英飛凌推出采用創新芯片嵌入式封裝技術的新一代DrMOS器件DrBlade

英飛凌推出采用創新芯片嵌入式封裝技術的新一代DrMOS器件DrBlade

近日在2013應用電力電子會議暨展覽會（APEC）中宣布推出DrBlade：全球第一款采用創新芯片嵌入式封裝技術的集成式器件，它集成了DC/DC驅動器及MOSFET VR功率級。DrBlade包含最新一代低壓DC/DC驅動器技術及OptiMOS MOSFET器件。該MOSFET技術擁有最低的單位面積導通阻抗及針對應用優化的品質因數，能達到最高的DC/DC調壓系統效率，適用于計算及電信應用，包括刀片服務器和機架服務器、PC主板、筆記本電腦和游戲機等。

全新Blade封裝技術

英飛凌創新的Blade封裝技術，采用芯片嵌入概念，使用電鍍制程取代標準的封裝制程，例如邦線、夾焊以及常見的模制技術。此外，芯片也以疊層薄片進行保護。其結果是大幅縮小封裝體積、降低封裝電阻及電感，同時還降低熱阻。

節省空間，提高效率

DrBlade封裝面積為5×5 mm，高度僅為0.5 mm，可滿足計算系統對于更高功率密度及節省空間的需求。DrBlade擁有優化的引腳規劃，可簡化PCB布局。采用全新的芯片嵌入式封裝技術，再結合英飛凌的OptiMOS MOSFET，這使DrBlade成為低壓市場的最佳穩壓解決方案。

咨詢編號：2013071007