簡小剛 梁曉偉 姚文山 張毅 張斌華 陳哲 陳茂林
摘要 基于第一性原理的密度泛函理論對C-H-F 氛圍下低溫CVD 金剛石薄膜的生長過程進行仿真分析,計算H、F 原子在氫終止金剛石表面發生萃取反應的吸附能、反應熱與反應能壘,并分析CF3、CF2、CF 3 種生長基團在帶有活性位點基底上的吸附。結果表明:與H 原子相比,F 原子更容易在氫終止金剛石表面萃出H,并以HF 形式脫附,且在C-H-F 氛圍下有利于在低溫時產生更多的活性位點;CF3、CF2、CF 基團在吸附后的結構和吸附能絕對值都更有利于金剛石相的生成,適當提高CF3、CF2、CF 基團的濃度有助于實現金剛石相的更高速率生長。
關鍵詞 CVD 金剛石薄膜;氟;沉積機制;第一性原理;吸附;表面化學反應
中圖分類號 TQ164; TG74 文獻標志碼 A
文章編號 1006-852X(2024)01-0015-07
DOI 碼 10.13394/j.cnki.jgszz.2023.0069
收稿日期 2023-03-21 修回日期 2023-05-11