?

五基色LED照明光源技術進展

2017-03-09 07:49劉軍林莫春蘭張建立王光緒徐龍權李樹強王小蘭吳小明全知覺鄭暢達江風益
照明工程學報 2017年1期
關鍵詞:黃光電光熒光粉

劉軍林,莫春蘭,張建立,王光緒,徐龍權,丁 杰,李樹強,王小蘭,吳小明,潘 拴,方 芳,全知覺,鄭暢達,郭 醒,陳 芳,江風益

(1.南昌大學國家硅基LED工程技術研究中心,江西南昌 330047;2. 南昌黃綠照明有限公司,江西南昌 330047)

五基色LED照明光源技術進展

劉軍林1,2,莫春蘭1,2,張建立1,2,王光緒1,2,徐龍權1,2,丁 杰1,2,李樹強1,2,王小蘭1,2,吳小明1,2,潘 拴1,2,方 芳1,2,全知覺1,2,鄭暢達1,2,郭 醒1,2,陳 芳1,2,江風益1

(1.南昌大學國家硅基LED工程技術研究中心,江西南昌 330047;2. 南昌黃綠照明有限公司,江西南昌 330047)

現有的白光LED是通過藍光LED激發黃色熒光粉獲得的,雖然其光電轉換效率已遠超白熾燈和日光燈,但其顯色指數、色溫和光效之間難以協調發展。采用多色高效率LED(紅、黃、綠、青、藍光)可合成低色溫、高顯色指數、高光效、對人眼安全與舒適的全光譜無熒光粉白光光源,是下一代高品質光源。其難點在于獲得高光效黃光LED。目前我們在黃光LED光效提升方面取得重大突破,獲得了電光轉換功率效率高達21.5%的硅襯底InGaN基黃光LED(565nm,20A/cm2),對應130 lm/W,遠好于文獻報道和可查詢到的最高水平?;诩t、黃、綠、青、藍五色LED芯片合成的白光燈珠,顯色指數94.8,色溫3 263K,光效100.5 lm/W,達到了實用化水平。無熒光粉五基色LED照明技術省去了稀土這一稀缺資源,具有現實價值和戰略意義,同時在可見光通信、情景照明、智能照明方面有優勢。

五基色;高品質;LED照明;黃光LED

引言

1962年,美國通用電氣公司(GE)的Holonyak發明了世界上第一支實用化的磷砷化鎵(GaAsP)紅光LED[1],之后基于砷化鎵和磷化鎵材料體系的橙光、黃光LED相繼出現,在顯示方面得到了廣泛應用。20世紀90年代,高光效GaN基藍光LED技術取得突破[2-5],同時基于藍光LED激發黃色熒光粉的白光技術問世,促使LED逐漸被應用于通用照明、顯示、顯像、背光、投影、農業、醫療等多種領域,深入到人類生活的各個角落,產生了巨大的經濟和社會效益。

目前國際上藍光LED主要有三條技術路線,分別是藍寶石襯底、碳化硅襯底以及硅襯底GaN基LED技術路線。藍寶石襯底GaN基LED技術起步最早,相關技術及產業鏈最成熟,是目前市場上的主流技術路線,主要貢獻者赤崎勇、天野浩和中村修二因此獲得2014年度諾貝爾物理學獎。碳化硅襯底GaN基LED技術因襯底價格昂貴而被稱為“貴族技術路線”,主要貢獻者Carter獲得2003年度美國總統技術獎。第三條技術路線硅襯底GaN基LED技術是我國發展起來的,獲2015年度中國國家技術發明一等獎。

近十年來,隨著藍光LED光效的迅速提升,LED市場規模高速增長。2016年我國LED上中下游產值達到5 216億元[6]。

現有的白光LED是通過藍光LED激發黃色熒光粉獲得的,雖然其光電轉換效率已遠超白熾燈和日光燈,但其顯色指數、色溫和光效之間難以協調發展,光效高的時候其色溫高、顯色指數較低,色溫低、顯色指數高的時候光效明顯下降,且因白光中短波長藍光占比過多,容易引起視覺疲勞。因此有必要發展一種光效和光品質協調發展的新技術,即顯色指數、色溫和光效之間能同步協調發展,且藍光占比合理,人眼視覺舒適。

1 高品質LED照明技術路線

高品質LED照明應具備低色溫、高顯色指數、高光效、對人眼安全與舒適等特點。從技術上講,實現高品質LED照明主要有兩種途徑,途徑一是采用多色高效率LED(如紅、黃、綠、青、藍光)合成全光譜白光,途徑二是采用藍光LED激發多色熒光粉(如紅粉、黃粉、綠粉、青粉等)獲得白光。

途徑一從物理本質上講是最適合的方法,是下一代半導體照明技術。首先沒有LED激發熒光粉帶來的能量損失,其次通過多色LED的單獨控制可以在較大范圍內調節光譜,為可見光通信、智慧照明、情景照明等提供靈活可調的光源。在可見光LED七彩色范圍內,黃光LED的電光轉換功率效率長期低于10%,而其他顏色的LED均高于此值,這種“黃光鴻溝”問題是LED鼻祖Holonyak教授5年前所說“LED技術仍處于嬰兒期”的主要原因,也成為獲得高品質五基色LED照明光源的瓶頸。圖1給出了2015年之前國際上一流水平的五種單色光LED電光轉換功率效率(英文縮寫為WPE)。

圖1 2015年前,國際上五種單色LED電光轉換功率效率水平Fig.1 Wall plug efficiency of the top level five monochrome LEDs before 2015

雖然2015年前黃光光效低,但其發展歷史卻已很長。早在1965年,美國Bell實驗室的D.G.Thomas 就在摻N的GaP中觀察到黃光光致發光現象[7]。1971年,美國Monsanto公司M. G. Craford在GaAs襯底上制備了第一支GaAsP基pn結黃光LED,電光轉換功率效率只有0.01%左右[8]。1990年,美國HP公司采用MOCVD技術在GaAs襯底上生長了AlGaInP四元系黃光LED,電光轉換功率效率約0.5%(波長574 nm,電流密度30A/cm2)[9]。1994年,美國HP公司在原外延材料的基礎上,去掉吸光的GaAs襯底,將發光材料轉移到GaP基板上,使黃光發光效率在原來基礎上提升至1.3%(波長571 nm,電流密度44A/cm2)[10]。2008年,美國UCSB的中村修二課題組在半極性面GaN體單晶襯底上生長了InGaN單量子阱黃光LED,電光轉換功率效率達到5.5%(波長562 nm,電流密度7A/cm2)[11],使GaN基黃光效率超過GaP基黃光。2013年,日本東芝公司在藍寶石襯底上生長了多量子阱結構InGaN黃光LED,電光轉換功率效率達到9.63%(波長569 nm,電流密度9.5A/cm2)[12]。2013年,南昌大學國家硅基LED工程技術研究中心(以下簡稱為“本單位”)開始研究硅襯底InGaN黃光LED[13],截至2016年底,電光轉換功率效率達到21.5%(波長565 nm,電流密度20A/cm2),對應130 lm/W,為五基色LED照明提供了重要支撐。圖2為黃光LED功率效率發展歷程。

圖2 黃光LED功率效率發展歷程Fig.2 The development progress of wall-plug efficiency of yellow LEDs

通過理論計算,當藍光(455 nm)、青光(490 nm)、綠光(520 nm)、黃光(570 nm)和紅光(625 nm)的電光轉換功率效率分別達到70%、55%、45%、25%、55%時,可以混合獲得色溫3 000K,顯色指數97.8,光效高達136lm/W的高品質五基色LED白光光源,此時藍光占比僅8.76%,圖3給出了其光譜圖。

圖3 五基色LED合成白光光譜圖Fig.3 Spectra of white light combined by five monochrome LEDs

途徑二是對現有藍光LED激發黃色熒光粉技術的升級與提升。通過理論計算,采用電光轉換功率效率70%的藍光(455 nm)激發量子效率90%的綠色熒光粉和量子效率70%的紅色熒光粉,也可獲得色溫5 000K,顯色指數97.5,光效115lm/W的高品質白光光源,此時藍光占比為13.7%,光譜如圖4所示。

圖4 藍光LED激發綠色和紅色熒光粉獲得的白光光譜Fig.4 White light spectra of converting blue LEDs by green and red phosphor

2 五基色LED照明技術最新進展

圍繞“黃光鴻溝”問題,本單位近3年來開展了系統研究,獲得了電光轉換功率效率顯著高于國外公開報道最高水平的黃光和綠光LED,如圖5所示。圖5是本單位研發的硅襯底綠光及黃光LED電光轉換功率效率(20A/cm2電流密度下)與國外公開報道最高水平的對比,本單位565 nm黃光功率效率達到21.5%,圖5中方框代表2013年日本東芝公司報道的在藍寶石襯底上生長的多量子阱結構InGaN黃光LED,電光轉換功率效率為9.63%(波長569 nm,電流密度9.5A/cm2),圖5中圓圈代表2014年德國Osram公司報道的藍寶石襯底InGaN基綠光LED,功率效率為25.8%(波長530 nm,電流密度35A/cm2)。

圖5 本單位研發的硅襯底高光效綠光和黃光LED電光轉換功率效率Fig.5 The wall-plug efficiency of InGaN green and yellow LED on silicon substrate by our team

基于本單位研發的高光效硅襯底藍光(455 nm)、青光(490 nm)、綠光(530 nm)、黃光(570 nm)LED,以及外購高光效紅光(629 nm)LED,我們研發了高品質五基色LED白光燈珠,顯色指數94.8,色溫3 263 K,光效100.5 lm/W,達到了實用化水平,圖6給出了其光譜圖。

圖6 實驗獲得的五基色LED白光(無熒光粉)光譜圖Fig.6 Experimentally obtained spectra of white light combined by five monochrome LEDs

3 展望

隨著紅、黃、綠、青和藍光LED,尤其是黃光LED光效的不斷提升,五基色白光LED照明技術將在光效和光品質方面同時獲得提升,成為理想的照明光源。這項技術不僅省去了稀土這一稀缺資源,還使白光LED成為真正的半導體器件,具備了壽命和可靠性方面的優勢,具有現實價值和戰略意義。

五基色白光LED照明技術和采有藍光激發黃色熒光粉產生白光的技術相比,避免了熒光響應延遲問題,并具有五個單獨的通信通道,因此在滿足照明的同時,在可見光通信方面具有更高的通信速率。而光譜靈活可調的特性使其在情景照明、智能照明方面具有明顯優勢。

[1] HOLONYAK N,BEVACQUA S F. Coherent (visible) light emission from Ga(As1-xPx) junction [J]. Applied Physics Letters, 1962, 1(4): 82-83.

[2] AMANO H, SAWAKI N, AKASAKI I, et al. Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer[J]. Applied Physics Letters, 1986, 48(5): 353-355.

[3] AMANO H, KITO M, HIRAMATSU K, et al. P-type conduction in Mg-doped GaN treated with low-energy electron beam irradiation (LEEBI)[J]. Japanese Journal of Applied Physics, 1989, 28(12A): L2112.

[4] NAKAMURA S. GaN growth using GaN buffer layer[J]. Japanese Journal of Applied Physics, 1991, 30(10A): L1705

[5] NAKAMURA S, IWASA N, SENOH M, et al. Hole compensation mechanism of p-type GaN films[J]. Japanese Journal of Applied Physics, 1992, 31(5R): 1258.

[6] 國家半導體照明工程研發及產業聯盟產業研究院. 2016年中國半導體照明產業發展白皮書.2016.

[7] THOMAS D G. Isoelectronic Traps Due to Nitrogen in Gallium Phosphide [J]. Physical review,1966,150(2):680-689.

[8] GROVES W O,HERZOG A H,CRAFORD M G. Effect of nitrogen doping on GaAs1-xPxelectroluminescent diodes [J]. Applied Physics Letters,1971,19(6):184-186.

[9] KUO C P,FLETCHER R M,OSENTOWSKI T D, et al. High performance AlGaInP visible lightemitting diodes [J]. Applied Physics Letters,1990,57(27):2937-2939.

[10] KISH F A,STERANKA F M,DEFEVERE D C, et al. Very high-efficiency semiconductor wafer-bonded transparent-substrate (AlxGa1-x)0.5In0.5P/GaP light-emitting diodes [J]. Applied Physics Letters,1994,64(21):2839-2841.

[11] SATO H,CHUNG R B,HIRASAWA H,et al. Optical properties of yellow light-emitting diodes grown on semipolar (112-2) bulk GaN substrates [J]. Applied Physics Letters,2008,92(22):221110.

[12] SAITO S,HASHIMOTO R,HWANG J,et al. InGaN Light-Emitting Diodes on c-Face Sapphire Substrates in Green Gap Spectral Range [J]. Applied Physics Express,2013,6 (11):1004.

[13] ZHANG Jianli,XIONG Chuanbing,LIU Junlin,et al. High brightness InGaN-based yellow light-emitting diodes with strain modulation layers grown on Si substrate [J]. Appllied Physics A,2014,114:1049-1053.

Progress of Five Primary Colours LED Lighting Source Technology

LIU Junlin1,2,MO Chunlan1,2,ZHANG Jianli1,2,WANG Guangxu1,2,XU Longquan1,2,DING Jie1,2,LI Shuqiang1,2,WANG Xiaolan1,2,WU Xiaoming1,2,PAN Shuan1,2,FANG Fang1,2,QUAN Zhijue1,2,ZHENG Changda1,2,GUO Xing1,2,CHEN Fang1,2,JIANG Fengyi1

(1.NationalInstituteofofLEDonSiSubstrate,NanchangUniversity,Nanchang330047,China2.NanchangYellowandGreenLightingCo.Ltd.,Nanchang330047,China)

The current LED white lighting is based on phosphor conversion of blue LEDs, although the efficiency is much higher than that of incandescent and fluorescent lamps, the main weak point is the difficulty of attaining the balance among color rendering index (CRI), color temperature (Tc) and light efficiency, and too much blue light may easily cause visual fatigue. Mixing multi-colors (Red/yellow/green/cyan/blue) LEDs to form white light can provides us a healthy, comfortable and phosphor-free light source with lowTc, high CRI and high efficiency, which is a high quality light source for next generation. To realize it, the key point is to make yellow LEDs efficient. Recently, we make a significant breakthrough on improving the efficiency of the yellow LEDs, efficient InGaN based yellow LEDs with 21.5% wall-plug efficiency (WPE) at 565 nm and 20 A/cm2are realized on silicon substrate, the luminous efficiency is 130 lm/W which is far better than the highest level of the public reporting. By mixing blue, cyan, green, yellow and red LEDs, white LEDs with CRI up to 94.8,Tcof 3 263K and efficacy above 100.5 lm/W were obtained. The performance is comparable with those commercialized white LEDs. The phosphor free five primary colors LED lighting technology can save the rare earth materials. It has important practical value and strategic significance, and it will show its advantages in the fields of light communication, scene lighting and smart lighting.

five primary colors;high quality;LED lighting;yellow LED

國家重點研發計劃(批準號:2016YFB0400600),國家自然科學基金(批準號:61334001)

江風益,E-mail:jiangfy@ncu.edu.cn

TM923

A

10.3969/j.issn.1004-440X.2017.01.001

猜你喜歡
黃光電光熒光粉
Na1–xMxCaEu(WO4)3 (M=Li, K)紅色熒光粉的微觀結構與熱淬滅特性研究
寬帶激發BaBi2(MoO4)4:Eu3+熒光粉的制備與發光性能
A strategy to significantly improve the classification accuracy of LIBS data:application for the determination of heavy metals in Tegillarca granosa
幾種中成藥聯合黃光治療黃褐斑的療效觀察及其對MASI 和DLQI評分的影響
白光LED用鈣鈦礦結構氧化物熒光粉的研究進展
白光LED 用磷酸鹽基熒光粉的研究進展
小月亮
雷雨
材質放大鏡電光閃耀亮片
一閃一閃亮晶晶
91香蕉高清国产线观看免费-97夜夜澡人人爽人人喊a-99久久久无码国产精品9-国产亚洲日韩欧美综合