美光科技第三代低延時內存

美光科技（Micron Technology,Inc）推出了第三代低延時DRAM（RLDRAM 3內存)——一種高帶寬內存技術，能更有效的傳輸網絡信息。視頻內容、移動應用和云計算的蓬勃發展，對網絡基礎設施提出了更高效的要求，以便在線傳輸大量數據。與前幾代產品相比，美光新的RLDRAM 3內存進一步提高了存儲密度和速度，同時最大限度地減少了延遲，降低了功耗，在網絡應用中性能更好。

美光的DRAM營銷副總裁Robert Feurle說："隨著互聯網內容消費的不斷增長，人們日益需要有一種能支持網絡流量增長的技術，美光的RLDRAM 3內存滿足了這種需求"。

對于現有的RLDRAM 2，美光將繼續提供最高水平的技術支持，并計劃長期生產該產品。此外，美光正將其RLDRAM 2產品組合轉入更先進的50 nm工藝，提高系統性能，降低功耗。

美光新的RLDRAM 3內存的主要特點及優點有：低延時：tRC不足10 ns，是業界最低的隨機存取延時；高密度：576 Mb～1Gb，靈活性高，可用于多種設計；高速率：達2133 Mb/s，數據存取速度更快；高能效：1.2 V IO和1.35 V內核電壓，更省電。

美光維持著龐大的合作伙伴網絡，使其RLDRAM存儲解決方案能更方便地與網絡設備集成。美光與其合作伙伴展開了廣泛合作，為客戶提供量身定制的解決方案，優化網絡系統性能。作為這個價值生態系統的一部分，美光目前合作的領先FPGA公司有Altera Corporation和Xilinx，RLDRAM 3內存可集成到其產品系列中。

美光預計將在2011年上半年開始對其RLDRAM 3進行抽樣，目前正與客戶合作，征求其對RLDRAM 3內存設計的意見。此外，美光預計將在2010年第四季度開始對其50nm RLDRAM 2產品進行抽樣。