存儲芯片連續漲價，消費電子春天難覓

胡楠

2023年第四季度，國際DRAM、NAND現貨價格持續走高，DRAM顆粒DDR4 4G（512*8）2400 Mbps價格由上季度末的1.05美元最高增長至1.30美元。同時，Trend Force還預計2024年第一季Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC/UFS）均價季漲幅將擴大至18%-23%，且在寡占市場格局或是品牌客戶恐慌追價的情況下，不排除進一步提高存儲芯片價格漲幅。

與之相應，國際存儲芯片巨頭業績也明顯改善，美光科技2024財年第一財季（2023年9-11月）經營利潤由前一季度的-14.72億美元收窄至-11.28億美元；三星也上調2023年第四季度業績預測，其最新營業利潤市場預計值為3.49萬億韓元。

不過，存儲芯片市場回暖并不意味著消費電子的春天來了，從多方數據來看，DRAM、NAND現貨價格上漲主要在于原廠商稼動率的下調，三星電子、SK海力士、美光科技增加半導體設備投資的目的或為提升HBM的產能，而非針對DRAM、NAND擴產。

據國元證券，DRAM和NAND是當下最主流的半導體存儲器，兩者合計市場規模占比超過95%。

從數據來看，消費電子是DRAM和NAND的重要應用領域，其市場景氣程度與存儲芯片的價格息息相關。據Canalys數據，2023年第三季度，全球智能手機出貨量為2.95億部，下降速度收窄至-1%，預計2024年實現溫和增長。

對于個人電腦市場，Canalys數據顯示，2023年第三季度，全球個人電腦市場繼續回升，個人電腦的總出貨量為6560萬臺，同比下滑6.70%，但較二季度回升了8%。同時，Canalys還預計個人電腦2024年出貨量將達到2.67億臺，同比增長8%。

不過，存儲芯片巨頭美光科技對于消費電子的復蘇預期并不像Canalys那般樂觀，其在業績指引中表示，2024年，全球PC銷量有望增長1%-5%，并結束連續兩年的跌勢，智能手機需求也有望出現復蘇的跡象。

值得一提的是，天風證券分析師郭明琪表示，Android手機本輪庫存回補始于5-7月，華為于8月底推出Mate 60 Pro后，因需求優于預期故增加采購零組件，逼迫競爭對手需跟進以確保有足夠的零組件，進而推升庫存回補力道，需注意庫存回補力道強勁給人需求結構改善的錯覺。

由此看來，個人電腦、手機市場的復蘇情況顯然不足以維持DRAM、NAND價格的持續上漲，既然需求端不足以支撐存儲芯片價格的上漲，故只能從供給端尋找答案。

半導體存儲器件的主要市場由海外巨頭掌控，且形成寡頭壟斷的競爭格局。爾必達破產以后，其原有的市場份額被三星電子、SK海力士以及美光科技瓜分。根據Statista統計，2023年第二季度，三星電子、SK海力士與美光科技DRAM營業收入占全球DRAM銷售額的比重分別為39.60%、30.10%、25.80%，行業CR3高達95.50%。

NAND市場集中度較DRAM略低，目前營業收入占全球銷售額比重超過10%的廠商包括三星電子、SK海力士、西部數據、鎧俠電子以及美光科技。根據Statista統計，2023年第二季度，除了三星電子的銷售額占比超過30%以外，上述其他廠商的銷售額占比均在10%-20%，CR3為68.50%，CR5也接近90%。

因此，當下游需求變動較為緩和時，現有供給的調整就成為了決定DRAM、NAND價格的主要因素。

據國金證券統計，美光科技于2022年11月宣布減產20%，次年3月再次宣布NAND和DRAM投片量減少30%；海力士2023年資本開支減半，7月宣布進一步降低NAND產能；三星電子于2023年第二季度開始減少NAND和DRAM產能；鎧俠電子在2022年10月宣布減少30%的NAND產能；西部數據宣布自2023年1月起減產30%的晶圓投片量，同時資本開支同比減少25%。

具體而言，Trend Force數據顯示，截至2023年第二季度，三星電子、美光科技、SK海力士稼動率分別下調至77%、74%、82%，第三季度末，三星電子再次宣布擴大減產幅度至50%。

由于存儲芯片巨頭的持續減產，DRAM、NAND價格在2023年第四季度止跌并迎來反轉。由此可見，行業產能下調才是推動次輪存儲芯片價格上漲的主要原因。

有意思的是，以手機、PC為代表的消費電子市場需求并未顯著增加，但存儲芯片多家巨頭卻計劃增加2024年的資本支出。據韓國媒體《ETNews》2023年12月18日報道，兩大存儲原廠三星電子和SK海力士正在計劃增加2024年半導體設備的投資，其中前者計劃投資約27萬億韓元，同比增長25%，后者計劃投資約5.30萬億韓元，同比增長100%。

而據Trend Force，此前，三星電子為了擴大HBM產能，已收購三星顯示韓國天安區內部分建筑及設備，擬用于HBM的生產，前者計劃在天安廠建立一條新的封裝線，用于擴大規模生產HBM，截至目前公司已經花費105億韓元購買上述建筑和設備等，預計追加投資0.7萬-1萬億韓元。

無獨有偶，11月6日，美光科技宣布中國臺灣地區臺中四廠正式啟用，將量產HBM3E及其他產品，從而滿足人工智能、數據中心等市場需求。

由此可見，行業巨頭計劃增加的資本支出大概率與HBM有關。據國金證券研報，HBM即高帶寬內存，是一種新興的DRAM解決方案，隨著GPU的快速發展，GDDR5已經漸漸不能滿足高性能計算場景對帶寬的要求，而HBM重新調整了內存的功耗效率，使得每瓦帶寬比GDDR5高出3倍以上。

目前，主流AI訓練芯片為了提升帶寬更好地發揮算力，都采用了HBM與算力芯片進行合封。例如，英偉達A100、A800芯片使用5顆HBM2E，H100、H800使用5顆HBM3，而MI300則使用了8顆HBM3。根據美光科技的結論，AI服務器對DRAM的需求是普通服務器的8倍。

根據Trend Force估算，2023年，全球AI服務器出貨量超過120萬臺，增速高達37.70%，占整體服務器出貨量的比重為9%；2024年預計AI服務器出貨量增速將超過38%，占整體服務器出貨量的比重也將超過12%；而且，全球AI服務器主流需求正在由HBM2E轉變為HBM3，預計2024年HBM3出貨量將直接超越HBM2E。

HBM主要市場份額依然被SK海力士、三星電子、美光科技所占據。據國金證券研報，2022年，上述三家公司在HBM市場占有率分別為50%、40%、10%，該競爭格局形成的主要原因在于SK海力士最早于2021年發布HBM3，而2021-2023年上半年，另外兩巨頭都未能量產HBM3產品，這使得SK海力士有獨占HBM3市場的較長窗口期。

不過，2024年，三巨頭在HBM市場的份額或將有所變動，美光科技的HBM3E高帶寬存儲器將應用于英偉達次世代Grace Hopper GH200超級芯片級H200GPU，目前已到最后品管階段；三星電子已開發出9.8Gbps的HBM3E，計劃開始向客戶提供樣品。更為重要的是，得益于HBM3更高的平均銷售單價，其出貨量的增加也將帶動三巨頭業績增長。

目前，國內主流DRAM、NAND的自給率很低。據中泰證券研報，國內僅有長鑫存儲與長江存儲正在進行主流DRAM、NAND的研發與生產。值得一提的是，長鑫存儲已正式推出LPDDR5系列產品，包括12GB的LPDDR5顆粒、POP封裝的12GB LPDDR5芯片以及DSC封裝的6GB LPDDR5芯片，其中12GB LPDDR5芯片已經在國內主流手機廠商小米、傳音等品牌機型上完成驗證。

除此之外，以兆易創新、北京君正為代表的Fabless企業在利基DRAM、SLC NAND、Nor Flash市場也取得了一定的成績。在Nor Flash市場，Web-Feet Research的報告顯示，2022年，兆易創新市場占有率增長至20%，同時公司成功切入利基DRAM市場，并先后推出DDR4、DDR3L產品。

同期，北京君正存儲業務收入達到40.50億元，其SRAM、DRAM、Nor Flash銷售收入分別位于全球第二、第七和第六位，其中車載DRAM排名全球第二位，車載SRAM 排名全球第一。

值得一提的是，根據Trend Force消息，隨著華邦電子、旺宏等相關廠商減產降低庫存，以及在DRAM、NAND漲價氛圍帶動下，Nor Flash行業開始醞釀漲價，預計相關產品2024年1月起漲價，并有望在第二季度進一步擴大漲幅，屆時兆易創新、北京君正、東芯股份皆有望從中受益。