勢壘
- 利用Matlab軟件對一維薛定諤方程的動力學可視化教學*
.本文結合一維方勢壘模型的具體示例[3],利用Matlab仿真軟件提供的強大模擬功能,旨在通過圖像式直觀教學拓展課程的深度和廣度,并攻克知識難點和課程難點,以獲得正確的量子力學圖景.通過仿真軟件的支持,我們可以更加直觀地觀察和分析一維方勢壘模型的量子化行為[4].其次,通過Matlab仿真軟件,我們可以更新方勢壘模型的表達方式.學生可以靈活調整勢壘高度、寬度和形狀等參數,并實時觀察波函數的變化.這種交互式的學習方式有助于學生深入理解勢壘對波函數的影響,加深
物理通報 2023年11期2023-11-08
- 原子級控制的約瑟夫森結中Al2O3 勢壘層制備工藝
森結中AlOX 勢壘層是將高純度氧氣擴散到Al 表面進行,但該方式制備的勢壘層氧化不完全,厚度難以精準控制.本文采用原子層沉積方式在金屬Ti 表面逐層生長Al2O3 勢壘層,并制備出三明治結構的Ti/Al2O3/Ti 約瑟夫森結.通過調節Al2O3 勢壘層的沉積厚度和約瑟夫森結的面積研究了其相應的微觀結構及電學性質.實驗結果表明,原子層沉積方式生長的單層Al2O3 薄膜厚度約為1.17 ?(1 ?=10-10 m),達到原子級控制勢壘層厚度,通過調節勢壘層
物理學報 2022年21期2022-11-14
- 半開放系統中的粒子逃逸問題*
和多個 δ 函數勢壘組成的半Dirac 梳模型,首先求解該模型的精確解析解,其能量本征函數可以用遞推關系以封閉解析的形式給出.對單個勢壘、多個勢壘、無序勢壘等不同情況,利用傅里葉積分計算了任意時刻單粒子波函數的明確表示,導出了由初態保真度定義的粒子生存幾率閉合形式的表達式,重點研究了粒子生存幾率對勢壘高度、無序強度等系統參數的依賴,以及利用相關參數對衰減規律的操控及抑制.發現多個勢壘將大幅度提高粒子的生存幾率,無序的加入會極大地抑制其隨時間的振蕩.1 引言
物理學報 2022年16期2022-08-28
- 基于狄拉克方程推導求解一維勢壘問題
]，薛定諤方程在勢壘區域是否適用，既沒有實驗上的定量驗證，也沒有理論上的嚴格推導。通過以上式(5)和(6)的步驟，作者從理論上嚴格推導出了負動能薛定諤方程。并且論證薛定諤方程和負動能薛定諤方程的適用范圍，如表1所示。薛定諤方程和負動能薛定諤方程結合成一對方程，使得相對論量子力學方程關于正負動能解的三個對稱性在低動量運動得以保留[7]。第一個是正負動能解的對稱性，如式(2)所示。第二個是正負動能解的流密度數值相同方向相反。第三個是如果勢能取相反數，則方程的本
華北科技學院學報 2022年1期2022-05-25
- ε-(AlxGa1-x)2O3/ε-Ga2O3異質結電子輸運性質研究
a1-x)2O3勢壘層為研究對象，考慮有限厚度的勢壘層和異質結界面的自發極化和壓電極化效應，給出ε-(AlxGa1-x)2O3/ε-Ga2O3異質結結構的2DEG特性，在不同Al摩爾組分和ε-(AlxGa1-x)2O3勢壘層厚度的情況下，研究它們對2DEG濃度、合金無序散射、界面粗糙度散射和極性光學聲子散射的影響，研究結果對控制ε-(AlxGa1-x)2O3/ε-Ga2O3異質結構中的2DEG濃度和提高電子遷移率具有一定意義。1 理論模型與計算方法1.1
人工晶體學報 2022年3期2022-04-14
- 一維雙方勢壘量子隧穿的研究及其數值模擬
入射粒子能量小于勢壘高度，其仍然有一定的概率穿過勢壘，出現在勢壘后面的區域．而當入射粒子能量略微高于勢壘高度，仍然有一定概率在勢壘表面發生反射．這些現象用經典力學無法解釋，必須借助于量子力學理論，其本質為微觀粒子具有波粒二象性[1-4]．因此，量子隧穿現象是粒子具有波動性的表現．利用量子隧穿效應，能夠非常好地解釋放射性元素α衰變、熱核聚變、金屬電子冷發射、半導體p-n結、隧道二極管等．除此之外，量子隧穿效應的重要實際應用之一為掃描隧道顯微鏡，1993年利用
大學物理 2022年1期2022-01-13
- 具有卓越光輸出效率的GaN基LED模擬研究
小組設計了不同的勢壘結構，以實現高空穴注入和低極化效果。例如，梯度漸變的InGaN勢壘，這種結構可以減少阱之間的極化效應，導致輕微彎曲，還將減少p型一端電子的積累。另一小組設計了InGaN/GaN超晶格勢壘及漸變的銦成分阱和勢壘，這種結構可進一步減小阱和勢壘之間的極化效應，使有源區中的載流子濃度分布更均勻[2]。設計使用鋸齒形的AlGaN EBL和齒形的InGaN/GaN勢壘來進一步提升GaN基LED的光輸出功率。1 結構設計和參數設置利用物理仿真軟件進行
燈與照明 2021年3期2021-11-23
- 高工作溫度紅外探測器的研究進展及趨勢
的前景。本文介紹勢壘型探測器的結構特點，闡述構建勢壘型探測器的材料結構類型與其對系統性能的影響，總結其他相關技術實現的高溫探測器。最后對勢壘型探測器目前的研究進展進行歸納，提出了幾個高溫探測器技術未來的研究方向。勢壘型結構；高工作溫度探測器；材料制備；熱成像系統；光電器件0 引言與傳統的光電系統相比，現代化光電系統逐漸向著體積更緊湊、功耗更低、成本更低的方向設計，也就是低SWaP（size, weight and power）應用。對于固態探測器來說，低S
紅外技術 2021年8期2021-08-31
- 單晶二維材料勢壘層磁性隧道結的偏壓效應
/絕緣(半導體)勢壘層/鐵磁電極三層構成。1975 年,Julliere[3]在Co/Ge/Fe 磁性隧道結中發現了隧穿磁電阻(Tunneling Magnetoresistance,TMR)效應,即磁性隧道結的隧穿電阻明顯依賴于兩鐵磁層的相對磁化方向。具體來說,當兩鐵磁層的相對磁化方向平行時,隧穿電阻小;當兩鐵磁層的相對磁化方向反平行時,隧穿電阻較大。20 世紀90 年代,磁性隧道結多以非晶氧化鋁(Al-O)作為勢壘層,但由于無序散射的原因,在室溫下只能
電子元件與材料 2021年7期2021-08-06
- MgO基磁性隧道結溫度-偏壓相圖的理論研究*
構建了適用于單晶勢壘層磁性隧道結的理論.該理論將單晶勢壘層視作周期性光柵, 利用光學衍射理論處理勢壘層對隧穿電子的衍射, 因此可以很好地計入隧穿電子波的相干性.根據此理論, 同時計入溫度和偏壓的影響計算了MgO基磁性隧道結的溫度-偏壓相圖.理論結果表明, 通過調節MgO基磁性隧道結的鐵磁電極半交換劈裂能D、化學勢μ以及勢壘層周期勢v(Kh)可以優化其溫度特性和偏壓特性.該結果為MgO基磁性隧道結的應用提供了堅實的理論基礎.1 引 言在上世紀90年代, 磁性
物理學報 2021年10期2021-06-01
- 利用超高斯光模擬方勢壘
即使粒子動能低于勢壘高度仍能以一定概率穿過勢壘的現象, 這是粒子波動性的直接體現. 1927年, Hund[1]首次注意到隧穿現象的幾率問題; 同年, Nordheim[2]應用薛定諤方程計算了電子從多種不同表面反射的反射系數. 隨后隧穿效應被廣泛應用于原子分子物理、核物理和固體物理的研究. 例如, Oppenheimer[3]根據隧穿計算了外場作用下氫原子的電離率; Gamow, Gurney和Condon用隧穿來解釋α粒子衰變[4-6]; Millik
華東師范大學學報（自然科學版） 2021年1期2021-02-06
- 不同元素摻雜對氯離子在TiO2膜擴散的影響研究
iO2膜內的擴散勢壘，由此預測元素擴散對材料耐蝕性能的影響。研究結果可為篩選耐蝕性鈦合金成分提供理論參考。1 實 驗本研究采用基于密度泛函理論的VASP軟件包進行計算[16-18]，電子交換和關聯作用采用廣義梯度近似泛函的Perdew-Burke-Emzerhof方案處理，平面波截斷能設置為500 eV。晶體結構優化采用共軛梯度算法，其收斂標準設置為：能量的收斂精度10-4eV，力的收斂精度 0.1 eV/nm。布里淵區采用Monkhors-Pack的3×
鈦工業進展 2020年6期2021-01-08
- 由薄層金屬表面電子隧穿和逸出功研究金屬表面結構
以越過金屬的逸出勢壘發射出，稱為金屬電子的冷發射[1]。根據金屬電子的冷發射電流可以確定隧穿電子數目，得出隧穿概率和透射系數，由透射系數和逸出勢壘的關系，可得金屬表面逸出功。由逸出勢壘、勢壘寬度和金屬電子能級的關系可以研究金屬的表面結構。關鍵詞：量子隧穿;勢壘;逸出功;冷發射;隧穿概率;透射系數;金屬電子能級中圖分類號：O485? ? ? ? ? 文獻標志碼：A? ? ? ? ?文章編號：2095-2945（2020）05-0050-03Abstract：
科技創新與應用 2020年5期2020-03-02
- 氮化物子帶躍遷探測器材料結構對器件效率的影響*
任意調節勢阱層和勢壘層厚度,也不會改變影響光生載流子傳輸的勢壘層極化電場分布.同時,降低臺階勢壘層鋁組分和適當增加其厚度可以提高光生載流子隧穿通過臺階勢壘層的效率.本文仿真結果對于設計優化的氮化物子帶躍遷探測器材料結構、提升器件性能具有指導意義.1 引 言基于氮化物體材料帶間躍遷工作的短波長光電探測器憑借其全固態、紫外波段量子效率高[1]的特點在軍用及民用領域得到廣泛應用.隨著外延技術的進步,薄層GaN/Al(Ga)N異質結材料結構的成功制備使得利用氮化物
物理學報 2019年22期2019-11-28
- 用背角準彈散射研究近庫侖勢壘能區重離子核反應
1004)近庫侖勢壘(近壘)能區重離子核反應涉及量子隧穿和耦合道效應等重要問題，是一個長期受關注但仍未解決的問題[1-3]。如對于熔合反應，還無法用耦合道理論同時再現16O+208Pb體系壘上和壘下能區的熔合截面和勢壘分布，擬合壘上的熔合激發函數需用較大的表面彌散參數a(a=1.0 fm)，而擬合勢壘分布則需要較小的a(a≈0.4 fm)[4]。熔合反應與背角準彈散射(QEL)經歷了相同的核勢并均含有反應機制的信息，是一對互補過程，即T+R=1(T為穿透勢
原子能科學技術 2019年10期2019-10-30
- 鋰離子電池正極材料Li2FeO2的電子結構性質和Li擴散*
低的Li離子擴散勢壘.目前關于Immm結構的Li2FeO2在實驗上還沒有相關的報道.本文從理論上研究這種材料不僅可以進一步豐富對此類材料性質的認識,而且對這類材料的探索及材料性質的預測具有重要的意義.2 計算方法本文的計算基于密度泛函理論(density functional theory,DFT)的第一性原理方法,采用VASP程序包,交換關聯能采用廣義梯度近似(generalized gradient approximation,GGA)[14],采用了
物理學報 2019年15期2019-09-04
- 一維M形勢壘透射系數的計算與分析*
跨越比其動能大的勢壘，該類經典力學案例最常見的有兩種，其一，小球克服重力勢能跨越斜木板問題：斜木板頂端和底端的重力勢能差大于小球初始動能時，從底端出發的小球不可能跨過斜木板；其二，帶電粒子克服電勢能跨越電容器的兩個極板問題：電容器兩極板的電勢能差值大于帶電粒子的初始動能時，從極板低電勢能一端出發的帶電粒子不能到達另一極板．從上面兩個案例可知經典力學表現出很強的因果定律，在力的作用下，物體具有決定性的運動狀態．但是同樣的兩個案例，如果將物體的尺寸都減小到微觀
物理通報 2019年7期2019-06-29
- Dirac-Weyl 半金屬結中電磁控制的克萊因隧穿和電荷電導
i等人利用一維電勢壘調控了反轉對稱下的Weyl半金屬中的電子隧穿并提出了波矢濾波器的模型[10]，隨后，Jalil等人利用單磁勢壘控制Weyl費米子角度依賴的克萊因隧穿，理論上獲得了電子共振下的完美透射環[11].在此基礎上，Cheng等人[12]進一步研究了Weyl半金屬中雙磁勢壘作用下的電子隧穿，其結果表明，角度依賴的電子隧穿在雙磁勢壘的布局方式、門電壓的高度以及費米能的調控下，可以實現動量空間波矢過濾.此外，新加坡Yesilyurt小組提出利用傾斜能
中南民族大學學報（自然科學版） 2019年2期2019-06-25
- Atom-pair Tunneling-induced Effective Schr?dinger Cat State and Its Quantum-classical Transitions in the Extended Bose-Hubbard Model
色-哈伯德模型小勢壘和大勢壘隧穿的相圖According to Eq(7,10),the phase diagram Fig.4 on decay rate withs=2 000 is obtained.We can distinguish three different situations in the phase-transition behavior of both barriers.In one region with a smallJand
山西師范大學學報（自然科學版） 2019年2期2019-06-17
- Pt/Au/n-InGaN肖特基接觸的電流輸運機理?
aN肖特基接觸的勢壘特性和電流輸運機理,結果表明,在不同背景載流子濃度下,Pt/Au/n-InGaN肖特基勢壘特性差異明顯.研究發現,較低生長溫度制備的InGaN中存在的高密度施主態氮空位(VN)缺陷導致背景載流子濃度增高,同時通過熱電子發射模式擬合得到高背景載流子濃度的InGaN肖特基勢壘高度和理想因子與熱電子場發射模式下的結果差別很大,表明VN缺陷誘發了隧穿機理并降低了肖特基勢壘高度,相應的隧穿電流顯著增大了肖特基勢壘總的輸運電流,證實熱電子發射和缺陷
物理學報 2018年21期2018-12-02
- 勢壘硅摻雜對GaN基LED極化電場及其光電性能的影響
nAlGaN作為勢壘材料來調節多量子阱中的應力[3]，對InGaN多量子阱壘層摻雜Si來改善器件的光學及電學性能[4-6]。勢壘層n型摻雜對于提升MQWs及LED器件的性能起著至關重要的作用。目前都通過調控壘層摻雜生長LED結構進行表征及光電性能討論。但對勢壘層Si摻雜的理論機理探討研究報道較少。目前，李國強等通過壘層Si摻雜來改善lnGaN綠光多量子阱的界面質量和電流的擴展性提高LED光電性能[7]；郭志友等通過壘層的n和p型摻雜提高LED的光輸出功率[
發光學報 2018年10期2018-10-26
- nBn型InSb紅外器件性能仿真
n結構是一種單極勢壘層探測器結構,其電極層以及吸收層均為n型材料,寬禁帶的勢壘層薄層嵌于電極層和吸收層之間,其能帶示意圖如圖1所示。勢壘層B會阻擋電極層中的電子向吸收區擴散,但不會阻擋吸收區的光生電子和空穴。在無光照時,器件內電流很??；當施加光照時,在吸收區由于光激發產生的電子空穴對分別在外加電場的抽取作用下運動,到達電極形成電信號。與傳統pn結結構器件不同,nBn結構沒有內建空間電荷區,其吸收層耗盡區寬度大大降低甚至完全消除,可以有效降低SRH暗電流、直
激光與紅外 2018年7期2018-08-08
- 增強型AlGaN/GaN HEMT勢壘層優化設計
要實現方法有：薄勢壘層、槽柵結構、柵下區域氟等離子體注入、柵極注入結構等[3-7]。為進一步探索和優化P-GaN柵增強型AlGaN/GaN HEMT器件的電學特性，采用Atlas進行仿真模擬，研究了AlxGa1-xN勢壘層厚度H及Al組分X對器件轉移特性、輸出特性、耐壓特性的影響以及對增大漏極偏壓時電流崩塌效應產生程度的影響。1 器件模型Atlas模擬軟件是基于載流子連續性方程、漂移擴散輸運方程、泊松方程，利用二維有限元的分析方法來得到器件的電學特性[8]
電子科技 2018年8期2018-07-23
- 影響AlGaN/GaN/AlGaN HEMT器件2DEG的因素
aN緩沖層一側的勢壘消失，能帶也拉平，電子氣在基態波函數擴展的很寬的范圍內將幾乎完全失去二維特性，其遷移率會大大降低，電學性能變差。而AlGaN/GaN/AlGaN雙異質結構，由于在GaN的另一側加入了Al組分較低的AlGaN背勢壘，提高了緩沖層一側的勢壘，增強了溝道量子阱中電子氣的限制，從而提高了HEMT器件的夾斷特性及輸出特性。本文分析AlGaN/GaN/AlGaN雙異質結構特性以及2DEG的分布情況，分析材料的個參數對2DEG的影響。2 AlGaN/
電子世界 2018年11期2018-06-19
- Effects of Three-dimensional Ehrlich-Schwoebel Barriers on Cu(111) and Cu(100) Homoepitaxial Growth
-083D ES勢壘對Cu(111) 和 Cu(001)晶面同質外延生長的影響董貴仁，唐吉玉，崔 靖，劉 娟，何右青(華南師范大學 物理與電信工程學院，廣東 廣州 510006)三維3D ES勢壘直接影響著層間擴散，在Cu(111) 和 Cu(100)面2D ES勢壘和3D ES勢壘是不同的。本文主要研究了基于(1+1)維KMC模型，在這兩個特殊的晶面上Cu薄膜的同質外延生長。觀察兩個面的生長情況，發現隨著溫度的增加薄膜的粗糙度逐漸減小，由于Cu(111)
材料科學與工程學報 2017年3期2017-06-21
- 半狄拉克費米子勢壘透射系數的計算
）半狄拉克費米子勢壘透射系數的計算胡靖1程鯤2黃備兵2*（1.鹽城工學院 電氣工程學院，江蘇鹽城 224051；2.鹽城工學院 數理學院，江蘇鹽城 224051）通過求解半狄拉克費米子勢壘問題的定態薛定諤方程，得到了半狄拉克費米子的透射系數與其入射到勢壘方向之間的關系。本文分別計算了勢壘在 x和 y方向上半狄拉克費米子的透射系數。這些結果表明半狄拉克費米子可以同時展現單層和雙層石墨烯的勢壘透射行為，為研究半狄拉克費米子的輸運行為提供了有價值的理論參考。半狄
中國科技縱橫 2016年19期2016-11-19
- 一維等間距δ勢壘中的波函數及其物理性質
)?一維等間距δ勢壘中的波函數及其物理性質洪云(重慶工商大學 計算機科學與信息工程學院，重慶 400067)利用透射矩陣方法，通過求解定態薛定諤方程，得出了一維等間距分布δ勢壘中的波函數及其物理性質；通過數值分析，討論了幾種等間距分布的δ勢壘中電子的透射系數和幾率流密度隨能量變化的特點。隧穿效應；δ勢壘；透射矩陣；透射系數；幾率流密度微觀粒子的量子隧穿效應是量子力學的重要內容之一，是粒子具有波動性的表現。量子隧穿現象在微電子學、半導體器件、新型材料和介觀物
重慶工商大學學報（自然科學版） 2016年5期2016-10-18
- 含有勢壘的一維無限深方勢阱的矩陣解法
2005）?含有勢壘的一維無限深方勢阱的矩陣解法朱昌勇（韶關學院 物理與機電工程學院， 廣東 韶關 512005）摘要：無限深方勢阱是量子力學中一個非常重要的模型，采用矩陣力學的方法解出了含有勢壘的一維無限深方勢阱的歸一化波函數和能級，并且討論了勢壘趨于?勢壘時能級的情況.關鍵詞：無限深勢阱；波函數；勢壘一維對稱無限深方勢阱是量子力學中最基本的問題之一，大部分的量子力學都有講述，而且可以通過奇偶性求得其解析解［1-3］.但是對于含有方勢壘的一維無限深方勢阱
韶關學院學報 2016年2期2016-08-05
- 自旋波在十字交叉形磁性納米線中的微磁模擬研究
視為一個自旋波“勢壘”。文章通過微磁模擬方法研究了在不同交變頻率外場激發的自旋波在十字交叉形坡莫合金納米線中的傳播特性，發現勢壘對自旋波傳播的影響與場源頻率有關。關鍵詞：自旋波；十字交叉形；磁性納米線；勢壘；微磁模擬 文獻標識碼：A中圖分類號：TQ31 文章編號：1009-2374（2016）17-0013-03 DOI：10.13535/j.cnki.11-4406/n.2016.17.0061 微磁模擬我們設計的十字交叉納米線如圖1（a）所示。底部的坡
中國高新技術企業 2016年17期2016-06-21
- 電磁場中帶電粒子的量子遂穿效應
沿X軸正方向射向勢壘，則按量子力學原理，電子穿過勢壘有一幾率T （ E ，a ） 。但若同時在0＜x ＜ a 的區域內有一沿Y 軸方向的磁場B 和沿X 軸方向的電場E ，由于電子有自旋磁矩，在磁場B 中有一自旋能，它將影響電子的穿透幾率；而電子在電場中又具有電勢能，它同樣也會影響電子的穿透幾率。當自旋朝上，電場沿X 軸負方向，穿透幾率隨著磁場和電場的增大而增大；當自旋朝下，電場沿X軸正方向，穿透幾率隨著磁場和電場的增大而減小。關鍵字：電場 磁場 自旋 遂穿
數碼世界 2016年5期2016-06-17
- 粒子與不對稱雙勢壘相互作用的隧穿現象
）粒子與不對稱雙勢壘相互作用的隧穿現象任 青，楊文平（山西大同大學物理與電子科學學院，山西大同037009）本文在非相對論條件下,計算了粒子與不對稱雙勢壘相互作用的反射系數和透射系數,并計算了特殊條件下的反射系數和透射系數以及隧穿時間和相位,通過計算,對隧穿現象有了更深的理解。不對稱雙勢壘;反射子數;透射子數;隧穿時間微觀世界中的量子穿越，是量子力學中最基本，最重要的過程之一。在經典力學中粒子不能通過的區域，在微觀世界中可以通過。在科研研究的多個方面，量子
山西大同大學學報(自然科學版) 2015年4期2015-11-08
- 單層和多層Ehrlich-Schwoebel勢壘對薄膜粗糙度隨溫度變化的影響
chwoebel勢壘對薄膜粗糙度隨溫度變化的影響崔婧， 唐吉玉*， 伍達將， 劉洋， 朱永安(華南師范大學物理與電信工程學院，廣州 510006)以Cu為原型，利用動力學蒙特卡洛(KMC)方法模擬了在一定的沉積速率下，單層、多層臺階Ehrlich-Schwoebel(ES)勢及溫度對成膜質量的影響.結果表明，在一定沉積速率和ES勢壘下，薄膜的粗糙度在一定范圍內隨著溫度的升高而降低，當多層ES勢壘大于單層ES勢壘時，此溫度范圍受單層ES勢壘的影響，而與多層E
華南師范大學學報（自然科學版） 2015年5期2015-11-02
- 基于Matlab的勢壘貫穿透射系數研究
結論：當粒子透過勢壘時，其透射系數與勢壘寬度、粒子能量E和勢壘高度U存在著一定的比例關系.若粒子能量與勢壘高度保持恒定，粒子穿過勢壘時對同樣寬度的勢壘進行兩種透射方式：直接透射和n重依次透射（即讓粒子直接透射寬度為n＊a的勢壘和讓粒子依次透射n個寬度均為a的勢壘）.那么在這兩種方式下透射系數有怎樣的差別呢？2 問題的分析對于以上兩種方式下勢壘貫穿透射系數的研究用常規的解析方法比較復雜，且隨著透射重數n的增加計算的復雜程度會很明顯地加大，這就使得到的結果會出
物理與工程 2015年1期2015-07-02
- T3 晶格中無質量Dirac粒子的磁電約束和波導
霍爾效應[5]和勢壘中的Klein隧穿[6]等.除了石墨烯外，還有不少二維材料的載流子也滿足相對論無質量Dirac方程.例如dice晶格，也稱為T3晶格.實驗表明這種晶格能在 SrTiO3/SrIrO3/SrTiO3三層異質結構中實現[7].另外利用光學手段也能產生dice晶格，即T3光學晶格中的冷原子的行為也可看成準相對論無質量Dirac費米子[8]. 不過在T3晶格中載流子的贗自旋S=1， 而不像石墨烯晶格中的贗自旋S=1/2. 由于T3晶格中載流子具
中南民族大學學報（自然科學版） 2015年3期2015-06-27
- 附加δ勢壘的一維半無限深勢阱
36037附加δ勢壘的一維半無限深勢阱唐義甲，韓修林阜陽師范學院物理與電子工程學院,安徽阜陽,236037通過對添加δ勢壘的一維半無限深勢阱的薛定諤方程進行求解，得到了粒子運動的波函數和能級的相關公式。分析發現，δ勢壘的添加以及它的強度與位置的變化對能級都有影響，附加δ勢后,一維粒子的能量變大,能級變得復雜，束縛態增加，基態粒子受δ勢影響較大；且能級越高的粒子受δ勢影響越小，最后Mathematica作圖顯示了這一現象。δ勢壘;一維無限深勢阱;定態薛定諤方
宿州學院學報 2015年7期2015-06-23
- 勢壘邊界對共振透射的影響
學著作都會對一維勢壘散射問題進行討論.但長期以來，大部分的著作只是對透射系數和反射系數加以描述，對勢壘中的微觀粒子的概率分布幾乎沒有涉及，并且一些書中展示的示意圖并不科學.2011年宮建平對一維勢壘散射中粒子的概率分布進行了詳細的數值研究[1]，發現當入射粒子能量大于勢壘高度時勢壘中的粒子概率在某些入射能量下會出現振蕩現象，而不是單純地衰減.本文探討方勢壘下振蕩峰的個數與入射能量、勢壘寬度的關系，并討論勢壘邊界情況對振蕩的影響.本文采用轉移矩陣方法進行散射
晉中學院學報 2015年3期2015-04-01
- Diodes溝槽型超級勢壘整流器提高下一代充電器效率
下專利溝槽型超級勢壘整流 (Trench SBR)技術的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP，能夠實現下一代電池充電器對效率和溫度的嚴格要求。兩款全新溝槽型超級勢壘整流器具有超低正向電壓、低漏電流，并以較低的溫度工作，有效滿足充電器輸出整流二極管的要求，從而易于處理36 kHz斷續模式充電器設計的較短電流脈沖。Diodes推出的兩款器件包括適合10W智能手機充電器的15 A SBRT15U50SP5，以及為12.5 W平板電腦充電器而設的
電子設計工程 2015年2期2015-03-27
- Diodes溝槽型超級勢壘整流器提高下一代充電器效率
des溝槽型超級勢壘整流器提高下一代充電器效率Diodes推出兩款采用了旗下專利溝槽型超級勢壘整流(Trench SBR) 技術的器件——SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP，能夠實現下一代電池充電器對效率和溫度的嚴格要求。兩款全新溝槽型超級勢壘整流器具有超低正向電壓、低漏電流，并以較低的溫度工作，有效滿足充電器輸出整流二極管的要求，從而易于處理36 kHz斷續模式充電器設計的較短電流脈沖。新推出的兩款器件包括適合10 W智能手機充電器的15
單片機與嵌入式系統應用 2015年2期2015-03-24
- 附加δ勢壘對一維半無限深勢阱影響的研究
37 )?附加δ勢壘對一維半無限深勢阱影響的研究唐義甲，韓修林(阜陽師范學院 物理與電子工程學院，安徽 阜陽 236037 )摘要：通過對添加δ勢壘的一維半無限深勢阱的薛定諤方程進行求解，得到了粒子運動的波函數和能級的相關公式，分析發現，δ勢壘的添加以及它的強度與位置的變化對能級都有影響。對比不含δ勢壘的一維半無限深勢阱的能級，探究δ勢壘的添加對原能級產生的影響，并利用Mathematica作圖來直觀顯示這一影響。關鍵詞：δ勢壘；一維無限深勢阱；能級薛定諤
安慶師范大學學報(自然科學版) 2015年3期2015-03-11
- 金屬二次電子發射能譜的表面吸附勢壘模型
射能譜的表面吸附勢壘模型虞陽燁,曹猛,張海波(西安交通大學電子物理與器件教育部重點實驗室, 710049, 西安)為了改善加速器和高功率微波源中金屬器壁的表面狀況,采用數學建模并結合實驗驗證的方法,建立了二次電子能譜的吸附勢壘模型。首先,以到達金屬內表面二次電子為參考對象,分析金屬壁的吸附過程,發現水蒸氣吸附造成的能級扭曲會使金屬表面勢壘降低,由此建立了水吸附形態下的薛定諤方程,并求解得到吸附勢壘的透射系數;然后,結合內二次電子能量分布建立吸附勢壘模型,得
西安交通大學學報 2015年10期2015-03-07
- 表面柵靜電感應晶體管溝道勢壘形成機理研究
電感應晶體管溝道勢壘形成機理研究93856部隊 王富強 馬行空 瞿宜斌為了研究靜電感應晶體管（SIT）勢壘形成機理，本文利用Silvaco Tcad軟件模擬，仿真分析了溝道勢壘對柵、漏極電壓的依賴關系。通過改變反偏柵壓和漏偏壓，得出了器件溝道在完全夾斷狀態下，溝道勢壘成馬鞍型分布。反偏柵壓影響著器件導通和關斷狀態，漏偏壓影響著勢壘的高低，且二者相互依賴，共同影響著溝道勢壘的形成。靜電感應晶體管；溝道勢壘；鞍電勢引言作為具有類三極管特性的靜電感應晶體管[1]
電子世界 2015年16期2015-01-29
- 一種積累型槽柵超勢壘二極管
率二極管和肖特基勢壘功率二極管（Schottky Barrier Diode）為主。PIN二極管有著高耐壓、大導通電流、低反向泄漏電流和低導通損耗等優點，但PIN二極管內建電勢較高，約為0.7 V，電導調制效應在漂移區中產生的大量少數載流子降低了器件的關斷速度，限制了二極管向高頻化方向發展[1]。肖特基二極管正向開啟電壓小，且沒有少子存儲效應，開關頻率高，但是反向泄漏電流大，且漂移區電阻與器件耐壓成2.5次方的矛盾關系[2]，阻礙其在高壓大電流范圍的應用[
電子與封裝 2014年3期2014-12-05
- 粒子在非均勻環上的量子行走
期望通過人為設置勢壘來控制粒子的傳播，研究等效量子勢對量子行走的影響。1 單粒子在環上的量子行走離散時間量子行走在數學上與經典隨機行走類似，首先執行一個硬幣操作，然后根據硬幣態決定粒子向哪個方向移動一步，如此不斷循環。不同的是這里的硬幣態不是僅處于頭和尾兩個態，而是可以處于它們任意的量子相干疊加態。系統的希爾伯特空間由硬幣空間HC＝｛｜c〉：c＝1，2，…，d｝和位置空間HW＝｛｜x〉∶x＝1，2，…，N｝的直積構成。粒子每一步的演化算符U 由硬幣算符C和
山西大學學報（自然科學版） 2014年2期2014-10-23
- 弱聯接玻色愛因斯坦凝聚體中勢壘寬度對非線性耦合及其動力學的影響
愛因斯坦凝聚體中勢壘寬度對非線性耦合及其動力學的影響劉新建，李衛東(山西大學理論物理研究所，中國 太原 030006)利用解析與數值方法，對處于對稱雙勢阱中的玻色愛因斯坦凝聚體中，勢壘寬度對系統非線性耦合及其動力學的影響進行了研究．研究發現當勢壘寬度較大時，系統的線性耦合強度可迅速減??；在勢壘寬度大于0.3且非線性強度較大時，線性耦合強度遠小于非線性耦合項，此時玻色約瑟夫森結模型的動力學特性由非線性耦合強度來決定．同時對勢壘寬度對BEC約瑟夫森振蕩的周期和
湖南師范大學自然科學學報 2014年3期2014-09-07
- NiCr勢壘腐蝕工藝技術
032）NiCr勢壘腐蝕工藝技術馬洪江，劉昕陽（中國電子科技集團公司第四十七研究所，沈陽110032）傳統的以NiCr為勢壘層的肖特基產品在勢壘合金完成后使用王水（硝酸：鹽酸＝1：3）去除多余的NiCr，但此方法過程不易控制，形成的勢壘區也不十分平坦，而使用硝酸鈰銨溶液去除NiCr不僅過程容易控制，且成品率高。通過對兩種方法去除NiCr的對比，找到了更合適的肖特基產品的NiCr勢壘層腐蝕方法。硝酸鈰銨；王水；NiCr1 引 言肖特基二極管（SBD）是利用金
微處理機 2014年5期2014-08-07
- 有質量手性費米子的勢壘隧穿
費米子.電子通過勢壘的隧穿是量子力學中的基本問題,滿足Schr?dinger方程的非相對論電子通過勢壘時透射概率隨勢壘的高度和寬度指數衰減[1].因此電子完全通過極高和極寬勢壘的現象被認為是完全不可能的,然而1929年Klein[2]發現滿足Dirac方程的相對論電子可以完全隧穿勢壘,這個效應叫Klein隧穿.對Klein隧穿的理解來自量子場論[3].勢壘具有很強的電勢從而排斥電子而吸引正電子,導致在勢壘內部產生正電子態,它的能量與勢壘外面的電子匹配,越過
中南民族大學學報（自然科學版） 2014年3期2014-08-06
- 多量子勢壘電子阻擋層對UV LED 性能的影響
必須擁有夠高的勢壘。當AlGaN 的Al 組分確定時，由AlGaN 和GaN 組成的異質結的導帶帶階是一定的［4］，隨著勢壘材料AlGaN 的Al 組分的增加，AlGaN/GaN 異質結的導帶帶階會增加。p－AlGaN－EBL 和緊跟著的p 層所形成的異質結的導帶帶階，是p－AlGaN－EBL的勢壘高度的一部分，所以可以通過增加p－AlGaNEBL 的Al 組分來增加其勢壘高度，以獲得足夠低的電子溢出比。Hideki Hirayama［5－7］的團隊已經
電子科技 2014年6期2014-03-13
- 拓撲絕緣體表面臺階勢壘的輸運性質
直入射情況下穿過勢壘可達到完全透射。正是由于這些迷人的重要特征，使拓撲絕緣體在未來的電子技術發展中有著巨大的應用潛力，所以研究拓撲絕緣體表面態的輸運性質成為了人們目前關注的焦點。近幾年來，人們研究了拓撲絕緣體表面上單勢壘、雙勢壘和多勢壘的電子輸運性質。GAO等研究了拓撲絕緣體表面上單壘和雙壘的隧穿性質，他們發現可以調節克萊因隧穿，甚至可以阻止克萊因隧穿，這些特殊的性質使控制“拓撲金屬”中的電子束變成了可能[4]。在他們研究的基礎上，像電子準直器、波矢濾波器
河北科技大學學報 2013年5期2013-11-13
- 基于一維間距調制型光子晶格的光傳輸現象*
格體系中引入一種勢壘作用[14].例如,間距減小的不均勻波導陣列可以實現光波的無反射傳輸[14-16].這種波導全同但間距不均勻的波導陣列所形成的缺陷結構是一種非對角線無序的晶格體系.此類缺陷存在共軛的局域模式,而且支持光波的局域態傳輸[17-19].本文將非線性薛定諤方程(NLSE)作為理論基礎,波導間距遵從兩個正(負)雙曲正割函數和正(負)矩形函數,并將兩個函數極值形成的勢壘中間部分作為勢阱,研究窄高斯光束在正雙曲正割(和正矩形)勢壘處和勢阱處入射時的
物理學報 2013年6期2013-09-25
- NiCr勢壘肖特基技術
，SBD是肖特基勢壘二極管(Schottky Barrier Diode)的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的功函數差勢壘原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體(接觸)二極管或表面勢壘二極管，它是一種多數載流子輸運的單極器件。在通常情況下，一般采用金屬—半導體接觸來形成肖特基勢壘，但是由于金屬與半導體接觸時，接觸界面之間SiO2層的存在，使得接觸電阻和表面態密度明顯增大，致使器件的性能大大
微處理機 2013年1期2013-06-13
- Vishay發布采用SlimSMA?封裝的新款45 V TMBSTMTrench MOS勢壘肖特基整流器
ench MOS勢壘肖特基整流器——VSSAF3L45和VSSAF5L45。整流器采用高度0.95 mm的表面貼裝SlimSMATMDO-221AC封裝，正向電流為3 A和5 A。新的VSSAF3L45和VSSAF5L45在3 A下具有0.37 V的極低正向壓降，可在低壓高頻DC/DC轉換器、續流二極管，以及智能手機充電器等空間受限應用的極性保護中減少功率損耗，并提高效率。新整流器的最高工作結溫為+150℃，MSL潮濕敏感度等級達到per J-STD-02
電子設計工程 2013年1期2013-03-24
- 無法從黑洞中逃逸嗎？
個名詞，一個叫“勢壘”，一個叫“量子隧道效應”。勢壘就是勢能比附近的勢能都高的空間區域，而量子隧道效應是由微觀粒子波動性所確定的量子效應，又稱勢壘貫穿。粒子的運動過程中若遇到一個高于粒子能量的勢壘，按照經典力學，粒子是不可能越過勢壘的；但按照量子力學，則可以解出除了在勢壘處的反射外，還有透過勢壘的波函數，這表明在勢壘的另一邊粒子具有一定的概率，即粒子可以貫穿勢壘。經典物理學認為，物體越過勢壘有一閾值能量，粒子能量小于此能量則不能越過，大于此能量則可以越過。
飛碟探索 2012年5期2012-12-30
- Vishay發布12個采用不同封裝的45V TMBS TrenchMOS勢壘肖特基整流器
nch MOS 勢壘肖特基整流器。 這些整流器在20 A電流下具有0.51 V的極低正向壓降，適合在太陽能電池接線盒中用作起保護作用的旁路二極管。發布的產品包括單芯片 V（B，F）T1045BP、V（B，F）T2045BP、V（B，F）T3045BP 和 V（B，F）T4045BP。 每款器件均提供功率TO-220AC、ITO-220AC和TO-263AB封裝。所有整流器在沒有反向偏置（t≤1小時）的直流正向電流下的最高結溫為200℃。器件符合RoHS指令
電子設計工程 2012年3期2012-03-31
- 自組裝耦合量子點中的類氫雜質
0.3和γ=2、勢壘寬t= 5 nm、10 nm和20 nm時，類氫雜質結合能隨著量子點尺寸的變化情況。從圖2(a)中可以看出，在壘寬為10 nm和20 nm時，雜質結合能隨著量子尺寸的增大先增大后減小。這是因為在量子點尺寸較小時，波函數將會穿過勢阱在邊界勢壘層分布，從而影響雜質中心對電子的束縛;隨著量子點尺寸的增大，電子隧穿的幾率減小，相應的結合能將會增加;然而當量子點尺寸進一步增大時，量子隧穿將逐漸退居次要地位，電子波函數將主要集中在一個量子點中，由于
河北工程大學學報(自然科學版) 2012年2期2012-03-17
- 粒子隧穿任意形狀勢壘透射譜的計算*
粒子隧穿任意形狀勢壘透射譜的計算*陳賽艷，覃 銘(百色學院物理與電信工程系，廣西百色 533000）借助轉移矩陣法，用數值計算研究了量子力學中粒子隧穿通過任意形狀勢壘的透射譜，給出了相關的數值計算方法.粒子隧穿;任意勢壘;透射譜粒子隧穿不僅具有重要的科學意義而且具有潛在的應用價值，因而，激發了越來越多的研究.納米結構中電子輸運［1～4］問題，介觀與納觀電子器件的分析［5，6］等涉及電子在限制勢中的隧穿;半導體結構中的共震隧穿［7］，隧道結器件的高頻特性［8
菏澤學院學報 2011年5期2011-12-22
- 思維創新熱力學研究
果必須克服一定的勢壘，才能完成創新思維成果。通過引入負熵的概念，把思維創新過程定量化。通過超過勢壘能量的蓄積，達到預定成果的難度水平，即可以完成思維創新過程。[關鍵詞]思維創新，創造力，熱力學，勢壘，能量差。[中圖分類號]B804.4[文獻標識碼]A[文章編號]1005-4634(2006)04-0283-060引言胡錦濤在全國科學技術大會上的講話指出：“動員全黨全社會堅持走中國特色自主創新道路，為建設創新型國家而努力奮斗，進一步開創全面建設小康社會、加快
教學研究 2006年4期2006-08-17