寄生參數對并聯SiC MOSFET電流不均衡的影響

張永剛，寧平凡，劉 婕，王迪迪，肖寧如，李玉強

(1.天津工業大學 電氣工程與自動化學院，天津 300387；2.天津工業大學 電子與信息工程學院,天津 300387；3.天津工業大學 大功率半導體照明應用系統教育部工程研究中心,天津 300387)

0 引言

隨著電動汽車、新能源行業等新興工業領域的發展，電力電子設備的應用領域也越來越廣泛。作為功率開關器件的MOSFET和IGBT更引起研究人員的注意。傳統的硅基器件在耐壓、工作頻率等方面都已經達到其物理極限，遠不能滿足日益提升的要求[1]，而作為寬禁帶半導體代表的SiC、GaAs在高溫、高壓、高頻環境下具有較高的熱導率和較低損耗等優良的物理特性[2，3]。因此，SiC MOSFET在新能源汽車，大功率變流設備中逐步替代傳統半導體器件[4]。SiC MOSFET制造，封裝工藝相較于傳統MOSFET并不成熟，晶圓尺寸和生長速度也遠小于硅。在相同電壓等級下，電流耐受程度越高，其制造、使用、后期維護的成本也越高。即使是相同型號的芯片，參數也會有一定的差異性，更大的電流和更高的開關速度下使得寄生參數在開關過程中對并聯電流不均衡的影響更明顯。如今，對于SiC MOSFET的研究主要集中于器件封裝[5]，器件模型的建立[6]以及大規模應用等重要領域[7]，而寄生參數對并聯電流不均衡影響的研究相對較少。關于寄生參數研究的方法主要有：(1) 通過實驗測量寄生參數的影響[8]，(2) 通過數學公式建立模型，進行相關的理論分析[9]，(3) 通過軟件進行仿真，研究寄生參數對于開關和導通過程的影響[10]。并聯SiC MOSFET的電流不平衡主要分為動態和靜態兩個方面。動態電流不均衡是指在開關過程中，漏極電流由于寄生參數，驅動回路等因素所導致的差異。靜態電流不均衡是指并聯SiC MOSFET在完全導通的情況下，由于導通電阻和驅動電壓等因素導致的漏極電流不均衡現象。在相同電壓等級下采用更高電流等級的碳化硅模塊將不存在電流不均衡的問題[11]，同時還能有效降低開關損耗，隨著電流等級的提高，碳化硅芯片的制造技術不成熟，產能不足等原因導致的價格偏高，備貨不充足等相關問題更嚴重，難以滿足工業生產的需要。對并聯芯片進行有效的均流措施可以有效緩解上述問題。因此對并聯SiC MOSFET電流不均衡影響因素的研究就非常重要，為SiC MOSFET更廣泛的使用提供理論支持。

本文分析影響并聯SiC MOSFET電流不均衡的因素，通過仿真實驗的方法驗證理論分析的正確性。同時還給出了一種基于阻抗平衡聯合磁芯電感的方法用以抑制并聯電流不均衡，以提高并聯SiC MOSFET系統的使工作效率。

1 寄生參數對并聯SiC MOSFET電流不均衡的影響

本文選用CREE公司的C2M008120D型SiC MOSFET為研究對象，采用其官方網站所提供的spice模型，搭建相關仿真電路并進行了仿真實驗。

圖1是考慮寄生參數的并聯SiC MOSFET的仿真測試原理圖。圖中Vg是柵極驅動信號源，Rg是柵極驅動電阻，包括SiC MOSFET內部柵極驅動和外部驅動等兩部分，DUT1,2是兩個并聯使用的SiC MOSFET被測芯片模型。Lg1、2分別是兩個被測芯片的柵極寄生電感，Ld1、2是漏極寄生電感，Ls1、2是源極寄生電感。Cgd1、2是柵漏極寄生電容，Cgs1、2是柵源極寄生電容，Cds1、2漏源極寄生電容。Cbus是母線電容，VDD作為直流負載電壓，設置為600 V。由數據手冊及spice模型的庫文件得C2M008120D部分參數如表1所示。

圖1 考慮寄生參數的并聯SiC MOSFET

表1 基于數據手冊的C2M008120D靜態參數

1.1 柵極寄生電感Lg對并聯SiC MOSFET電流不均衡的影響

驅動回路中的柵極寄生電感Lg，來源于驅動引線長度和封裝過程中引腳長度。柵極寄生電感Lg對輸入電容Ciss的充放電速度和開關振蕩勢必有一定的影響。在仿真實驗的過程中僅考慮柵極寄生電感Lg的差異，保持柵極寄生電感Lg1為1 nH不變，另一支路上柵極寄生電感Lg2分次設置為10、20、30 nH，用以模擬不同柵極寄生電感下，對并聯漏極電流id的影響程度，其仿真結果如圖2所示。

圖2 柵極寄生電感對并聯電流不均衡的影響

在并聯使用的開通過程中，并聯支路上的漏極電流分別為

id1=gm(Ug-Lg1ig-Vth)，

(1)

id2=gm(Ug-Lg2ig-Vth)，

(2)

gm表示器件的跨導，ig1，2表示柵極驅動電流。在該過程中的電流不均衡度為

(3)

由公式(3)以及仿真結果可知，柵極電感小的器件比柵極電感大的器件更早開通，而柵極電感大的，需要分擔的電流也更多。柵極寄生電感Lg只有在差異較大的情況下才會對并聯SiC MOSFET開關過程中的電流產生影響，當兩并聯SiC MOSFET完全導通后,柵極寄生電感Lg對靜態電流均衡并無明顯的影響。

1.2 漏極寄生電感Ld對并聯SiC MOSFET電流不均衡的影響

漏極寄生電感源于器件封裝過程和布線結構，漏極寄生電感Ld與寄生二極管在導通后形成振蕩回路，引起電流振蕩，在關斷過程中，漏源極電容Cgs開始充電過程，關斷后與之形成振蕩回路。在仿真實驗的過程中僅考慮漏極寄生電感的差異，保持柵極寄生電感Ld1為6 nH保持不變，另一支路上漏極寄生電感分次設置為4、8、10 nH，用以模擬不同柵極寄生電感下，對并聯漏極電流id的影響程度，開關過程的仿真結果如圖3所示，完全導通的仿真結果如圖4所示。

圖3 漏極寄生電感對并聯電流不均衡的影響

圖4 漏極電感對靜態電流不均衡的影響

由仿真結果可知，漏極寄生電感Ld對開關過程及導通后的電流不均衡均有較大的影響。漏極電感較大的支路，電流過沖較大，更容易引起電流振蕩現象的發生，這也是導致器件損壞的重要原因之一。圖4中，12 μs時并聯器件由完全導通進入關斷狀態，電流急劇下降。在完全導通后，由戴維南定理(Thevenin's theorem)得

(4)

式(4)中的di/dt是電流變化率，Rdson是導通電阻。id是漏極電流，Udc是母線電壓，當導通電阻恒定時，此時的電流差異可以表示為

(5)

漏極寄生電感的差異直接決定了漏極電流在靜態過程中的差異。在開關過程中，漏極寄生電感Ld和寄生的體二極管形成諧振回路，引起電流振蕩，振蕩頻率為

(6)

關斷過程中，漏極寄生電容Ld完成對漏源極電容Cds充電，并與之形成諧振回路，振蕩頻率為

(7)

漏極寄生電感Ld主要影響器件在開關過程中電流上升(下降)后的波形，當Ld較大的振蕩頻率小、阻尼系數小，因此，在開關過程中，較大Ld支路的電流過沖大同時振蕩幅度也較大。

1.3 源極寄生電感Ls對并聯SiC MOSFET電流不均衡的影響

源極寄生電感Ls也是影響并聯SiC MOSFET電流不均衡的重要因素。在仿真實驗的過程中僅考慮源極寄生電感Ls的差異，保持源極寄生電感Ls1為1 nH不變，另一支路上漏極寄生電感Ls2分次設置為5、10、15 nH，用以模擬不同源極寄生電感下，對并聯漏極電流id的影響程度，其仿真結果如圖5所示。

圖5 源極寄生電感對并聯電流不均衡的影響

源極寄生電感對柵源極電壓具有負反饋作用，同時對靜態電流幾乎為無影響由于在到通知后，電流變化率幾乎為零，因此就不會影響電流的變化，如公式(8)所示

(8)

在導通過程中，當源極寄生電感較大時， SiC MOSFET開通較慢，同時承擔的電流較小，當并聯器件的Ls差異增大時，Ls較小的支路上電流過沖增大。關斷過程與之類似。

1.4 柵源極寄生電容Cgs對并聯SiC MOSFET電流不均衡的影響

作為電壓控制型號器件，Si C MOSFET的開通關斷實際上就是對柵極電容充放電的過程，由數據手冊可知，器件的在輸入電容Ciss由柵源極電容Cgs和柵漏極電容Cgd組成。在仿真實驗的過程中僅考慮漏極寄生電感的差異，保持柵源極寄生電容Cgs1為900 pF不變，另一支路上柵源極寄生電容Cgs2分次設置為930、960、1000 pF，用以模擬不同柵極寄生電感下，對并聯漏極電流id的影響程度，其仿真結果如圖6所示。

圖6 柵源極寄生電容對并聯電流不均衡的影響

從圖6可以看出，并聯SiC MOSFET的漏極電流對于柵源極寄生電容非常敏感較小的支路上開關速度較快且漏極電流的波動也很小。在兩器件完全導通后，漏極寄生電感Ld對靜態電流均衡并無明顯的影響。Cgs主要影響柵極電壓的上升/下降快慢，在同樣的條件下Cgs較小的器件柵壓更早滿足閾值，這就直接影響到器件的開關速度。減小柵源極電容與柵極驅動電阻可形成RC 緩沖電路，可以降低器件的充放電速度，降低器件的開關速度，抑制振蕩現象的發生。柵源極寄生電容越大，回路的時間常數越大，充放電時間越長，器件的開關速度越慢。同樣，開關速度慢會增加器件損耗，降低器件可工作的開關頻率。

SiC MOSFET 的開關過程對Cgs十分敏感，首先表現在柵極電壓的上升/下降速度慢，從而導致了開關過程中電流的不平衡。由于Cgs2較大，該支路開關速度較慢，Cgs2支路的數值越大，器件開通較慢，它的電流較小。在關斷過程中，Cgs2數值越大的支路器件關斷更慢，則承受更大的電流。由數據手冊可知，SiC MOSFET的Cgd，Cds數值較小，不匹配程度也相對小。因此對并聯使用的SiC MOSFET開關過程中電流不均衡影響也較小，因此文中并未針對上述兩參數對并聯電流不均衡的抑制進行分析。

2 并聯SiC MOSFET電流不均衡的抑制

并聯SiC MOEFT電流均流方法可分為降額法[12]，阻抗平衡法[13，14]柵極電阻補償法[15，16]和有源柵極控制法[17，18]。本文給出了一種基于阻抗平衡聯合磁芯電感的方法用以抑制并聯SiC MSOFET電路不均衡的現象的發生。

如圖7所示，是一種基于阻抗平衡和磁芯電感的并聯SiC MOSFET電流不平衡抑制的電路原理圖。其中Rc是串聯接入并聯支路的均流電阻，Lm表示磁芯電感。在并聯SiC MOSFET的回路中，

圖7 電路原理圖

U1=id1(Rc+Rdson1)，

(9)

U2=id2(Rc+Rdson2)。

(10)

此時，漏極不均衡電流之比

(11)

將均流電阻Rc設置為1 Ω，遠大于數據手冊中80 mΩ的導通電阻。在導通狀態下，電流處于平衡狀態且不會造成過大的損耗。并聯SiC MOSFET支路中的電流流入匝數、結構完全相同的纏繞在磁芯上的線圈。當并聯回路的寄生參數，功率回路一致時，漏極流過的電流不會有任何差異。兩電流在磁芯中產生的磁通量的矢量和為零，對流過的電流不會產生作用。相反的，當電流不均衡，磁芯電感就會產生相反的磁通相互抵消后的剩余磁通會在磁芯中產生感應電動勢，并作用到電流上升較快的支路上進而使電流趨于平衡狀態。由安培環路定理可知

(12)

式中的H表示磁場強度，R表示磁芯電感的有效半徑，n表示線圈的匝數，i表示流過線圈的電流大小。兩個線圈匝數相同，線圈回路中的勵磁電感Lm對兩并聯支路中電流的不平衡可以起到抑制作用，其感應電動勢Uf為

(13)

磁感應強度

ΔB=μrμ0(H1-H2)，

(14)

(15)

式中的B表示磁感應強度，μr表示磁芯的相對磁導率，μ0為空氣磁導率，S為磁芯的橫截面積，Rmax,Rmin分別表示磁環內外徑的大小。由公式(14)(15)可以得出

(16)

感應電動勢Uf

(17)

磁芯電感抑制電流不平衡的本質在于作用在不平衡電流上的電感是線圈中的勵磁電感大于作用在兩支路電流上的電感。該均流方案適用于所有可能導致電流不均衡因素的抑制，下文將以柵極寄生電容不匹配導致的電流不均衡為例，進行仿真實驗的驗證。驗證結果如圖8所示。

圖8 采取均流措施后開關過程中的漏極電流

如圖8所示，針對柵極寄生電容Cgs的不匹配所產生的電流不均衡在采用一種基于阻抗平衡和磁芯電感的均流方法后，從圖中可以看出相比于原來電流在開關過程中電流不均衡有較大程度的改善。

3 結語

本文針對可能導致并聯SiC MOSFET電流不均衡的因素，基于CREE官網提供的spice模型進行了相關的仿真及理論分析。還給出了一種基于阻抗平衡聯合磁芯電感的均流方法，該方法能有效抑制各種因素導致的動靜態電流不均衡現象的發生。

(1) 并聯使用的SiC MOSFET可以有效提高系統的功率密度。寄生參數不匹配會導致的并聯電流不均衡，嚴重威脅回路的安全工作。源極寄生電感Ls和柵源極寄生電容Cgs對開關過程中電流不均衡有較大的影響而對導通之后的電流不均衡則影響較小可以忽略。漏極寄生電感Ld則主要影響靜態電流不均衡而柵極寄生電感Lg只有在數值差異較大的情況下才會對動態電流不均衡產生影響。因此，在并聯使用SiC MOSFET的過程中，芯片的寄生參數不匹配會嚴重影響到并聯電流不均衡程度，進而威脅回路安全工作。

(2) 在并聯SiC MOSFET工程中，不平衡電流流過均流電阻和磁芯電感，磁芯電感會產生較大的勵磁電感，抑制并聯過程中的不平衡電流，從而有效改善電流不均衡現象的發生。串聯接入的均流電阻和磁芯電感對動靜態電流不均衡有良好的抑制效果，能有效保護電路提高工作效率。