電子轟擊源內空間電荷對其性能的影響

黃 超,趙學玒,張建超,汪 曣

(天津大學精密儀器與光電子工程學院,天津 300072)

電子轟擊源內空間電荷對其性能的影響

黃 超,趙學玒,張建超,汪 曣

(天津大學精密儀器與光電子工程學院,天津 300072)

在實際應用中,電子轟擊(EI)源內的電子束會引起空間電荷效應,它對離子源性能的影響是不能被忽略的。首先,通過數值計算方法,獲得電子轟擊源內電場的泊松分布和離子在其內的運動狀態,并分析電子轟擊源內的空間電荷效應對其性能的影響機理;隨后,獲得電子轟擊源燈絲發射電流與不同離子出射強度的關系曲線,驗證理論計算和分析的正確性。

電子轟擊源;空間電荷;性能;數值計算方法

電子轟擊(EI)是重要的氣相離子源之一,能夠用于四極桿、飛行時間和磁式等諸多質量分析器[1-2],并擁有標準譜庫,是氣相色譜-質譜聯用儀最常用的電離源之一,在物理、化工、環境、能源、檢驗檢疫、公共安全等領域有著廣泛的應用[3-6]。

電離效率是 EI源最為重要的性能參數,這是因為EI源的電離效率直接影響著質譜儀的分析靈敏度。提高 EI源電離效率的方法有很多種,例如提高電離區域的局部樣品濃度[7]等,最為直接的方法是增加 EI源燈絲電流,使之產生密度更大的電子束。然而,隨著 EI源燈絲電流的增大,EI源內電子束的密度也隨之增大,當增大至一定程度時,其產生的空間電荷效應就會改變離子在EI源內的運動狀態,從而影響質譜儀的分析靈敏度。

為了研究空間電荷效應對EI源性能影響的機理,本研究首先基于泊松方程,利用數值計算方法獲得不同EI燈絲發射電流下離子源內的電場分布和在該電場分布下的離子運動狀態,進而分析空間電荷效應是如何影響EI源的性能。然后,通過實驗研究不同 EI源燈絲電流與檢測到離子強度的變化情況,驗證理論計算和分析的正確性。

1 EI源結構

EI源結構由燈絲、電子勢阱、引出電極、聚焦電極、傳輸電極和永磁鐵組成,示于圖1。

圖1 EI源結構示意圖Fig.1 Setup of EI source

燈絲采用WRe20合金材料(北京鎢鉬材料廠產品),比純鎢具有更好的韌性和延展性,直徑為0.2 mm,盤繞2圈增大電子發射面積,有效長度為8 mm。離子源中燈絲發射電流為幾十到幾百微安。當通電受熱的燈絲溫度達到1 500 K時,在電場的作用下,電子會從鎢錸合金材料的表面逃逸出來,并被加速,在永磁鐵形成的500 Gs磁場作用下,電子盤旋前進增加電離效率,最后被電子勢阱收集。電子所獲得的動能是由燈絲與電子接收阱間的相對電壓值決定的,能量在10～70 eV之間可調。引出電極是厚度0.6 mm的不銹鋼圓片,聚焦電極是長13 mm的不銹鋼圓筒,與離子源殼體共同組成離子透鏡。

2 EI源內的空間電荷效應

2.1 電離室內的泊松電場分布

燈絲電流很小,且不加入磁鐵時,空間電荷密度很小,其對離子運動狀態的影響可以忽略不計,此時,離子源內電場分布滿足拉普拉斯方程。當增大燈絲發射電流或加入磁鐵來增加電子路徑時,隨著發射電流的增加和磁體作用效應的體現,EI源內電子空間電荷效應也會加強,拉普拉斯方程已不再適用,這時 EI源內的電場分布需要利用泊松方程進行求解。

其中,ρ為空間內的電荷密度,ε0為真空中的介電常數。這里,設電荷在燈絲孔下方區域均勻分布,具體的函數形式為:

其中,f(r)表示電荷密度函數,Iemission表示燈絲發射電流。

在實際電子或離子光學系統中,由于邊界條件復雜,一般很難用解析的方法求解拉普拉斯方程或泊松方程。在這種情況下,需要用數值計算法和迭代法去逼近解析值。泊松方程的求解是一個自洽求解過程[8],主要計算流程示于圖2。

圖2 泊松方程求解電場分布的計算流程Fig.2 Flowchart of calculation for Poisson equation of electric field in EI source

在Matlab中進行編程計算后,獲得電離室內的電場分布,示于圖3。將泊松分布場減去拉普拉斯分布場后獲得的場分布可認為是空間電荷在電離室內形成的電場,它是一個環形場,示于圖4。

圖3 不同電子流強度下,電離室內的電場分布Fig.3 Distribution of electric field in the ionization room under different electron flows

圖4 不同電子流強度下,空間電荷所形成的電場Fig.4 Electric field in the ionization room caused by space charge under different electron flows

2.2 空間電荷效應對離子運動的影響

由圖3、4可知,強電子流引起的空間電荷會使電離室內的電場發生畸變。圖3示意了隨著EI源燈絲發射電流的增加,電離室內電場的等勢線隨著發射電流的增加從“外凸”到“內凹”,離子運動軌跡也由發散變成了會聚。因此,當燈絲發射電流增加到一定程度(大約1 mA),使得從EI源出射的離子強度增加的不僅僅是因為電子束密度的增加,還由于離子運動軌跡由發散變為會聚,從而增加了出射離子的數量。

但是,從圖4可以看出,隨著 EI源燈絲發射電流的增加,由強電子流引起的空間電荷效應產生的環形電場強度也在增加。當該環形電場強度增加到一定程度,會使電離后的離子做環繞運動,對離子有滯留的效果,離子無法快速引出,因此很容易與電子重新復合而成為中性粒子,從而降低離子傳輸效率和儀器靈敏度。

當環形場強度比較小時,離子飛行時間基本與質量的平方根成正比,并且不同質量數的離子不會發生軌跡分離。在SIMION模擬中,推斥極板電壓為80 V,而環形場內外電極電勢差為20 V時的情況示于圖5。當環形場強度增加,飛行時間與質量的平方根出現非線性,質量大的離子更容易滯留在環形場內,數據列于表1。因此,空間電荷效應對不同質量離子具有不同程度的影響,從而產生質量歧視。

圖5 處于加速電場中的環形電場內離子運動示意圖Fig.5 Ion motion in the circular field located in the accelerating field

表1 不同環形電場強度下,離子飛行時間與質量數平方根的比Table 1 The ratio between time of flight and square root of mass of ions under different circular field strength

3 結果及討論

3.1 實驗結果及分析

3.1.1 無磁體 從圖6可以看出,OH+(17 u)隨著發射電流升高而升高,700μA以后,升高趨勢變得平緩。另外,從不同離子強度與OH+強度之比隨發射電流變化曲線可以看出,發射電流對不同質量數離子的通過率是不同的,即強電子流引起的空間電荷效應是產生質量歧視的根源之一,示于圖7。

圖6 不同發射電流下,離子流強度的變化Fig.6 Change of ion intensity under different emission currents

圖7 各離子強度與OH+強度比值隨發射電流變化曲線Fig.7 Change of the proportion of other ions to OH+during the emission current increasing

3.1.2 有磁體 加入磁鐵后,由于電子的螺旋運動使空間內的電荷密度增加,從而使由電子引起的空間電荷效應更加明顯,示于圖8。與沒有加入磁體相比(圖6),加入磁鐵后,空間電荷效應表現得極為明顯,出現離子流強度隨著發射電流的增加而降低的現象。

從圖9可以看出,EI源燈絲發射電流增大,大質量數的離子更快的達到極大值,然后,隨著發射電流增大而減少,因此,離子質荷比越大,空間電荷效應對其影響就越明顯。與沒有加入磁體相比(圖7),加入磁鐵后,質量歧視更嚴重,這是因為加入磁鐵后,加劇了空間電荷效應。所以,空間電荷效應是 EI源MS產生質量歧視的因素之一。在乙醇進樣下,Ar+與C2H5O+峰強隨燈絲電流的變化示于圖10。

圖8 加入磁體時,離子流隨發射電流強度的變化Fig.8 Change of ion intensity under different emission current with magnet

圖9 不同質量數離子流強度隨發射電流的變化Fig.9 Change of the intensity of different ions with the emission current increasing

圖10 乙醇進樣下,譜圖隨燈絲電流的變化情況Fig.10 Change of spectrum of C2H5OH with the emission current increasing

4 結論

通過理論計算和分析可知,當 EI源燈絲發射電流在一定范圍內增加時,空間電荷效應可以忽略,此時EI源出射離子流強度隨燈絲發射電流的增大而增大。然而,當 EI源燈絲發射電流增大到一定程度時,空間電荷效應不可忽略,它將阻礙離子引出,此時 EI源出射離子流強度隨燈絲發射電流的增大而減小。而且,由于空間電荷等效環形場電場對不同質量數離子束縛能力不同,造成不同電子流強度下,不同質量數的離子會有不同的傳輸率,從而給 EI源帶來質量歧視效應。實驗結果驗證了理論計算和分析得出的空間電荷對EI源性能影響的結論。

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Influence of the Space Charge in Electron Impact Ion Source on Its Performance

HUANG Chao,ZHAO Xue-hong,ZHANGJian-chao,WANG Yan
(College of Precision Instrument and Optoelectronics Engineering,Tianjin University,Tianjin300072,China)

In the practical application,space charge will be caused by the electron beam in the electron impact ion source,the influence of which should not be ignored.The passion distribution of electric field in ion source was achieved by the numerical method,and the movement of ions in it was also gotten.After that,with the use of the result from the calculation,the influence of the space charge on the performance of ion source was analyzed.Finally,an experiment was carried out to obtain the relationship between emission current of ion source and the intensity of different ions.The result of this experiment verifies the calculation and analysis mentioned above.

electron impact ion source;space charge;performance;numerical method

O 657.63

A

1004-2997(2011)02-0071-06

2010-06-30;

2010-09-29

黃 超(1981～),男(漢族),江西都昌人,博士研究生,從事質譜儀器研究。E-mail:huangchao@tju.edu.cn

趙學玒(1956～),男(漢族),天津人,副教授,從事分析儀器研究。E-mail:zhaoxh@tju.edu.cn