美光與領先芯片組和定制ASIC設計公司合作開發高帶寬、低延時網絡解決方案
2010年7月14日,美光科技(Micron Technology,Inc)推出了第三代低延時DRAM(RLDRAM?3內存)——一種高帶寬內存技術,能更有效地傳輸網絡信息,滿足視頻內容、移動應用和云計算蓬勃發展的需要。與前幾代產品相比,美光新的RLDRAM 3內存進一步提高了存儲密度和速度,同時最大限度地減少了延遲,降低了功耗,在網絡應用中性能更好。
對于現有的RLDRAM 2,美光將繼續提供最高水平的技術支持,并計劃長期生產該產品。此外,美光正將其RLDRAM 2產品組合轉入更先進的50 nm工藝,提高系統性能,降低功耗。
RLDRAM 3內存產品的特點:(1)低延時:tRC不足10 ns,是業界最低的隨機存取延時;(2)高密度:576 MB~1 GB,靈活性高,可用于多種設計;(3)高速率:達2 133 Mb/s,數據存取速度更快;(4)高能效:1.2 V IO和1.35 V內核電壓,更省電。
美光維持著龐大的合作伙伴網絡,使其RLDRAM存儲解決方案能更方便地與網絡設備集成。美光與其合作伙伴展開了廣泛合作,為客戶提供量身定制的解決方案,優化網絡系統性能。作為這個價值生態系統的一部分,美光目前合作的領先FPGA公司有Altera和Xilinx,RLDRAM 3內存可集成到其產品系列中。
Altera組件產品營銷資深總監Luanne Schirrmeister說:“Altera的28 nm Stratix V FPGA包括新的硬化數據通路,針對美光內存設有高性能、低延遲接口。RLDRAM 3內存的發布讓我們的內存帶寬可高達1 600 Mb/s,為行業內最高速度,大幅降低了延時。美光新的存儲產品搭配Altera新的內存接口架構是一項重要技術成果,是我們與美光多年技術合作的一項巔峰之作?!?/p>
Xilinx應用和技術營銷資深總監Rina Raman說:“Xilinx 7系列FPGA應用于最高級的網絡設備,用于滿足全世界對帶寬無止盡的需求。我們與美光合作,支持其新的RLDRAM 3技術,讓我們的客戶能夠開發網絡平臺,來滿足最嚴格的基礎設施需求?!?/p>
美光預計將從2011年上半年開始對其RLDRAM 3進行抽樣,目前正與客戶合作,征求其對RLDRAM 3內存設計的意見。此外,美光預計將在2010年第四季度開始對其50 nm RLDRAM 2產品進行抽樣。
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