聚丙烯/氧化鋁納米電介質的陷阱與直流擊穿特性?

馬超 閔道敏?李盛濤 鄭旭 李西育 閔超 湛海涯

1)(西安交通大學,電力設備電氣絕緣國家重點實驗室,西安 710049)

2)(西安西電電氣研究院有限責任公司技術研究中心,西安 710077)

3)(西安西電電力電容器有限責任公司研發處,西安 710082)

(2016年11月30日收到;2016年12月10日收到修改稿)

聚丙烯/氧化鋁納米電介質的陷阱與直流擊穿特性?

馬超1)閔道敏1)?李盛濤1)鄭旭1)李西育2)閔超2)湛海涯3)

1)(西安交通大學,電力設備電氣絕緣國家重點實驗室,西安 710049)

2)(西安西電電氣研究院有限責任公司技術研究中心,西安 710077)

3)(西安西電電力電容器有限責任公司研發處,西安 710082)

(2016年11月30日收到;2016年12月10日收到修改稿)

聚丙烯電介質的直流擊穿場強是影響其儲能密度的關鍵因素,納米氧化鋁摻雜是一種提高聚合物電介質擊穿場強的有效方法,因此有必要開展聚丙烯/氧化鋁納米電介質直流擊穿特性的研究.為了探究其直流擊穿機理,通過熔融共混法制備了聚丙烯/氧化鋁納米電介質試樣,觀察了其顯微結構,并對其表面電位衰減特性、體電阻率和直流擊穿場強進行了測試.實驗結果表明,隨著納米氧化鋁含量的增加,深陷阱能級和密度、體電阻率和直流擊穿場強都呈現先升高后降低的趨勢,當納米氧化鋁含量為0.5 w t%時出現最大值,其中,直流擊穿場強相比于未摻雜時可提高27%左右.根據納米電介質交互區模型,分析了聚丙烯/氧化鋁納米電介質的顯微結構和陷阱參數之間的關系.基于空間電荷擊穿理論,利用陷阱參數對聚丙烯/氧化鋁納米電介質直流擊穿機理進行了探討.認為交互區為聚丙烯/氧化鋁納米電介質提供了更多深陷阱,而深陷阱能級和密度在較高納米摻雜量時出現不同程度的降低可能是由雙電層模型交互區重疊所致;深陷阱能級和密度的增加可降低載流子的注入量,進而提高其體電阻率和直流擊穿場強.

聚丙烯,納米電介質,直流擊穿場強,陷阱

1 引 言

聚丙烯具有良好的介電、機械、耐熱及耐腐蝕特性,廣泛地應用于電力電容器中[1,2].為了減小電容器的體積、降低成本,需要進一步提高電力電容器的儲能密度[3?5].對于線性電介質,儲能密度可表示為

其中,U為電介質的儲能密度,ε0為真空的介電常數,εr為電介質的相對介電常數,Eb為電介質的直流擊穿場強.顯然,電介質的儲能密度和直流擊穿場強的平方成正比.因此,提高電介質的直流擊穿場強是一種有效提高其儲能密度的方法.通常,人們采用改變球晶尺寸[6]、分子鏈取向[7]、分子鏈交聯[8]等方法來改變聚丙烯的凝聚態結構,進而提高其直流擊穿場強.

納米粒子摻雜作為一種有效提高聚合物電介質直流擊穿場強的方法,受到了越來越多的關注[4,9].為了解釋納米電介質界面處的物理化學性質,國外學者相繼提出雙電層模型[10]、多核模型[11]、體積模型[12]等.國內Li等[13]提出了納米電介質交互區結構模型,此模型可以很好地解釋環氧和聚乙烯等納米電介質短時擊穿和長時損傷的實驗結果.國內學者在聚丙烯電介質電荷存儲及聚丙烯納米電介質耐電樹枝化等方面做了大量的研究工作[14?17],對了解聚丙烯納米電介質電荷輸運特性及其直流擊穿機理具有重要意義.芬蘭學者研究了納米摻雜對聚丙烯電介質直流擊穿場強的影響,其中,Takala等[18]發現5 w t%納米二氧化硅摻雜可提高聚丙烯電介質的直流擊穿場強,Virtanen等[19]研究了不同納米碳酸鈣含量對聚丙烯電介質的介電性能的影響,發現當納米粒子含量較少(1.8 w t%)時,直流擊穿場強達到最大. Ryt?luot等[20]在聚丙烯/氧化硅納米電介質中同樣發現,當納米氧化硅的摻雜量較少(～1 w t%)時,直流擊穿場強出現最大值.納米氧化鋁作為典型的無機納米填料常被用于改善聚合物電介質的電氣性能[21],其中,Kozako等[22]指出納米氧化鋁摻雜可提高環氧電介質的局部放電耐受能力且延長電氣擊穿時間;王威望[23]對聚乙烯/氧化鋁納米電介質進行了系統研究,結果表明少量的納米氧化鋁摻雜(～0.5 w t%),可顯著提高聚乙烯電介質的直流擊穿場強,且基本不會引起介質損耗的增加.綜上所述,納米氧化鋁摻雜是一種有效提高聚合物電介質直流擊穿場強以及儲能密度的方法,因此有必要開展聚丙烯/氧化鋁納米電介質直流擊穿特性及其內在機理的研究.

本文首先通過熔融共混法制備聚丙烯/氧化鋁納米電介質,采用熱壓法制備厚度約為100μm的試樣.利用高倍電子掃描顯微鏡觀察試樣的顯微結構,同時,測試其表面電位衰減特性、體電阻率和直流擊穿場強.然后,利用等溫表面電位衰減模型[24]提取陷阱參數,并依據納米電介質交互區模型[10,11],結合聚丙烯/氧化鋁納米電介質的顯微結構,對其陷阱參數進行分析.最后,根據聚合物電介質電導機制[25,26]和空間電荷擊穿理論[27],通過陷阱參數對聚丙烯/氧化鋁納米電介質電導和直流擊穿特性機理進行探討.

2 實 驗

2.1 材料選擇

顆粒狀(直徑約為3 mm)的聚丙烯樹脂由北歐化工生產,型號為HC312BF,熔融指數為3.2 g/10 m in,等規度為96%.經過γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷偶聯劑(KH570)表面修飾的納米氧化鋁由德科島金生產,純度≥99.99%.

2.2 試樣制備

首先,采用密煉機(PolyLab QC)通過熔融共混法制備聚丙烯/氧化鋁納米電介質,納米氧化鋁的含量分別為0.5 w t%,1.0 w t%,2.0 w t%.混煉溫度為175?C,混煉時間為10m in,轉速為40 r/m in.在防止材料老化的前提下,使納米粒子盡可能均勻地分散在聚丙烯基體中.為了進行性能對比,純的聚丙烯也通過同樣的混煉工藝制備.

然后,通過熱壓法制備了厚度約為100μm的試樣.無壓力下預熱,預熱時間15 m in,在壓強10MPa下熱壓,熱壓溫度240?C,熱壓時間10m in,之后經過水冷在無外施壓力的情況下將溫度降至22?C.

2.3 高倍掃描電子顯微鏡

試樣經過淬斷后,采用高倍掃描電子顯微鏡(SU6600)觀察其斷面結構,用于分析納米氧化鋁在聚丙烯電介質中的分散情況.

2.4 等溫表面電位衰減實驗

圖1給出了等溫表面電位衰減實驗裝置示意圖.如圖1所示,等溫表面電位衰減實驗可分為充電過程和測試過程.以負極性電壓為例,對于充電過程,在充電電壓的作用下,針型電極逸出的高能電子會與空氣中的中性分子發生碰撞,從而產生新的電子和正離子,新產生的電子可與中性分子結合產生負離子,在負極性電壓的作用下,負離子會加速運動直至沉積在試樣表面,其中,柵極電壓主要起均壓作用.對于測試過程,表面沉積的負離子通過交換過程使得電子進入試樣表面,這部分電子在自建電場的作用下,向接地電極方向遷移,進而改變了試樣的表面電位.本文中充電電壓為?13 kV,柵極電壓為?3 kV,充電時間為3 m in,待試樣充電過程完成后,迅速將試樣移至表面電位探測器的下方,開始測試并記錄數據,測試時間為150m in,采樣頻率為1 Hz,測試溫度為33?C,濕度為49%RH.

圖1 (網刊彩色)等溫表面電位衰減實驗裝置示意圖Fig.1.(color on line)Schem atic diagram of the experim ental setup for isotherm al su rface potential decay.

2.5 體電阻率實驗

體電阻率測試系統(6517 Hi-R test)由KEITH LEY公司生產.電極形狀為圓柱形,直徑為50mm,測試電壓為1 kV,測試次數為11次,有效次數為8次,8次實驗結果最大誤差小于20%時視為有效數據并保存.測試溫度為33?C,濕度為55%RH.

2.6 直流擊穿場強實驗

直流擊穿場強的測試系統采用直徑為25 mm的球球電極,將其置于變壓器油中以防止在擊穿實驗過程中發生沿面閃絡現象.測試溫度為33?C,升壓速率為2 kV/s.

3 實驗結果

3.1 高倍掃描電子顯微鏡觀測結果

圖2給出了不同納米粒子含量的聚丙烯/氧化鋁納米電介質斷面的高倍掃描電子顯微結構.試樣斷面的顯微結構表明,納米粒子均能較為均勻地分散于聚丙烯基體中,隨著納米粒子濃度的增加,納米粒子表面間距將不斷減小.根據Nano Measurer的分析結果,納米粒子粒徑集中在40—60 nm之間,且當納米氧化鋁的含量為1.0 w t%時,納米粒子表面間距主要集中在110—130 nm之間,當納米氧化鋁的含量為2.0 w t%時,納米粒子表面間距主要集中在80—100 nm之間.由于圖片中納米粒子可能不在一個平面,因此,納米粒子實際間距應大于標稱值.

3.2 等溫表面電位衰減測試結果

圖3給出了不同納米粒子含量的聚丙烯/氧化鋁納米電介質的等溫表面電位衰減測試結果,為便于分析,圖中使用表面電位的絕對值.

根據等溫表面電位衰減模型[24],聚合物電介質的陷阱能級和密度可分別表示為

其中,Et為陷阱能級,k為玻爾茲曼常數,T為卡爾文溫度,t為時間,N(Et)為陷阱密度,φs為試樣的表面電位,e為基本電荷量,L為試樣的厚度; f0(Et)為等效的費米能級,本文取f0(Et)=0.5; υ為載流子試圖逃逸頻率,υ=(kT)3/dh3v2[26],其中,d為陷阱電荷躍遷方向的數量,本文取d=6,h為普朗克常數,v為陷阱電荷的振動頻率,本文取v=1012Hz.

結合(2)式和(3)式,便可根據等溫表面電位衰減的實驗結果提取陷阱參數,結果如圖4所示,可以看出,納米氧化鋁摻雜引入了深陷阱,當納米氧化鋁含量為0.5 w t%時,聚丙烯納米電介質的深陷阱能級和密度達到最大值,但是隨著納米氧化鋁的含量進一步增加,深陷阱的能級和密度則會出現不同程度的下降.

圖2 不同納米粒子含量的聚丙烯/氧化鋁納米電介質斷面的高倍掃描電子顯微結構 (a)0 w t%;(b)0.5 w t%; (c)1.0 w t%;(d)2.0 w t%Fig.2.High power scanning electron m icroscop ic structu re of the section of PP/A l2O3nanod ielectrics w ith diff erent nano-particle contents:(a)0 w t%;(b)0.5 w t%;(c)1.0 w t%;(d)2.0 w t%.

圖3 (網刊彩色)不同納米粒子含量的聚丙烯/氧化鋁納米電介質等溫表面電位衰減實驗結果Fig.3.(color online)Experim ental resu lts of isotherm al su rface potential decay for PP/A l2O3nanodielectrics w ith diff erent nano-particle contents.

圖4 (網刊彩色)不同納米粒子含量的聚丙烯/氧化鋁納米電介質的陷阱參數Fig.4.(color on line)Trap param eters of PP/A l2O3nanodielectricsw ith diff erent nano-particle contents.

3.3 體電阻率測試結果

圖5給出了不同納米粒子含量的聚丙烯/氧化鋁納米電介質的體電阻率測試結果.從圖5可以看出,隨著納米粒子含量的增加,聚丙烯/氧化鋁納米電介質的體電阻率基本呈現先升高后降低的趨勢,其中,納米氧化鋁含量為0.5 w t%時,聚丙烯/氧化鋁納米電介質的體電阻率達到最大值.

圖5 不同納米粒子含量的聚丙烯/氧化鋁納米電介質的體電阻率Fig.5.Bu lk resistivity of PP/A l2O3nanodielectrics w ith diff erent nano-particle contents.

3.4 直流擊穿場強測試結果

圖6給出了不同納米粒子含量的聚丙烯/氧化鋁納米電介質的直流擊穿場強的兩參數威布爾分布圖.

圖6 (網刊彩色)不同納米粒子含量的聚丙烯/氧化鋁納米電介質擊穿場強的兩參數威布爾分布Fig.6.(color on line)Two-param eter W eibu ll-distribu tion p lot of b reakdown strength for PP/A l2O3nanod ielectrics w ith diff erent nano-particle contents.

兩參數的威布爾分布可表示為

其中,i為擊穿場強從小到大的排序(i=1, 2,···,n),n為同一試樣擊穿場強的測試次數,Pi是編號為i的擊穿場強累積概率,Ebi是編號為i的擊穿場強,α為累積概率為63.2%所對應的特征擊穿場強,β為形狀分布參數.經過線性擬合后,可得到不同納米粒子含量的特征擊穿場強α和形狀分布參數β,如圖7所示.從圖7可看出,隨著納米氧化鋁含量的增加,直流擊穿場強先升高后降低,當納米氧化鋁含量為0.5 w t%時,直流擊穿場強出現最大值,相比于未摻雜時直流擊穿場強可提高27%左右.

圖7 (網刊彩色)不同納米粒子含量的聚丙烯/氧化鋁納米電介質特征擊穿場強和形狀分布參數Fig.7.(color on line)Characteristic b reakdown strength and shape factor of PP/A l2O3nanod ielectricsw ith d iff erent nano-particle contents.

4 討 論

4.1 微觀結構和陷阱參數的關系

聚丙烯/氧化鋁納米電介質的淺陷阱和深陷阱中心參數如表1所列.從表1可以看出,納米氧化鋁摻雜增加了聚丙烯電介質的深陷阱能級和密度,同時降低了其淺陷阱能級和密度.當納米氧化鋁的含量為0.5 w t%時,聚丙烯納米電介質的深陷阱能級和密度達到了最大值.但是,隨著納米氧化鋁含量的進一步增加,深陷阱的能級和密度出現不同程度的降低.

根據納米電介質交互區模型[10?13],聚丙烯/氧化鋁納米電介質的深陷阱可認為是由交互區提供的,而淺陷阱變少可能是因為交互區改變了聚丙烯電介質的分子鏈移動性、分子鏈構象及結晶度等.為了探討聚丙烯/氧化鋁納米電介質在高摻雜量下深陷阱能級和密度下降的原因,有必要對納米電介質的交互區厚度和納米粒子表面間距進行定量分析.對于納米電介質交互區厚度,不同模型交互區的厚度是不同的,其中,Lew is的雙電層模型[10]認為納米電介質交互區為古伊-查普曼擴散層(Gouy-Chapman diff use double layer),厚度約為100 nm,而Tanaka的多核模型[11]認為納米電

表1 不同納米粒子含量的聚丙烯/氧化鋁納米電介質的淺陷阱和深陷阱中心參數Tab le 1.The center param eters of shallow and deep traps for PP/A l2O3nanod ielectrics w ith d iff erent nano-particle contents.

介質交互區包括緊致層(bond layer)和松散層(loose layer),厚度分別為10 nm和30 nm左右.對于納米粒子表面間距,考慮球狀的納米粒子按簡單立方結構均勻地分散于聚合物電介質中,則納米粒子表面間距D可表示為[11]

其中,ρn和ρm分別為納米粒子和聚合物電介質的質量密度,d為納米粒子的粒徑.

圖8 (網刊彩色)納米粒子表面間距和納米粒子含量的關系Fig.8.(color on line)The relationship between interparticle d istance and particle loading.

對于聚丙烯/氧化鋁納米電介質,ρn/ρm≈4.24,根據(5)式可得納米氧化鋁摻雜量和納米粒子表面間距的關系,如圖8所示.從圖8可以看出,當納米粒子的粒徑分別為20,40及60 nm時,古伊-查普曼擴散層分別在納米氧化鋁含量約為0.2 w t%,1 w t%及3 w t%時開始發生重疊,而松散層分別在納米氧化鋁含量約為1.5 w t%,10 w t%及大于10 w t%(約為40 w t%)時開始發生重疊.結合高倍掃描電子顯微鏡的實驗結果,納米粒子粒徑集中于40—60 nm之間,當納米氧化鋁含量為1 w t%時,納米粒子表面間距集中于(實際應大于) 110—130 nm.這一結果與納米粒子粒徑為40 nm時計算得到的納米粒子表面間距(204 nm)基本一致,因此可認為實際納米粒徑約為40 nm.在此粒徑下,雙電層模型交互區開始發生重疊的納米摻雜量約為1 w t%,與深陷阱能級和密度開始降低的納米摻雜量一致,而多核模型交互區開始發生重疊的納米摻雜量約為10%,故認為聚丙烯/氧化鋁電介質深陷阱能級和密度在較高納米摻雜量(約1 w t%)開始降低是由于雙電層模型交互區(古伊-查普曼擴散層)重疊所致.

4.2 陷阱參數和體電阻率及直流擊穿場強的關系

深陷阱能級和密度對體電阻率及直流擊穿場強的影響如圖9所示,可以看出體電阻率和直流擊穿場強基本隨著深陷阱能級和密度的增加而增加.

聚丙烯/氧化鋁納米電介質的電荷輸運特性取決于載流子的注入和傳導過程.載流子的注入機制包括肖特基(Schottky)注入和富勒-諾德海姆(Fow ler-Nordheim)注入[25,26],由于聚丙烯電介質是典型的半結晶聚合物,其局域態存在大量陷阱能級,注入的載流子以費米-狄拉克(Ferm i-Dirac)統計在這些能級上進行分布,并通過跳躍電導、普爾-弗蘭克爾電導、空間電荷限制電流及隧道電流等方式在電介質內部傳導.對于聚丙烯電介質,一般認為載流子傳導方式以跳躍電導和普爾-弗蘭克爾電導為主[28?30].圖10給出了聚丙烯/氧化鋁納米電介質載流子(以電子為例)傳導示意圖.如圖10所示,在外施電場作用下,對于中性陷阱,電子沿著電場反方向遷移所需勢壘將降低Δ?h,而沿著電場方向遷移所需勢壘將上升Δ?h,進而產生跳躍電導;對于庫侖陷阱,電介質導帶的能級發生傾斜,脫陷勢壘降低Δ?PF,因而電子更容易被激發到導帶,從而形成普爾-弗蘭克爾電導.具體地,在電場作用下跳躍電導和普爾-弗蘭克爾電導中電子等效脫陷能級?eff可分別表示為

圖9 (網刊彩色)(a)深陷阱能級和(b)密度對體電阻率和直流擊穿場強的影響Fig.9.(color on line)The in fl uences of(a)the energy and(b)the density of deep traps on the bu lk resistivity and dc breakdow n strength.

圖10 聚丙烯/氧化鋁納米電介質電子傳導示意圖,其中,E為能級;N(E)為能級密度;Eext為外施電場;?h,?PF為無電場作用下跳躍電導和普爾-弗蘭克爾電導中電子陷阱能級;Δ?h,Δ?PF為電場作用下跳躍電導和普爾-弗蘭克爾電導中電子脫陷能級減少量Fig.10.Schem atic of electron transport in PP/A l2O3nanod ielectrics.E is energy level,N(E)is energy density,Eextis an ex ternal electric field,?hand?PFare the energy of electron trap w ithou t the ex ternal electric field in hopp ing conduction and Poole-Frenkel conduction,respectively,Δ?handΔ?PFare the energy of electron detrapp ing in the p resence of the ex ternal electric field in hopp ing conduction and Poole-Frenkel conduction,respectively.

其中,?h和?PF分別為無電場作用下跳躍電導和普爾-弗蘭克爾電導中電子陷阱能級,Eext為外施電場,λ為電子的平均自由程.根據(6)式可得,電介質陷阱能級和載流子等效脫陷能級正相關.因此,當聚丙烯氧化鋁納米電介質深陷阱能級增加,更多的同極性電荷由于等效脫陷能級的升高而將被限制到電介質表面.這些同極性電荷產生的電場(與外施電場方向相反)會減小載流子注入等效電場,進而降低載流子的注入量.同樣,深陷阱密度的增加,也會使更多載流子限制在電介質表面,并最終導致載流子的注入量降低.因此,聚丙烯電介質深陷阱能級和密度的增加,可降低載流子的濃度,進而提高其體電阻率.空間電荷擊穿理論認為[24],聚合物電介質體內陷阱空間電荷導致內部電場發生嚴重畸變,從而降低電介質的擊穿場強.由于聚丙烯電介質在室溫條件(T=25?C)下電場強度約為10 MV/m時便有載流子注入[31],考慮到本文中聚丙烯電介質的直流擊穿場強約為300 MV/m,溫度T=33?C,可認為聚丙烯/氧化鋁納米電介質在擊穿前會有大量載流子注入,由于深陷阱能級和密度的增加,更多的同極性電荷被限制在電介質表面,導致載流子注入量降低,從而減弱陷阱空間電荷引起的電場畸變,提高聚丙烯電介質的直流擊穿場強.

5 結 論

結合聚丙烯/氧化鋁納米電介質的顯微結構、陷阱參數、體電阻率及直流擊穿場強的測試結果,從陷阱的角度出發,探討了深陷阱對聚丙烯/氧化鋁納米電介質直流擊穿場強的作用機制,主要結論如下.

1)聚丙烯/氧化鋁納米電介質的深陷阱能級和密度隨納米粒子含量的增加基本呈現先升高后降低的趨勢,當納米氧化鋁含量為0.5 w t%時,深陷阱能級和密度達到最大值.結合聚丙烯/氧化鋁納米電介質的顯微結構和陷阱參數,認為深陷阱能級和密度的增加是由于納米電介質交互區的作用,而深陷阱能級和密度在較高摻雜量時開始降低可能是由于雙電層模型交互區(古伊-查普曼擴散層)重疊所致.

2)直流擊穿場強隨著納米氧化鋁含量的增加呈現出先升高后降低的趨勢,當納米氧化鋁含量為0.5 w t%時出現最大值,其中,直流擊穿場強可提高27%左右.結合聚丙烯/氧化鋁納米電介質陷阱參數,認為深陷阱能級和密度的增加,更多的同極性電荷會被限制在電介質表面,降低載流子注入等效電場,減少載流子的注入量,進而減弱陷阱空間電荷引起的電場畸變,并最終導致直流擊穿場強提高.

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PACS:77.84.Jd,81.07.Pr,77.22.Jp,68.35.DvDOI:10.7498/aps.66.067701

Trap d istribu tion and d irect cu rrent b reakdow n characteristics in polyp ropy lene/A l2O3nanod ielectrics?

Ma Chao1)M in Dao-M in1)?Li Sheng-Tao1)Zheng Xu1)Li Xi-Yu2)M in Chao2)Zhan Hai-Xia3)

1)(State Key Laboratory of E lectrical Insu lation and Power Equipm ent,X i’an Jiaotong University,X i’an 710049,China)
2)(Technical Research Center,X i’an E lectric Research Institute Co.LTD.,X i’an 710077,China)
3)(Research and developm ent Departm ent,X i’an XD Power Capacitor Co.LTD.,X i’an 710082,China)
(Received 30 Novem ber 2016;revised m anuscrip t received 10 Decem ber 2016)

Polyp ropylene(PP)is w idely used as capacitor fi lm s due to its better dielectric,mechanical,and thermal perform ance.In order to reduce the cost and size of capacitor,high energy density for PP dielectric is pursued.Since energy density is in quad ratic proportion to direct current(dc)breakdown strength for linear dielectric,the enhancem ent of dc breakdown strength for PP dielectric is a p rimary choice to im prove the energy density.Considering that the incorporation of nano-A l2O3is an eff ectivem ethod to im p rove the dc breakdown strength for polym er,it is required to study the dc breakdown strength of PP/A l2O3nanodielectric.

In order to exp lore the breakdown mechanism,PP/A l2O3nanodielectricsw ith diff erent nano-particle contents are prepared by m elt b lending,and the sam p les are p repared by hot p ressing.Their m icrostructures are observed by scanning electron m icroscopic.Isotherm al surface potential decay,bu lk resistivity,and dc breakdown strength of the sam p les are also measured.The experimental results show that the energy and density of deep traps,bulk resistivity,and dc breakdown strength fi rst increase and then decrease w ith the increase in nano-A l2O3content.Them aximum values are obtained at a fi ler content value of 0.5 w t%,where dc breakdown strength can be increased by about 27%.Based on interfacemodel,the relation betweenm icrostructure and trap is investigated.In view of space charge breakdown theory, the m echanism of dc breakdown for PP/A l2O3nanodielectric is exp lored by trap param eters.It is indicated that the interface can p rovidemore deep traps in PP/A l2O3nanodielectric,while the decrease in the energy and density of deep traps can be attributed to the overlap of interfaces in electrical doub le layer.The increase in the energy and density of deep trapsm akesm ore carriers trapped near the in jecting contact,thus reducing the eff ective field for carrier in jection due to the internal field generated by the trapped carriers.The reduction of carrier injection canmoderate the distortion of field in PP dielectric,consequently,resulting in enhancing the dc breakdown strength.

polypropylene,nanodielectric,direct current breakdown strength,trap

10.7498/aps.66.067701

?國家重點基礎研究發展計劃(批準號:2015CB 251003)、清華大學電力系統國家重點實驗室開放課題(批準號:SKLD 16KZ04)、中國博士后科學基金(批準號:2014M 552449)、中央高?；究蒲袠I務費(批準號:xjj2014022)和西安交通大學“新教師支持計劃”(批準號:DW SQc130000008)資助的課題.

?通信作者.E-m ail:forrestm in@xjtu.edu.cn

*Pro ject supported by the National Basic Research Program of China(G rant No.2015CB 251003),the Open Fund Project of State Key Laboratory of Power System of Tsinghua University,China(G rant No.SK LD 16KZ04),the China Postdoctoral Science Foundation(Grant No.2014M 552449),the Fundam ental Research Fund for the Central Universities,China(Grant No.x jj2014022),and the Program for New Teacher of X i’an Jiaotong University,China(G rant No.DW SQc130000008).

?Corresponding author.E-m ail:forrestm in@x jtu.edu.cn