存儲芯片
- 存儲芯片連續漲價，消費電子春天難覓
除進一步提高存儲芯片價格漲幅。與之相應，國際存儲芯片巨頭業績也明顯改善，美光科技2024財年第一財季（2023年9-11月）經營利潤由前一季度的-14.72億美元收窄至-11.28億美元；三星也上調2023年第四季度業績預測，其最新營業利潤市場預計值為3.49萬億韓元。不過，存儲芯片市場回暖并不意味著消費電子的春天來了，從多方數據來看，DRAM、NAND現貨價格上漲主要在于原廠商稼動率的下調，三星電子、SK海力士、美光科技增加半導體設備投資的目的或為提升H
證券市場周刊 2023年46期2024-01-07
- “存儲?！蓖敢暎簼q價推動下分銷、模組廠商加速提效
在國際主流的存儲芯片DRAM和NANDFlash廠商“控產提價”的過程中，國產存儲企業也看到了產品漲價的前景。有模組廠商表示，“存儲器價格的波動變化正在逐步地向下游傳導，刺激客戶補庫需求，目前看到手機端的需求有復蘇的跡象?！鄙鲜鰪S商表示，公司在產品、技術、管理等方面均有精益提升計劃，以捕捉國產替代、市占率向頭部公司集中的趨勢。事實上，存儲芯片行業利潤在各細分產業鏈環節中分布不均。半導體行業人士陳啟表示，“產業鏈中設計類公司賺取更多的利潤，而模組廠商和分銷商
證券市場紅周刊 2023年43期2023-11-28
- 利潤暴降、庫存高企，芯片行業觸底了嗎？
“晴雨表”，存儲芯片需求從去年下半年起驟降，價格也在快速暴跌。市場調研機構群智咨詢在3月底稱，存儲芯片價格在2022年三季度開始進入快速下跌通道，2023年一季度價格已同比近乎“腰斬”，逼近現金成本。根據CFM閃存市場數據顯示，2022年NAND Flash市場綜合價格指數下跌41%，DRAM市場綜合價格指數下跌35%。另據集邦咨詢預測，2023年二季度，NAND價格將繼續下降5%～10%，DRAM價格將繼續下滑10%～15%。因此，存儲廠商普遍業績承壓。
記者觀察 2023年5期2023-06-08
- 國產存儲芯片拐點將至？
美光是美國的存儲芯片行業龍頭，也是全球存儲芯片巨頭之一，2022年來自中國市場收入從此前高峰57% 降至約11%。而根據市場咨詢機構 Omdia（IHSMarkit）統計，2021年三星電子、 鎧俠、西部數據、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （閃存）市場份額約為 96.76%，三星電子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM（內存）市場份額約為 94.35%。報道顯示，美光在日前聲明中表示，公司正在與中國國家互聯網信息辦公
電腦報 2023年15期2023-04-24
- 北京君正：高庫存待去化 減持逢AI
2億元，其中存儲芯片收入為40.54億元，智能視頻芯片收入為6.43億元；歸屬凈利潤為7.89億元，較上年同期下降14.79%，全年計提資產減值損失2.78億元，其中第四季度一次性計提了2.01億元。自2022年10月起，公司的重要股東累計減持套現規模超過10億元，尚有約18億元的減持計劃等待實施。此外，北京君正應用AI技術的智能視頻芯片、微處理器芯片的收入和毛利率均出現不同程度的下滑，研發費用占營業收入的比例不高，與其對外宣稱的形成大量成熟的AI算法形成
證券市場周刊 2023年14期2023-04-22
- 2023年存儲板塊能否迎來拐點？
向標”之稱的存儲芯片，在需求破滅與庫存高企的多重因素下，更是遭受著有史以來最嚴重的挫敗。根據集邦咨詢的最新研究報告，2022年第四季度，全球DRAM內存芯片總收入122.8億美元，環比大跌32.5％，超過了此前第三季度28.9％的跌幅，甚至已經逼近2008年底金融危機時的歷史跌幅極值36％。那么，這股凜冽的寒風要吹到什么時候，存儲板塊的冬天，要持續到什么時候？存儲芯片步入寒冬據TrendForce數據顯示，存儲芯片價格自2022年年初以來一路走跌，DRAM
股市動態分析 2023年5期2023-03-14
- 三星利潤暴跌 為全球芯片業敲警鐘
技在內的其他存儲芯片公司的減產行列，以應對價格下跌和供過于求的局面。據《華爾街日報》1月31日報道，過去一年存儲芯片價格大幅下跌，預計2023年上半年還將延續走低趨勢，這對已經裁員減產的芯片企業而言無疑是雪上加霜。行業分析師預測，除三星之外，存儲芯片制造商SK海力士第四季度虧損也將達到8120億韓元?！度A爾街日報》 認為，商品化程度高且對市場供需變化敏感的存儲芯片是半導體行業的風向標，而目前芯片企業背負大量庫存，市場需求持續疲軟。包括英特爾、美光科技、西部
環球時報 2023-02-012023-02-01
- 基于單體多字與多體并行系統優化主存結構研究
采用高效性能存儲芯片、增加存儲器帶寬及構建多層次存儲結構在改善二者速度差距上都有積極的作用。相比而言，以單體多字和多體并行的方法對主存結構進行優化，能用更小的成本獲得更理想的效果，尤其是多體并行系統的低位交叉方式，對縮小主存和CPU之間速度差距有積極作用。對比得知，從結構上對主存進行調整，可以在一定程度上縮小主存與CPU之間的速度差距?！娟P鍵詞】存儲芯片;帶寬;主存結構優化;單體多字;多體并行【中圖分類號】G642 【文獻標識碼】A 【文章編號】1674-
企業科技與發展 2022年4期2022-07-14
- 尋找“黑匣子”有沒有黃金時限？
護內部的數據存儲芯片。保證它能夠經受1100℃的火焰燒烤30分鐘，能夠承受2噸重的壓力，在水中長時間浸泡也不會損壞。而黑匣子的安裝位置則在飛機尾翼下方的機尾處，這里是飛機最不容易損壞的部位。黑匣子上安裝了兩種緊急定位裝置，能在陸地和水下定時發射不同頻率的定位訊號，幫助搜救人員用特制的接收機定位。就算有各種堅固的保護，但空難中的黑匣子并非堅不可摧，所以國際航空機構又規定了更加嚴格的標準，而且記錄介質也從磁帶式改進成能承受更大沖擊的靜態存儲記錄儀，類似于計算機
電腦報 2022年12期2022-04-06
- 基于單片機的音樂播放器硬件設計
：單片機? 存儲芯片? 液晶屏?? 音頻功率放大器1.設計要求在基于單片機的音樂播放器系統設計中，采用89C58RD+型單片機為硬件基礎，通過C語言程序對芯片進行編程。單片機需外接+5V穩壓電源，并通過MAX232電平轉換芯片和串口接入PC機。單片機工作時，用軟件對定時器初值進行設定，從而得到所需要的聲音頻率;通過四位共陰LED數碼管，可顯示時間，并可進行定時設置;通過LM386N1芯片，將單片機輸出的信號放大，接入喇叭即可發聲。2.分析（1）對時間進行定
科技信息·學術版 2021年31期2021-12-03
- 筆記本電腦高速存儲芯片電磁輻射檢測
記本產品高速存儲芯片的電磁輻射特性沒有評價方法和標準，導致產品設計和芯片應用中的電磁干擾問題無法提前識別和快速解決問題進行研究。將會在芯片級電磁輻射測量方法、測量系統、測量工具、評價標準等技術上形成突破，并輸出相應的研究和開發成果，最終為高速存儲芯片相關企業提供電磁輻射特性的測試測量、質量檢測、故障分析。從而確保在高速存儲芯片領域電磁技術方向上走在全國前列，保障存儲芯片的技術優勢。推動高速存儲芯片應用突破技術瓶頸，打破產業發展的束縛，支撐經濟社會健康高速發
日用電器 2021年8期2021-09-13
- 兆易創新迎來新爆發
創新最早是以存儲芯片起家，到目前為止公司存儲芯片業務的占比仍然居于高位，大概在80%左右，其余微處理器業務（MCU）及傳感器芯片業務占比分別為15%、5%左右，產品應用場景包括了移動終端、消費類電子產品、個人電腦及周邊、網絡、電信設備、醫療設備、汽車電子及工業控制設備等各個領域。存儲芯片大體分類為DRAM、NORflash、NANDflash三種，兆易創新目前的產品主要集中于后兩種。結合行業數據來看，存儲芯片本身就是高度壟斷行業，DRAM、NANDflas
英才 2021年2期2021-09-10
- 東芯股份闖關科創板：低毛利率沖規模疑慮難消
3年中國國內存儲芯片市場規模將達6492億元，發展空間極為廣闊，然而中國存儲芯片的自給率僅為15.70%，這對于中國企業而言是一個巨大的機會。在政府倡導集中精力解決一大批“卡脖子”技術的背景下，以集成電路為主業的東芯股份正在申請科創板IPO。產品售價不斷下滑按照分工模式不同，集成電路企業的商業模式主要分為兩種：IDM模式，即相關廠商獨立完成IC設計、晶圓制造、封裝、測試全流程;Fabless-Foundry模式，即垂直分工的商業模式，無生產線的IC設計、晶
證券市場周刊 2021年21期2021-06-16
- 兆易創新迎來新爆發
漲的順風車？存儲芯片龍頭的無奈朱一明創立的兆易創新最早是以存儲芯片起家，到目前為止公司存儲芯片業務的占比仍然居于高位，大概在80%左右，其余微處理器業務（MCU）及傳感器芯片業務占比分別為15%、5%左右，產品應用場景包括了移動終端、消費類電子產品、個人電腦及周邊、網絡、電信設備、醫療設備、汽車電子及工業控制設備等各個領域。存儲芯片大體分類為DRAM、NORflash、NANDflash三種，兆易創新目前的產品主要集中于后兩種。結合行業數據來看，存儲芯片本
英才 2021年3期2021-03-12
- 某純電動商用車總里程跳變分析
拆組合儀表存儲芯片2.2 分析將儀表供電并接入ON擋電，此時儀表開始工作，并上報總里程，經解析報文發現，其上報的總里程確實為2837km。在實車環境中，組合儀表計算總里程并發送到CAN（Controller Area Network，控制器局域網絡） 總線上，而后由TBOX采集并發送到監控平臺，監控平臺解析后予以顯示。將儀表的存儲芯片拆下來進行分析，如圖1和圖2所示。該存儲芯片的型號是ATMEL 93C86A，通過專用工具讀取芯片的數據，發現如下問題點：
汽車電器 2021年2期2021-03-05
- 國產內存、SSD開售! 激動之余會有多少人買單
難突圍的國產存儲芯片根據國家海關數據統計，2018年，中國芯片進口總量為3120億美元，占全球集成電路5000億美元市場規模的近60%，進口額度超過石油，位列國內進口商品第一位。智能手機、云計算、智能AI、5G通訊等領域，讓中國進入了新的科技時代，也產生了巨大的芯片需求。以存儲芯片為例，中國的智能手機廠商、PC廠商、服務器廠商使用的DRAM內存、NAND閃存幾乎都來自進口，2017年中國存儲芯片進口價值896億美元，市場被三星、SK Hynix、美光、東芝
新潮電子 2020年7期2020-08-12
- 半導體主題基金持續火爆
合，包括國內存儲芯片設計龍頭公司兆易創新、生物識別芯片供應商匯頂科技、集成電路封裝測試企業長電科技、半導體設備制造商北方華創等。市場空間廣闊年初市場躁動，半導體ETF已有巨大漲幅，紛紛創出凈值新高。未來能不能繼續參與可能是很多人的疑惑?？傮w來說，國內半導體行業的體量還非常小，大約是美國的十分之一左右。這個行業通常集中度比較高，容易走出大型企業。而從目前的情況看，國內的企業顯然還有很長的路要走。也就是說，如果你相信這個故事，認為中國可以在半導體世界版圖上占據
理財周刊 2020年2期2020-08-10
- 瞬態信號的采集存儲技術
存儲電路設計存儲芯片選擇是本產品的關鍵，為確?？煽窟x擇兩種類型存儲芯片進行考核驗證，為鐵電存儲芯片FRAM和磁性存儲器芯片MRAM。FRAM選用RAMTRON公司的FM22L16，采用并行讀寫的操作方式，最快寫入周期為110ns，存儲容量為512KB，工作溫度為-40℃～+85℃，具備讀寫1014次的能力，數據保存時限為10年。MRAM選用EVERSPIN公司的MR4A08B，采用并行讀寫的操作方式，最寫入周期為35ns，存儲容量為2MB，工作溫度為-40
電子技術與軟件工程 2020年4期2020-06-10
- 大數據模式在起重機械行業中的安全管理
速發展，生產存儲芯片流水線裝置越來越完善，生產成本也越來越低，讓大數據信息的集合在存儲芯片中從而為生產服務已成為大多數行業的可能，在起重機械行業中也類似于像航空航天一樣加入黑匣子的存儲數據信息的盒子，可以更好地促進起重機械安全管理的升級和發展。[關鍵詞]大數據;安全管理;存儲芯片;系統[中圖分類號]TH21 [文獻標志碼]A [文章編號]2095–6487（2020）06–0–03Big Data Model is Analysed in the Safe
今日自動化 2020年6期2020-01-06
- “坂本幸雄之痛”對中國的啟示
于懷的，日本存儲芯片企業被韓國用“反周期”投資方式打敗之事。在上世紀八九十年代，日本存儲芯片產業曾經十分輝煌，英特爾公司為了避其鋒芒，舍棄了占據其營收超80%的存儲業務，主動轉型去做CPU。而最近這些年日本存儲芯片企業的節節敗退，并非技術不如人，而是大環境影響再加上商業策略失誤連連所致。日本企業的工匠精神讓他們在經營策略上陷入一種思維定式：不惜成本追求高質量，一定能贏得市場。這種策略在大型機時代或許是對的，但是當計算機產業經歷了小型機、工作站、個人電腦、智
環球時報 2019-12-312019-12-31
- 采用最大修改字節重定向寫入策略的相變存儲器延壽方法
方式為：多片存儲芯片并聯、共享訪問地址線.因此，一個PCM內存系統的使用壽命問題需要考慮內存系統的結構的影響.一個由多片PCM并聯而成的內存系統而言，其壽命取決的因素有：不同地址間的磨損分布和同一地址內的磨損分布.前者指不同地址間的寫入頻繁程度的差別；而后者指在同一個地址內不同的存儲位置，特別是不同存儲芯片間的寫入頻繁程度的差別本文稱為片間磨損局部性.為討論片間磨損局部性對PCM內存的壽命影響，本文首先收集實際應用的內存寫入數據，并分析其在各個存儲芯片間的
計算機研究與發展 2019年12期2019-12-18
- 減產、提價、限量供貨……國產閃存離我們還有多遠？
大品類之一的存儲芯片，隨著智能手機、智能家居、智能汽車等新興市場的崛起，開始成為集成電路產業的主力，更進一步成為半導體行業發展的主要驅動力。在這樣一個重要的領域中，國內廠商究竟有多少話語權、國產閃存離我們又有多遠呢？風起云涌的閃存市場閃存芯片市場近年來一直不平靜，2013年開始的暴漲以及2018年開始的暴跌，讓閃存芯片出現過山車走勢的同時，也影響著全球半導體乃至終端設備市場的走勢。資本、技術密集型產業的特點讓上游芯片廠商不得不在閃存漲價周期擴產以攫取更多市
電腦報 2019年30期2019-09-10
- 康佳擬投逾10億元建存儲芯片封測項目
主體投資建設存儲芯片封裝測試廠。項目擬選址鹽城市智能終端產業園;計劃2020年年底試生產，固定資產投資金額為5.01億元。公告顯示，經友好協商，鹽城高新技術產業開發區管理委員會擬與公司簽署投資協議，投資協議的主要內容如下：項目內容是投資建設存儲芯片封裝測試廠，開展存儲芯片的封裝測試及銷售。項目規模為計劃總投入10.82億元，其中購買設備等投資約5億元。項目占地為100畝（以國土部門最終出讓面積為準）。該項目有利于公司加強在半導體領域的布局，促進公司半導體及
中國電子報 2019年86期2019-01-19
- 中國存儲芯片打破韓美日壟斷局面邁出堅實一步
當前全球存儲芯片主要為韓美日三國所占有，中國的三大存儲芯片企業長江存儲、合肥長鑫、福建晉華近期紛紛開始安裝機臺，預計今年下半年投產存儲芯片，這將有望打破韓美日壟斷存儲芯片的局面。存儲芯片主要有NAND Flash、DRAM，在全球NAND flash市場份額前五名分別為三星、東芝、西部數據、美光、SK海力士，市場份額分別為38.0%、17.1%、16.1%、11.5%、11.1%，；在DRAM市場份額前三名分別為三星、SK海力士、美光，市場份額分別為45%
電腦知識與技術·經驗技巧 2018年5期2018-09-29
- “全球第一”的手機背后，國產存儲亟待嵌入
其表現在手機存儲芯片產業。手機存儲是短板我國手機產業短板之一的存儲芯片產業正迎來新一輪洗禮。近日，福建晉華和臺灣聯電各自發布聲明，稱因涉嫌專利侵權，福州中院發布“臨時禁令”，要求美光停止在華銷售部分DRAM和NAND產品。在此之前，媒體披露，由于涉嫌操縱哄抬內存價格，國際三大存儲巨頭三星、 SK海力士、美光遭中國反壟斷調查，或遭罰款8-80億元。而更早之前，去年12月，美光科技在美國加州提起民事訴訟，控告臺灣聯電及福建晉華侵害DRAM的營業秘密。從訴方變成
通信產業報 2018年24期2018-09-21
- 多通道NAND Flash存儲芯片控制器的設計與實現
Flash存儲芯片由于價格低、體積小以及效率高的優勢，廣泛應用于現代數碼產品以及固態硬盤等媒體設備。作為高密度靜態可擴展存儲器，NAND Flash存儲芯片在大容量高速數據存儲系統中占據主流地位[1-2]。采用NAND Flash存儲芯片作為存儲介質的固態盤，比傳統的存儲設備更能承受溫度的變化、機械的振動和沖擊，同時具有耗電少、存儲密度提升快、可靠性更高的優點，易于實現高速度大容量的存儲[3-8]。NAND Flash存儲芯片結構每比特成本低，具有更高的
無線電工程 2018年9期2018-08-23
- 中國對韓美三家半導體企業進行反壟斷調查
光是全球三大存儲芯片巨頭，在DRAM、NAND兩大產品線中占據全球絕大多數市場份額。2016年，因行業技術更迭、企業生產線換代，全球存儲芯片市場出現近年來罕見的供不應求，并于2016年第三季度全面進入漲價通道。其后漲價帶來的成本壓力傳遞至手機、固態硬盤、內存條等消費級產品。根據海關數據，2017年中國進口存儲器889.21億美元，同比2016年的637.14億美元增長了39.56%。存儲產品的持續漲價給中國產業造成了高成本負荷。
中國知識產權 2018年7期2018-07-31
- 韓國三星成為全球最大芯片制造商
能手機使用的存儲芯片領域，英特爾猶顯底氣不足。事實上，智能手機銷量如今遠遠超過個人電腦。與此同時，存儲芯片開始進入一些新設備，包括汽車。相比之下，三星電子在存儲芯片領域大獲成功。具有諷刺意味的是，這一業務正是由英特爾在上世紀60年代開創。上世紀90年代初，日本企業在這一領域表現強勢。英特爾先是退出這一市場，后來重新進入。三星電子通過購買日本企業的專利授權進入存儲芯片市場，去年12月宣布研制出全球最小DRAM芯片，將在全球率先量產。三星電子還是美國高通公司的
經濟視野 2018年4期2018-06-09
- “瘋狂內存條”背后的隱憂
出中國企業在存儲芯片領域的黯淡。由于中企在NANDFlash和DRAM兩種存儲芯片方面的市場占有率微乎其微，且NANDFlash和DRAM被少數國際大廠，特別是韓國企業所壟斷，直接導致存儲芯片價格很容易受到壟斷企業決策影響。韓國企業在存儲芯片領域對老牌大公司的強勢“逆襲”再次表明，將“自由競爭”“小政府”奉為“圣經”完全是自欺欺人。自上世紀80年代以來，三星等公司充分利用存儲器行業周期性強的特點，以舉國體制為籌碼，在價格下跌、生產過剩的大環境下，逆勢瘋狂擴
環球時報 2017-10-252017-10-25
- 基于單片機的點餐系統硬件設計
詞 單片機 存儲芯片 液晶屏中圖分類號：TP273.5 文獻標識碼：A1設計要求在點餐系統硬件部分，主要采用的是24C1024和AT89C51兩塊芯片，其中24C1024用來存儲所有菜名信息，通過AT89C51，將菜譜信息傳輸給液晶顯示。但顧客選擇好自己需要的菜品后，菜單將自動存儲到AT89C51中，再可以通過串口與電腦直接相連，將菜單傳輸到數據庫中進行存儲，并顯示、打印出來。而AT89C51主要是用來控制24C1024與液晶之間數據傳輸，液晶顯示部分以及
科教導刊·電子版 2016年36期2017-04-22
- 握手言合 三星將為新一代Iphone大量供應零部件
存和DRAM存儲芯片。但是，從2011年起，三星開始減少對蘋果的零部件供應。因為就在那一年，蘋果以侵犯專利為由，將三星告上法庭。根據iFixit的拆解報告稱，三星如今只向iPhone 7供應DRAM芯片。顯示面板和存儲芯片（NAND閃存和DRAM存儲芯片）向來是蘋果iPhone上面最貴的一些零部件。根據市場研究機構IHS Markit的報告，以32GB版本的iPhone 7為例，這些零部件的成本加起來占到物料總成本（219.80美元）的四分之一以上。有報道
中國證券期貨 2017年1期2017-02-17
- 紫光國芯：傳紫光集團將入股武漢新芯
芯，雙方旗下存儲芯片項目有望合并。記者了解到，上市傳聞來源于華爾街日報的一則報道，該報道稱，清華紫光集團將收購武漢新芯的大部分股權，新武漢新芯將改名長江存儲技術有限公司（Yangtze River Storage Technology Co.），紫光集團將擁有這家新公司的50%股權，紫光集團董事長趙偉國則擔任新公司的總裁。至于其他的股權，據透露，將由集成電路產業投資基金和武漢政府扶持的另一個基金共同持有。至此，紫光終于踏入了存儲領域。據悉，武漢新芯全稱為武
股市動態分析 2016年29期2016-08-04
- 半導體：黃金十年已經開始
素可得，大陸存儲芯片有望復制面板產業的成功。市場可能認為：存儲芯片是壟斷競爭的重資產行業，海外巨頭客戶、技術、資本先發優勢明顯，大陸企業難有作為，我們認為：技術更新放緩，彎道追趕擁有時間窗口：摩爾定律已近物理極限，28nm以下經濟效益大幅降低，3D技術漸成主流；（1）3D技術更新速度、難度和頻率不及2D制程更新；（2）3D技術成熟不久，此時若能通過合資、并購或團隊引進獲取技術，差距并不明顯。市場：存量市場加速轉移，增量市場就在大陸。（1）對于移動終端存量市
股市動態分析 2016年26期2016-08-02
- WSN節點擴展存儲電路及數據的融合處理
設計2.1 存儲芯片選型根據系統在現場的實際測試數據，每個節點每次采集的數據量的大小在1kB以內，如果在保持每天1～2次的采集頻率下至少保存一年的數據，則選擇具有1024kB存儲能力的存儲芯片就可滿足。Microchip公司的24LC1025串行EEPROM芯片支持I2C總線，具有功耗低、可百萬次擦寫、工作電壓范圍寬、最低工作溫度可到-40℃的特點，滿足存儲要求及工作環境，故選取其作為所要設計的節點擴展存儲芯片。2.2 存儲電路設計在這個存儲電路中，主器件
電子測試 2015年24期2015-12-21
- 電子元器：國家扶持產業鏈發展
億元增發投入存儲芯片市場，半導體產業首次出現資本和實業如此大手筆的合作。從去年提出成立國家半導體產業基金，國家集團和產業基金為代表的先行者積極參與轟轟烈烈的國際半導體并購，市場對中國電子行業的希望又重新燃起。之所以國家會選擇在存儲芯片這個行業，主要基于幾點：1）行業標準化程度高，市場空間足夠大。存儲芯片市場空間為800億美金，占比約為整個芯片市場的20%，僅次于邏輯芯片和微處理器芯片，而前兩者的產品標準化程度低，因此單個細分市場的空間有限。2）存儲芯片最大
股市動態分析 2015年44期2015-09-10
- 千億資本再造存儲芯片中芯、新芯組建國家隊
千億資本再造存儲芯片中芯、新芯組建國家隊在1200億元大基金落地的9個月之后,中國集成電路產業又將迎來一筆規模超過200億美元的資本投資。近日,知名調研機構TrendForce發布報告稱:武漢新芯集成電路制造有限公司被中國政府選為中國存儲芯片產業的首要重點區域,未來武漢新芯將募集約240億美元打造中國的存儲芯片產業基地。多位知情人士透露:“中國政府對于存儲芯片產業的發展己經密集討論了接近兩年,最近己基本盲定‘在武漢塑造存儲芯片產業龍頭’,但官方暫未公布這一
電子世界 2015年14期2015-03-25
- 集成電路業再現大動作國家級芯片存儲基地浮現
政府選為中國存儲芯片產業的首要重點區域，未來武漢新芯將募集約240億美元打造中國的存儲芯片產業基地。多位知情人士表示：“中國政府對于存儲芯片產業的發展已經密集討論了接近兩年，最近已基本敲定”在武漢塑造存儲芯片產業龍頭，但官方暫未公布這一消息。知情人士稱，中芯國際、武漢新芯將聯合打造存儲芯片國家隊，預計需要募資總額250億美元左右，國家大基金領投，中芯國際、湖北省，以及一些社會資本都會投資。目前，中芯國際、武漢新芯均未對該報告作出回應。存儲器的空白2014年
電子工業專用設備 2015年7期2015-03-23
- 提取破損手機芯片獲取電子數據證據的研究
電路板上的主存儲芯片與手機電路板分離后，通過專門手機芯片提取設備進行讀取，然后再對得到的機身數據進行分析。首先，將機身外圍無效器件、銹蝕部分清理掉，露出主存儲芯片。該手機采用存儲為256Mb Nand存儲芯片。在芯片讀取設備的支持中確認可進行數據讀取后，開始拆除芯片，即將熱風槍調節到270℃加熱60秒后，將芯片與主板電路剝離。其次，對拆除的存儲芯片進行預處理植球除膠后，放置在專用讀取設備上讀取，用時約1分鐘。最后，對讀取手機芯片數據進行分析，通過分析系統，
湖北警官學院學報 2015年2期2015-01-14
- NORFLASH存儲芯片測試程序的設計
RFLASH存儲芯片進行測試。實驗結果表明，該測試程序的設計能避免由于無測試工具而無法測試到的儲存區塊損壞造成的設備運行異常，并實現測試自動化?！娟P鍵詞】NORFLASH;存儲芯片;測試程序NOR FLASH技術是Intel于1988年開發的，其特點是芯片內執行，即應用程序可以直接在FLASH閃存內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中，是現在市場上主要的非易失閃存技術之一。其傳輸效率高，在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益[1]?；谄涮攸cNOR FLA
電子世界 2014年6期2014-10-21
- 基于單片機的存儲測試電路
儲測試技術；存儲芯片1、 引言近年來，在我國學習和應用單片機的熱潮始終不減，特別是MCS-51系列。這是由單片機的特點決定的。實際上，從應用通用數字集成電路系統，到廣泛應用單片機，是我國電子設計在智能化應用水平上質的飛躍。據統計分析，單片機的銷量到目前為止依然逐年遞增，而且在很長一段的時間內，單片機依然會是電子設計的主角。大量的外圍芯片和接口電路使得單片機應用系統的設計變得簡單而且快捷，新型單片機的上市和高級語言的支持進一步延長了單片機的壽命。且長期穩定的
建筑工程技術與設計 2014年35期2014-10-21
- 國產55納米相變存儲芯片打破國外核心技術壟斷
5 納米相變存儲芯片。這一成果的發布，使該公司成為繼韓國三星、美國美光之后，世界上第三家、中國第一家擁有相變存儲技術自主知識產權的企業，業內人士認為這將有利于打破存儲器芯片生產技術被國外公司壟斷的局面。目前靜態隨機存儲技術、動態隨機存儲技術和快閃存儲技術應用最為廣泛。近幾年才逐漸步入商品化的最新一代存儲技術——相變存儲技術，由于是利用材料相變產生不同的特性作資料存儲，存儲容量遠遠大于目前的高端硬盤。與現有傳統芯片相比，相變存儲器執行速度快1000倍，耐久性
科技傳播 2013年23期2013-08-15
- 嵌入式系統中無線通信技術的設計與實現
；無線通信；存儲芯片1.嵌入式系統的相關問題1.1嵌入式系統的定義對于嵌入式系統最普遍認同的定義是：將應用作為中心，計算機技術為基礎，軟硬件可裁減，適應應用系統對功能、成本、可靠性、體積、功耗嚴格要求的專用計算機系統。嵌入式系統的操作系統實用性強、體積小、功能強、可定制、管理系統軟件。近年來，嵌入式系統完成了從單一的非實時控制系統向多元的實時控制系統的轉化，加之性能的不斷完善，使它的運用范圍更加廣闊，例如，網絡設備、信息電器、移動計算機設備、工控、醫療儀器
科技致富向導 2013年6期2013-04-23
- 非易失性存儲芯片的兩點應用注意
引言非易失性存儲芯片歷史悠久，如ROM、PROM和EPROM等等。當今，隨著便攜式低功耗電子設備的大量使用，這類存儲器幾乎天天伴隨著我們。U盤、手機、隨身聽都是再好不過的例子。不過，我們在感到它們帶來的方便和實用的同時，對它們的要求和主要特點也應該心中有數。本文以兩類主要的存儲芯片EEPROM和FLASH為例，總結了兩個不太被一般使用者所注意的特點。2.數據保存的時間有限無論是EEPROM還FLASH芯片，生產商都不保證其中的數據可以無限期地保存下去。例如
電子世界 2013年1期2013-03-28
- 永磁電機電氣參數的采集存儲顯示系統的設計
5P64作為存儲芯片，主要用于電氣參數的存儲;在Windows XP下用VB開發了一套可視化、智能化的系統應用軟件，主要用于顯示、分析存儲在FLASH芯片中的電氣參數。該系統很容易得到電機在運行過程中詳細充分的狀態信息和故障信息，為電機的故障分析提供了很大幫助，具有廣泛的應用前景。1 系統結構本系統主要由永磁電機、下位機、存儲芯片和上位機組成。下位機與上位機采用CAN總線技術進行通信，永磁電機與下位機采用SPI總線技術進行通信，存儲芯片與下位機采用SPI總
電機與控制應用 2012年10期2012-08-28
- 基于FPGA的語音存儲與回放系統
9采樣狀態圖存儲芯片HM628128D控制模塊為jicunnx。在實際的操作過程中，任何存儲芯片對于數據的存儲與讀取都需要一定的控制信號，這樣方能實現數據的存儲與讀取。為此，我們在FPGA芯片中對于該存儲芯片的控制進行了設計。同樣用狀態機的思想來實現，程序略。三態門，由于存儲芯片HM628128D的數據端是雙向端口，輸入輸出共用，所以FPGA和它連接的時候需要設計三態門，使得在HM628128D進行讀操作時，三態門處于高阻狀態。其實現的電路封裝后的形式如圖
電子世界 2011年9期2011-04-27
- 存儲標準化進行時
tel下一代存儲芯片,并結合UIT在存儲體系、軟件、產品、方案方面的強大實力,共同開發基于開放架構的、標準化的統一存儲平臺,從而降低開發和部署成本,增強存儲的靈活性和擴展性,簡化存儲應用。業內人士認為,UIT與Intel的合作揭開了存儲標準化發展歷史上新的一頁。此次雙方的合作可謂優勢互補。Intel將向UIT提供技術文檔、設計指南、技術支持、解決方案等全方位的支持。UIT將基于雄厚的研發實力,根據技術和市場發展趨勢,并結合Intel的技術戰略和路線,與In
中國計算機報 2009年25期2009-04-27