光學晶體精密加工亞表面損傷缺陷的檢測方法

曹厚華 余 江

（1.電子科技大學廣東電子信息工程研究院，東莞 523808；2.東莞市東電檢測技術有限公司，東莞 523808）

了解亞表面缺陷的形成機理，有助于控制亞表面缺陷的產生。光學材料亞表面缺陷深度與材料的機械特性密切相關。材料去除機理一般可以分為脆性斷裂和塑性形變兩類[1]。通常情況下，脆性斷裂是通過空隙和裂紋形成擴展、剝落及碎裂等而產生。光學晶體進行超精密加工的技術難度系數較大，容易對光學晶體亞表面造成損傷。為保證光學晶體的質量，需要對晶體表面進行缺陷檢查。晶體表面光滑能夠提高光學晶體的質量和可利用率，符合現代電子學、短波和強波光學中的基本應用標準。光學晶體屬于硬脆性材料，只有采用超精密加工方法才能夠打造出超光滑的表面。超精密加工技術不到位，光學晶體的表面就達不到超光滑標準，光學晶體就無法應用于其他器件，不僅降低了其利用率，甚至還會影響其他器件的質量，不利于其他產品的生產和加工，從而影響生產加工的整個過程和成品率[2]。

1 亞表面缺陷對光學元件的影響

亞表面缺陷會造成光路的散射和衍射，導致元件產生Fe、Cu以及Ce等雜質。另外，它還可能改變光學元件材料的折射率、散射特性以及機械強度等。所以，亞表面缺陷是造成元件抗激光損傷能力下降的主要原因之一。元件損傷方面主要包括誘導激光損傷和高功率激光的輻照損傷等。

2 光學晶體精密加工亞表面損傷的表現形式

光學晶體精密加工過程主要包括磨削、研磨和拋光3個階段。每個加工階段加工產生的亞表面損傷存在著較大區別。在傳統光學晶體精密加工過程中產生的亞表面損傷，可以按照加工過程和損傷情況分為磨削殘留痕跡、研磨缺陷、研磨麻點以及裂紋4個類別。第一，磨削殘留痕跡。磨削加工主要是針對光學晶體元件的成形，使用的磨料粒度大，材料去除效率較高，主要采用脆性斷裂方式加工工件，使工件形成需要的面形和尺寸。使用的磨具表面會有很多金剛石顆粒，能夠快速車削加工元件表面，會在光學晶體元件表面留下嚴重缺陷，還會在表面以下產生較深的縱向裂紋和參與應力，最終導致光學晶體元件形成亞表面損傷。第二，研磨缺陷。在進行光學晶體元件的研磨加工過程中，需要實現對材料的有效去除，同時要有效保證元件的面形精度，因此需要采用質地堅硬、菱角清晰的氧化鈰、碳化硅或者金剛石顆粒作為磨料。這個加工過程對磨削加工導致的亞表面損傷具有一定的去除作用，也會產生新的亞表面損傷，同時可能與磨削加工過程中產生的亞表面損傷形成相互作用，導致亞表面損傷層的擴展。第三，研磨麻點。光學晶體元件緊密加工的第3步是進行拋光處理，使晶體獲得更高的精密度面形和較低的表面粗糙度。使用的拋光顆粒具有較低的堅硬度和較大的粒度，同時具有較好的破碎性，所以不會使光學晶體元件產生明顯的、特別深的縱向裂紋。但是，如果這個過程存在團聚的大顆?；蛘邟伖膺^程采用較大的正壓力，仍然會使晶體元件出現細小的道子。第四，裂紋。光學晶體元件的炮管工序結束后，位于晶體表面下的亞表面仍然存在損傷的情況時，就會呈現出網狀的裂紋。

3 亞表面損傷產生的機理

在進行精密加工的過程中，光學晶體元件不同工序對元件材料的去除方式不同，產生的缺陷結構也會存在一定的差距。所以，通過分析缺陷的形貌、分布情況以及深度，能夠更好地對每個加工工序進行精確控制，從而實現對光學晶體元件的更好加工。裂紋的形成可以分為形成階段和擴展階段兩個階段。從微觀上來說，固體的力學性質是由其原子結構決定的，因此其產生裂紋擴展的過程是分子鍵斷裂的過程。在結晶材料中，沿著結晶原子鍵會發生張性斷裂和剪性斷裂兩種情況。其中：張性斷裂是材料在正應力的作用下，原子結構鍵受到破壞而形成沿著晶體平面的低能斷裂；剪性斷裂則是在切應力作用下，晶體的一部分沿著一定的晶面相對另一部分產生移動的現象。從宏觀角度分析，脆性斷裂起始于一個接觸的應力場，這個應力場是由幾何性能和材料性能共同決定的，而形成裂紋是由于荷載的施加和卸載產生的。通過尖銳的壓頭對材料表面施加一個垂直荷載，會形成中位裂紋和側向裂紋。尖銳的點接觸會導致非彈性的不可逆變形，隨著荷載的增大，達到相應的臨界條件，會使變形區內的一個或者多個缺陷變得不穩定，最終在受拉的中位面上形成亞表面的中位裂紋。如果荷載達到臨界值后繼續增大，就會導致中位裂紋繼續向下擴展。在進行載荷卸載的過程中，隨著彈性元組的逐漸恢復，中位裂紋會在表面下放閉合，但是表面上的殘余應力場還處于張開狀態，所以當壓頭離開晶體元件表面時，殘余的應力場會占據主導地位，導致表面的徑向裂紋進一步擴展，會在變形區的底部附近誘發一個向斜側擴展的側向裂紋次生系統。直到壓頭完全離開晶體元件表面，裂紋擴展才會停止。

4 光學晶體亞表面缺陷檢測法

4.1 使用酸蝕法觀察亞表面缺陷

酸蝕可以暴露元件亞表面缺陷，使其更容易觀測。酸蝕可以去除元件表面的拋光層。拋光層的化學特性和物理結構具有特殊性，含有高濃度物質，吸收光子的同時會產生大量熱，會間接增加對元件本身的損傷[3]。所以，使用酸蝕需先行去除元件表面的拋光層，減小元件表面受到的磨損?？刂扑嵛g的度，把元件腐蝕到容易觀察的程度，有利于實驗人員在顯微鏡下更清晰地觀測元件的受損情況，以便進行正確的評估。

4.2 使用擊坑法觀察亞表面缺陷

擊坑法觀察亞表面缺陷需要控制實驗強度，會對光學晶體造成二次傷害。實際上，專業的研究領域不乏對擊坑法的模擬實驗，也有很多實驗單位自行研發了擊坑裝置。所以，擊坑法是一項相對成熟的技術。研究人員深入分析擊坑法的原理和實際應用，發現其優勢在于操作簡單，不需要提前進行精密測算，也不需要十分復雜的數學和物理公式，可廣泛應用于光學元件的檢測。擊坑法檢測光學元件的亞表面損傷，需要用到配套的實驗裝置，且檢測過程采用人力操控。對硬度較大的材料進行擊坑實驗時，需要耗費較大的人力。擊坑法雖然會對光學晶體的表面造成額外損傷，但是操作容易，能夠使光學晶體亞表面的劃痕和凹坑等損傷痕跡清晰暴露，使得觀察更加直觀。

4.3 使用共聚焦熒光顯微鏡觀察亞表面缺陷

酸蝕法需要控制酸的濃度，操作不慎會對光學晶體造成二次傷害。使用共聚焦熒光顯微鏡觀察光學晶體亞表面缺陷，不會對光學晶體本身造成損害。共聚焦顯微鏡精度大，進行精密觀測時優勢明顯，在光學晶體亞表面損傷觀測中應用廣泛且運用手段先進成熟。觀測光學晶體表面時，考慮到光學晶體表面拋光層的物理結構和化學特性，使用共聚顯微鏡的熒光模式觀察效果更佳。由于光學晶體的凹坑和裂痕等損傷存在于光學晶體亞表面的拋光層，如果對光學晶體的亞表面的損傷進行觀察，需要用到精度很高的觀察儀器。共聚焦顯微鏡的熒光模式的分辨率極高，可以達到亞微米量級。相比酸蝕法，共聚焦熒光顯微鏡更勝一籌。共聚焦熒光顯微鏡可以通過電信號還有其他模擬電子技術記錄圖像，能有效減少其他漫散射和平行散射等帶來的光線干擾[4]。它不僅被廣泛運用于物理研究領域，而且在生物實驗研究方面具有重要作用，如觀察生物細胞的結構和組織切片等，是生物學研究領域重要的觀察工具。

4.4 使用全內反射顯微鏡法觀察亞表面缺陷

光學晶體亞表面損傷缺陷的觀察方法可以分為兩種，一種叫做有損檢測亞表面缺陷法，另一種則是無損檢測亞表面缺陷法。酸蝕法觀察亞表面缺陷和擊坑法觀察亞表面缺陷屬于有損檢測亞表面缺陷法，共聚焦熒光顯微鏡觀察光學晶體的亞表面缺陷屬于無損檢測亞表面缺陷法。全內反射顯微鏡法觀察亞表面缺陷不會對光學晶體的亞表面產生額外的損傷，致力于解決酸蝕法和擊坑法帶來的額外損傷問題以及共聚焦熒光顯微鏡儀器過于復雜的問題。它不會對光學晶體亞表面造成額外損傷，還能完成高精度觀測。

全反射顯微鏡觀察法是由LLNL實驗室提出的，當時觀察技術不成熟，實驗成本有限，儀器簡陋，只限于對口徑較大的光學晶體元件的亞表面進行觀察?，F階段全反射顯微鏡觀察法引起越來越多的科研人員進行研究，以期能夠得到廣泛應用，輔助光學晶體亞表面損傷檢測，提高光學晶體質量。全內反射顯微鏡和計算機科技巧妙結合，在實驗過程中能夠提高計算機處理過程的效率，以便對實驗結果進行更加科學合理的處理。

過去實驗人員采用明場技術進行顯微鏡觀察，明場技術對光學晶體亞表面的粗糙程度觀測效果較好，但不適用于光學晶體的高精度觀察?，F在研究人員發現，運用暗場技術的全內反射顯微鏡更適用于觀察光學晶體亞表面的損傷程度。進行這類觀測實驗，能更加清晰地觀察到光學晶體亞表面下拋光層的凹坑和裂痕等。因為暗場法的全內反射顯微鏡對光的散射十分敏感，通過對不同折射率進行分析對比，能夠甄別出缺陷位置。全內反射顯微鏡因為其高精度和暗場法的運用可以觀察到更多數量和更大尺寸的亞表面損傷痕跡，為實驗人員判定光學晶體亞表面的損傷提供了可靠依據。

全內反射顯微鏡通過光在亞表面完好無損區域和受損區域折射率的不同獲得檢測結果，所以必須減少觀察實驗中其他光線的干擾。運用全內反射顯微鏡觀察晶體亞表面的劃痕或者凹坑時，實驗人員應該精密計算射入光線的入射角。實驗結果證明，入射角的大小與觀察實驗造成的干擾成正比[5]。入射光線的入射角越大，對觀察實驗造成的干擾越大；反之，入射光線的入射角越小，對觀察實驗造成的干擾越小。所以，實驗人員在進行觀察實驗時，應該嚴格按照實驗標準控制入射角的大小，把入射角控制在臨界狀態，才能觀察實驗中更多的缺陷數量。

5 結語

文章主要闡述了光學晶體亞表面損傷觀察領域中運用較多的一些方法。酸蝕法和擊坑法操作簡單，但是有損光學晶體亞表面。共聚焦熒光顯微鏡觀察法觀察過程比較復雜，但是無損光學晶體亞表面。目前，較為先進的是全內反射顯微鏡法觀察亞表面缺陷，能夠在無損光學晶體亞表面的同時靈敏捕捉光的折射，通過分辨光的折射率來輔助實驗人員判斷光學晶體亞表面的損傷。