍，即電流變化被放大了β倍，所以我們把β叫做三極管的放大倍數（β一般遠大于1，例如幾十、幾百）。如果我們將一個變化很小的信號加到基極跟發射極之
科學Fans 2016年6期2016-07-25
- PT對稱晶格勢中的光孤子傳輸特性的研究
T對稱晶格勢中的基極和二級光孤子。研究表明，兩種孤子功率都隨著傳播常數的增加而增大，隨著調制深度的增加而減小。二極孤子內部的排斥力作用導致光束在PT勢中分裂成四極孤子。而對于PT 晶格勢，當實部的晶格調制系數V0增大時，PT勢的相對強度的帶隙結構發生變化，PT強度呈波浪式增大，而孤子在低能量區域是穩定的，高能量區域不穩定。改進的平方算符法；分步傅里葉算法；多極光孤子；PT對稱勢孤子又是一種特殊的超短脈沖，孤立波是一種在傳播過程中保持形狀、速度、幅度不變的脈
湖北科技學院學報 2016年12期2016-03-04
- 一種低溫度系數帶隙基準源設計
）采用兩個三級管基極－發射極串聯的帶隙基準可以降低運放失調電壓的影響，但是在CMOS工藝中，三級管的正向電流放大倍數β很小，導致三極管基極電流的分流會對發射極電流產生很大影響，帶隙基準輸出存在較大溫漂。為了解決這個問題，提出了一種帶基極電流補償的低溫度系數帶隙基準源電路。電路設計采用TSMC 0．25μm工藝，經過spectre仿真驗證，進行－55℃－125℃的溫區掃描，基準隨溫度變化范圍為1．85mV，相應的溫漂系數為8．44ppm／℃，加入基極電流補償
微處理機 2015年4期2015-12-16
- 淺談晶體三極管開關速度的提高*
制型開關器件，當基極有驅動電流時晶體管工作在飽和狀態等效于開關的導通，當基極沒有驅動電流時晶體管工作在截止狀態等效于開關的關斷。1 晶體三極管的開關過程假設晶體三極管是一個理想的開關元件，其飽和狀態等效開關的閉合，截止狀態等效開關的斷開，開關是閉合還是斷開主要取決于晶體三極管發射結的偏置情況。當發射結正向偏置時，晶體三極管工作在飽和狀態，等效開關閉合;當發射結反向偏置時，晶體三極管工作在截止狀態，等效開關斷開。實際問題中，晶體三極管并非理想的開關元件，它從
河南工學院學報 2015年2期2015-06-23
- RCC電路間歇振蕩分析與改進研究*
入電路主管Tr1基極。當達到并超過 Tr1的閾值電壓時，Tr1開始導通，這里的電流 ig稱為起動電流，電阻 Rg稱為起動電阻。1.1.2 開關管Tr1處于ON狀態當Tr1處于ON狀態時，Vce非常小，可忽略不計。由圖1可知Vb與主管導通的極性一致，所以主管 Tr1在Vb的作用下維持導通狀態。令主管Tr1基極與發射極之間的壓降為Vbe1，二極管 D2的正向壓降是 Vf2。初級繞組 Np的壓降為 Vin，繞組 Nb的分壓 Vb如式(1)，基極電流 Ib如式(2
電子技術應用 2015年3期2015-02-23
- 高頻功率放大器調制特性分析
了分析。結果表明基極調制比集電極調制所需的調制功率更小，與理論分析一致；與傳統實驗相比，仿真分析結果形象直觀，容易理解，仿真實驗更能激發學生的積極性和主動性。高頻功率放大器；調制特性；Multisim；仿真實驗0 引言高頻功率放大器是通信系統發送設備的重要組成部分[1?2]。它的主要功能是可以提供足夠大的高頻輸出功率，以便將信號通過天線輻射出去。高頻功率放大器的另外一個作用是可以構成高電平調幅電路，利用調制信號控制放大器的輸出，這樣既可以實現調幅，又能夠兼
現代電子技術 2015年3期2015-02-21
- 三極管共基極放大電路分析
張坦通三極管共基極放大電路分析河南牧業經濟學院信息與電子工程系 張坦通目前大部分教材在講解三極管放大電路過程中，對共基極放大電路的分析不是太全面，甚至忽略不講，因此，本文主要對共基極放大電路進行了討論，并分析了共基極放大電路的性能指標，最后，總結了共基極放大電路的特點及其應用。共基極放大電路；靜態工作點；穩定性；性能指標0 引言目前大部分教材都把基本放大電路作為基本內容，基本放大電路分為共發射極放大電路、共集電極放大電路和共基極放大電路三種形式，其中以共
電子世界 2015年24期2015-01-16
- 一種多路輸出兼做輔助電源的穩壓電源設計
電流供給調整管的基極，而比較放大電路供不出所需要的大電流，另一方面，調整管需要有較高的電流放大倍數，才能有效地提高穩壓性能[2]，但是大功率管一般電流放大倍數都不高。解決這些矛盾的辦法，除了使用復合管，還通過給原有的調整管再配上一個輔助電源，增加其抗干擾能力，并提高基準電壓穩定性。串聯反饋型穩壓電路實際上是一個閉環反饋，具有執行元件和反饋支路，包括取樣電路、基準電壓源、誤差比較放大器及調整管單元電路[3]。取樣電路取到電壓值后與基準電壓比較，比較后的誤差信
電子設計工程 2014年9期2014-03-16
- XJJ-1型心臟除顫儀放電故障維修實例
24V。再檢測其基極電壓，在按下和不按下除顫按鈕時，基極電壓無變化。說明功放管2BG9前級沒有送來觸發信號，順觸發信號走向檢測2BG7、2BG5、2BG4各極電壓，發現均無變化。說明除顫控制信號根本沒有送到2BG4來。在不按除顫動鈕時，2BG4基極的電壓應為其基極所接的穩壓二極管2BG11(2CW12)上的電壓，在按下除顫按鈕時，該電壓通過電阻器2R16接地。按下除顫鈕后，除顫控制信號送不到2BG4基極來，2BG4基極對地形不成回路，也就放不了電。根據以上
醫療裝備 2014年7期2014-03-10
- 基極注入強電磁脈沖對雙極晶體管的損傷效應和機理*
極接法中,信號從基極輸入,從集電極輸出.因此,強電磁脈沖(EMP)最有可能從基極和集電極耦合進入電路,對其造成干擾或破壞.針對EMP從集電極注入的情況,國內外已有不少相關研究[1-11],而針對EMP從基極注入的情況報道卻較少[12,13].文獻[12]借助二維數值仿真研究了EMP分別從集電極、發射極和基極注入時晶體管的瞬態響應,通過分析BJT內部溫度分布得到了基極注入最難燒毀的結論,但是并未計算出基極注入時的燒毀時間和損傷能量,因此該結論的正確性有待進一
物理學報 2013年6期2013-09-25
- 柵控橫向PNP雙極晶體管電離輻射效應
會導致雙極晶體管基極電流增加和電流增益減小。由于雙極器件和電路中存在低劑量率輻照損傷增強效應，使其在衛星和航天器上的應用受到了限制[1]。自低劑量率輻照損傷增強效應(ELDRS)發現以來，國內外開展了大量工作，研究雙極器件的低劑量率輻照損傷增強效應及其失效機理，但是多數都是對試驗現象的定性分析，對感生電荷的定量分離一直是研究的難題[2-5]。自1993年Koiser及其同事利用柵控二極管研究輻照感生電荷[6]，到1999年Barnaby提出柵控雙極晶體管的
核技術 2012年11期2012-09-23
- 半導體三極管的識別和檢測
發射極（e極）、基極（b極）和集電極（c極）。發射區和基區在交界處形成發射結；基區和集電區在交界處形成集電結。根據半導體各區的類型不同，三極管可分為NPN型和PNP型兩大類，如圖1（a）、（b）所示。圖1 三極管的結構符號及等效電路2.三極管的電流放大作用三極管最基本的作用是電流放大作用，它可以把微弱的電信號變成一定強度的信號。三極管有一個重要參數就是電流放大系數β，即當三極管的基極上加一個微小的電流時，在集電極上可以得到一個是注入電流β倍的電流，即集電極
職業技術 2011年12期2011-10-30
- 一種2.4GHz全集成SiGe BiCMOS功率放大器
和Cf串接Q1的基極與集電極之間形成反饋環路進一步減小低頻增益，提高 PA的穩定性。傳統單片集成 PA采用片外電感和電容作為輸出匹配元件和集電極扼流圈以減小損耗[5,6]，但片外元件使面積和成本顯著增加。工藝所提供的片上螺旋電感在2.4 GHz工作頻率Q值超過12，且直流阻抗較低。本設計中采用片上螺旋電感和MIM電容，以實現全集成的PA。3 SiGe BiCMOS PA自適應偏置電路設計目前已有多種 PA線性化技術報道，比較常見的有包絡恢復和消除技術、包絡
電子與信息學報 2011年12期2011-09-19
- SiGe HBT射頻噪聲模型研究
iGe HBT的基極電流和集電極電流噪聲的模型有van Vliet模型[1]和transport模型[2]。它們都建立在對基極少數載流子的輸入非準靜態效應進行建模的基礎之上，而對現代的雙極型晶體管而言，載流子在基極和集電極的空間電荷區傳輸延遲可比基極渡越時間，甚至要大于后者。因此為了更精確的模擬晶體管的高頻噪聲特性，需要在晶體管高頻噪聲模型中加入基極集電極空間電荷區傳輸延遲效應。1 擴展的van Vliet模型和transport模型根據基本的器件物理，當
通信技術 2011年10期2011-08-11
- 簡易測謊器的制作
管中集電極電流隨基極電流的變化而變化，我們這里采用的晶體管的電流放大系數為120-240。根據我們學到的晶體管知識，我們知道，發射極電流值，應該為基極電流和集電極電流之和。所以，晶體管基本工作為以下3點：1）若基極電流變化，集電極電流也相應發生變化；2）基極電流比集電極電流小得多；3）基極電流+集電極電流=發射極電流。3.2 將阻值變化轉換為電流變化我們看到，圖1中基極什么也沒連接，所以集電極中無電流流動，若將兩個測試端子的兩端短路，通過R1有一定電流（稱
科技傳播 2011年13期2011-04-14
- 基于ATLAS新型硅磁敏三極管特性仿真研究
向電場的作用，與基極注入的空穴復合，即形成基極電流Ib。當B＞0T時，如圖2（b）所示，e－i－b作為n＋－i－p＋型長基區硅磁敏二極管，在外加磁場且B＞0T時，發射極注入的電子和基極注入的空穴受到洛侖茲力的作用，載流子向發射極e一側偏轉，大部分在基區復合掉，使載流子有效壽命減小，致使有效擴散長度減小，基區內壓降增大，n＋－i和p＋－i結壓降減小，使載流子輸運到集電結的數量減小。故集電極電流Ic減小。當B＜0T時，如圖2（c），e－i－b作為n＋－i－p＋
黑龍江大學工程學報 2011年4期2011-03-19
- 接口電路中的抗干擾技術
由兩個電阻組成(基極泄漏電阻和將VA與基極連接的限流電阻)[1].按常規，為防止印制板上通過寄生電容耦合到晶體管基極的微秒級以下的干擾，泄漏電阻接≤0.1μF的旁路電容[2].近年來隨著星上總體測試新需求的提出，抗干擾能力的要求也不斷提高，提出克服毫秒級的脈寬干擾信號的要求，常規的接口電路不再適用.本文設計了如圖1所示的接口電路(其中Q1是繼電器驅動電路中被驅動的晶體管，Rbe是泄漏電阻)試圖滿足這種需求.圖1(a)不限制驅動基極的電流脈寬，即驅動電流與V
空間控制技術與應用 2010年4期2010-12-11
- 自激多諧振蕩器的電路仿真與應用
三極管 BG1的基極耦合的一側產生“負跳脈沖”，促使三極管BG1迅速截止。電路由此進入了自激振蕩的過程，兩個暫態交替進行。正是由于相同類型的器件上微小的不同，使得“對稱”的電路開始“振蕩”。1）暫態一：三極管BG2飽和導通，電容器C2開始放電（反向充電），三極管BG1截止，電容器C1開始充電?，F象為LED2發光，LED1熄滅。前一時刻，C1放電完成，放電結果使得C1與BG2基極耦合的極板電位提升至0.7V，導致BG2由截止狀態轉向飽和導通狀態，BG2的飽和
山東電力高等?？茖W校學報 2010年1期2010-07-23
- 數字衛星接收機開關電源的檢修方法與實例
04加到Q101基極,提供啟動工作電壓,于是Q101導通,流經T102初級繞組①--②產生感應電勢,在磁耦合作用下,反饋繞組③--④產生一個③正④負的脈沖電壓,③腳的正脈沖通過D104、C107、R104加到Q101基極,使Q101基極電壓進一步增大,開關管Q101進入飽和導通。在此期間,C107被充電,電容兩端右正左負,Q101基極電位不斷降低,迫使Q101截止,此時C107通過Q102的c--e結與T102的③--④繞組放電,這樣周而復始地不斷進行,完
衛星電視與寬帶多媒體 2009年17期2009-10-13
- 欠壓／過壓鎖定
Z1注電到Q1之基極，這樣使Q1導通、因而拉下該Gate In/PC引腳及把模塊停止下來。Q1保持導通直至該輸入電壓，經過R3及R4分壓后，達到1.24V，此1.24V為U1(TLV431)之參考電壓。當這情況發生時，U1從Z1之陰極分流電流并把該點拉到約1V；這就相應拉低Q1之基極強使它截止并啟動模塊。R2防止Z1之漏電流作用而把Q1拉出截止區。當該Gate In/PC引腳走向高電壓時，反饋電阻(R5)拉高U1的參考電壓，因而在該電路上加進磁滯效應。當G
電子產品世界 2009年8期2009-09-05
- 快樂ＨＣ２０６１ＡＲ（ＩＩＩ）彩電黑屏故障檢修
，測量三個視放管基極和發射極電壓均為7.6V左右，反偏截止；將顯像管加速極電壓調高后，出現純凈的白光柵，但有回掃線，說明顯像管供給中、高電壓正常，判斷故障在解碼和亮度電路。該機為東芝TA二片機（TA7680AP和TA7698AP），微處理器為TMP47C433AN。查掃描、解碼電路TA7698AP的腳12V供給電壓正常（見附圖），亮度控制端腳電壓為4V左右，且隨亮度調整上下變化， TA7698AP內部亮度電路輸出端23腳電壓為8V，隨亮度調整也有相應變化，
電子世界 2004年1期2004-03-14