am s在光電子領域推出Mor e Th an Silic on計劃

高性能模擬IC和傳感器供應商ams晶圓代工業務部宣布拓展其0.35μm CMOS光電子IC晶圓制造平臺，幫助芯片設計者實現更高靈敏度、精確度以及更好的光濾波器性能。

該平臺是ams“More than Sil icon”計劃中的另一項拓展，通過該平臺ams可以提供一系列技術模塊、知識產權、元件庫、工程咨詢及服務，利用其專業技術幫助客戶順利開發先進的模擬和混合信號電路。

ams專有的光電子晶圓代工平臺基于先進的0.35μm CMOS光電制程，在前端（器件層面）、后端（晶圓制造后期處理步驟）以及封裝和裝配層面都進行了技術提升和開發。

在器件層面，ams現為晶圓代工客戶提供在自定義波長內（從藍光到近紅外光）可實現最優化光譜響應和最小化暗電流率的PN二極管，以及結合了超低電容值和高量子效率的PIN二極管。

在晶圓加工過程的后端，光電子器件的性能可以通過應用各種CMOS晶圓頂部涂層得到進一步提升。ams推出了抗反射涂層（ARC）以及干涉濾波器：以多種高透明度的氧化物堆棧形式實現，可以實現高精度的邊緣和帶通濾波器（如阻隔IR和UV），以及準確反射率的反光鏡或分束鏡?？蛻艨稍谝粋€較寬的范圍內自定義波長、斜率等濾波性能。此外，通過針對特定波長優化處理后的粘合顏色層（紅、綠、藍），可以幫助感光器件實現性能優化。

低引腳數IC現采用高性價比、透明的塑料封裝（以基板或者引腳框架為基礎）。運用ams專利硅穿孔（TSV）技術的先進3D-WLCSP封裝在透射率、濕度敏感水平、溫度范圍以及高引腳數量方面都實現了優化，全面提升ams光電子平臺封裝水平。

ams多樣的光電子設器件種類及后端制程可讓模擬/混合信號設計者實現其集成電路在波長、量子效率、響應率、暗電流以及器件反應時間等重要指標上的優化。

ams晶圓代工業務部總經理Mar kus Wuchse表示：“所有二極管的信息，包括布局發生器（Pcel l s）、高精度仿真模型、設計規格以及制程工藝參數，都可在ams基準制程設計套件中獲得。ams晶圓代工團隊十分期望與先進光電系統開發者進行合作。我們一流的設計環境以及專業的咨詢服務可讓合作伙伴將開發風險和難度降到最低，使他們獲得高性能的光電子解決方案，并更快地將產品推向市場?！?/p>