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L10—FePt單層膜磁性參數Ku的微磁學模擬

2018-10-21 10:49張浩然
科技信息·中旬刊 2018年9期

張浩然

摘要:用微磁學模擬FePt(30 nm)磁晶各向異性Ku的變化分析矯頑力的變化,與曾實驗得到生長溫度為700℃用磁控濺射法在MgO(001)基片上生長FePt薄膜對比,得到磁晶各向異性參數Ku。

關鍵詞:L10-FePt;矯頑力;磁晶各向異性參數Ku;微磁學模擬

FePt[1],CoPt[2]和FePd[3]等有序相(面心四方,L10相)合金材料,在交換耦合納米磁體中,具有高單軸磁晶各向異性(Ku),并且對于高密度數據存儲有潛在的應用。這些合金有大的磁晶各向異性(Ku ~1.77×107-6.70×107 erg/cm3,1erg = 10-7 J),以致于呈現出特殊的性質:即超小納米粒子的阻斷溫度(TB)高于室溫[4]。在這幾種材料中,L10-FePt和L10-FePd合金是化學有序的,并且顯示出高的磁晶各向異性(Ku)和大的矯頑力(HC)。而L10-FePt合金的磁能積(BH)max達到了13 MGOe,成為高密度磁存儲應用的良好候選材料[5]。

1 微磁學仿真方法

微磁學模擬(OOMMF)就基于Gilbert提出了LLG方程為理論依據進行模擬的。模擬樣品的尺寸分別為300 nm×300 nm×(5,30)nm;300 nm×300 nm×(3 nm/27 nm,網格尺寸為5 nm×5 nm×1 nm。硬磁的磁晶各向異性軸和飽和磁化強度的方向都垂直膜面。L10-FePt模擬參數:磁化強度M:ML10-FePt約為105 A/m;交換耦合常數A:AA1-FePt,Aex約為10-11 J/m[6];磁晶各向異性參數Ku:K L10-FePt=1~5×106 J/m3。

3 結果與討論

圖1是FePt(30 nm,Ku)經微磁學模擬不同Ku值的磁滯回線。L10-FePt的易軸為[001]方向,模擬只考慮[001]方向的磁化曲線。Ku = 1.0×106J/m3、1.5×106 J/m3和2.0×106 J/m3時,矯頑力分別為Hc =15.18 kOe、25.51 kOe和35. 84 kOe。磁晶各向異性能Ku的增加,矯頑力增大。實驗得到FePt(001)(30 nm)薄膜在不同溫度進行熱處理后的磁滯回線[7]。熱處理溫度Ta = 500℃,磁化曲線近似呈方形,其主要原因是因為退磁場不一樣造成的。沿面內方向磁化,退磁因子N ≈ 0。而沿垂直方向磁化,N ≈ 1,= -NM。沿面內方向磁化,磁化曲線也有面積,可能原因是薄膜內還存在軟磁相造成的(兩相晶格常數有差異,使得膜內存在畸變)。Ta = 600℃,沿面內方向磁化曲線的面積明顯減少,這就說明殘存的A1相可能已經不多了。雖然垂直方向磁化曲線的矩形度更好,但是矯頑力卻降低了(只有不到1 kOe)。這主要是因為薄膜雖然在一些區域出現了孔洞,但整體是連通的。有序化轉變使得顆粒相互吸收或者合并,形成大片單晶,使得疇壁可以在很大范圍內比較自由地移動,所以盡管L10相更多,但矯頑力反而變小的原因。Ta=700℃[7]薄膜不連續和小片單晶的出現,從而造成矯頑力更?。?.47 kOe),與模擬結果相差較大。生長溫度為700℃用磁控濺射法在MgO(001)基片上生長FePt薄膜。20nm厚的FePt薄膜,矯頑力Hc =30 kOe;當膜厚增加為45nm時,矯頑力Hc = 25 kOe。表明膜厚為30nm時,矯頑力Hc =25~30 kOe[8]。微磁學模擬結果顯示,當Ku = 1.5×106 J/m3時,矯頑力大小在此范圍內。說明FePt(30 nm)薄膜的磁晶各向異性能Ku大約為1.5×106 J/m3。但是,由于薄膜實際的飽和磁化強度比理想的較小,所以Ta = 700℃的FePt(30 nm)薄膜實際磁晶各向異性能較小。

4 結論

生長溫度為700℃用磁控濺射法在MgO(001)基片上生長FePt薄膜。FePt(30 nm)薄膜的磁晶各向異性能Ku大約為1.5×106 J/m3。但是,由于薄膜實際的飽和磁化強度比理想的較小,所以Ta = 700℃的FePt(30 nm)薄膜實際磁晶各向異性能較小。

參考文獻:

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