方春易
(中國科學院 長春光學精密機械與物理研究所,長春 130033)
頻率選擇表面(frequency selective surface簡稱FSS)是由特定形狀單元圖形構成的一種二維周期陣列結構,可分為帶通型和帶阻型[1]。帶通型FSS按照導電金屬屏的厚度應分為薄屏FSS和厚屏FSS,當導電金屬屏厚度小于λ時定義為薄屏FSS,當導電金屬屏的電厚度大于定義為厚屏FSS[2,3]。目前,國內對薄屏FSS的研究很多,大多是針對雷達隱身技術方面的應用[4-6],并且取得了一定的成果[7-9],但尚無人進行厚屏FSS的研究。由于厚屏FSS具有高Q值和較好的頻選特性以及良好的機械性能[10],所以更加適合于曲面的應用。特別地,工程上應用其在雷達天線罩上,能夠解決雙薄屏FSS級聯時的對準問題。鑒于此,本文針對厚屏FSS的傳輸特性進行研究,為厚屏FSS在將來在工程上的應用提供一定的參考與借鑒。
圖1 厚屏FSS結構示意圖
對厚屏FSS建模與分析時,不同于薄屏FSS的是,不能忽略金屬屏厚度t=0。其原因是在于具有一定厚度的金屬屏,即t≠0,則厚屏單元成為波導單元,而波導單元是具有一定導波作用的。首先應將入射波在厚屏FSS上所形成的散射場用Floquet模式展開,而對于圓孔單元(波導單元)中的場按波導模式展開,然后對FSS界面上強加電磁場邊界條件?;谀芰渴睾愣?,可以建立一系列關聯的積分方程。最后采用矩量法求解耦合積分方程,進而求出傳輸系數。具體地,在導電金屬屏的單元的孔徑兩邊分別設置磁流,由于磁流是連續的,并且孔徑兩邊磁流大小相等,方向相反。如圖2所示,將單元分為自由空間區A,波導區B,自由空間區C共3個區域。分別對每個分區進行單獨分析;再利用孔徑上的磁流將3個區域進行耦合,然后采用矩量法求解,這里只要分析一個單元即可確定整個厚屏FSS的傳輸特性。
圖2 介質填充厚屏FSS的單元結構分析圖
由邊界條件得出,孔徑1左邊與右邊磁流大小相等,方向相反,用波導函數表示為
同理,孔徑2左邊與右邊磁流為
孔徑1磁場切向量為
孔徑2磁場切向量為
由邊界條件得出,孔徑1和孔徑2處電場和磁場的切向量分別在各自邊界處相等,再與和做內積為
設計了一種圓孔單元無介質填充的厚屏FSS,如圖3所示。以純鋁材料作為金屬屏,單元直徑d=20.28mm,單元間距S=26.8mm。金屬屏厚度(波導長度)t依次取1.5mm、2.5mm、3.0mm、5.0mm、10.0mm。對該結構在入射波正入射的傳輸特性進行仿真研究,傳輸特性曲線如圖4。對比結果如表1可見,當t=1.5mm時,中心頻率 f0=10GHz,-3dB帶寬W=4.0GHz。當金屬屏厚度增加為t=3.0mm,中心頻率 f0=9.8GHz,-3dB帶寬W=3.4GHz;中心頻率變化不大,帶寬減小了0.6GHz,此時出現凹頂現象,凹陷程度隨金屬屏厚度的增大而變深。隨著金屬屏厚度的增加,中心頻率變化不大,帶寬變窄,陡降性較好,頂部的凹度變深,這是由于入射波在波導內傳輸中的損耗所致。這里,由于實際中的波導壁不是完全導體,即σ≠∞,所以就存在傳導電流,那么入射電磁波在波導中傳播時就會有損耗,也就是說,場在波導內傳播必有衰減。
圖3 圓孔單元的厚屏FSS示意圖
圖4 不同厚度的金屬屏傳輸特性的 影響(θ =00,φ=00)
圖5 有介質填充的厚屏FSS(θ =00,φ=00)的傳輸特性
表1 不同厚度的金屬屏傳輸特性
對上述金屬屏的波導單元內添加介質,介電常數 εr=4.0,金屬屏厚度t依次取1.5mm、2.5mm、3.0mm、5.0mm、10.0mm。則對該結構在入射波正入射的傳輸特性進行仿真研究,傳輸特性曲線如圖5。對比結果如表2可見,由于介質的填充效應,當金屬屏厚度t=1.5mm,中心頻率 f0=8.6GHz,同無介質金屬屏相比,中心頻率降低了1.4GHz;隨著金屬屏厚度增加為t=3.0mm,中心頻率 f0=7.4GHz,中心頻率繼續降低了1.2GHz。通過與無介質填充的厚屏FSS相比較,發現有介質填充的厚屏FSS的變化規律:厚屏FSS的導電金屬屏厚度是有界的,不可任意設定,本文中其厚度的取值僅是作為理論分析的需要;填充介質只影響中心頻率,對帶寬影響不大;填充介質可以消除獨厚屏FSS的凹頂現象,其原因是填充介質的電導率σ→0,則衰減常數α→0,使得入射電磁波在波導內傳播過程中的能量損耗減小。
表2 有介質填充圓孔單元的厚屏FSS的傳輸特性
設計了圓孔單元厚屏FSS結構,采用矩量法對其傳輸特性進行了仿真研究。結果發現:無介質金屬屏在不同金屬屏厚度時具有較穩定的中心頻率;隨導電金屬屏的厚度增大,-3dB帶寬減??;右邊頻的陡降性很好,且不隨厚度變化。填充介質后的厚屏FSS同無介質的金屬屏相比,帶寬變小,中心頻率向低漂移,且不同厚度下的中心頻率不同。有介質填充情況下,為獲得不同屏厚度時中心頻率的穩定性,可在FSS上下表面填充介質,此時可獲得理想的帶寬以及較穩定的中心頻率。
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