陳文彬, 何永陽, 陳 贊
(電子科技大學 光電信息學院, 成都 610054)
薄膜晶體管技術是平板顯示的核心技術[1],其所采用的半導體材料經歷了氫化非晶硅(α-Si:H)、納米晶硅和低溫多晶硅(LTPS)的發展[2-3]。近年來更是出現了以α-IGZO為代表的金屬氧化物TFT[4-5],國內也已經將α-IGZO TFT引入到了實驗教學中[6]。
TFT性能的高低以TFT的特性參數來表征,TFT的特性參數須從TFT電流-電壓特性,即轉移特性曲線和輸出特性曲線中提取。盡管Shur等建立了精確的α-Si:H TFT和LTPS TFT物理模型[7],但是,由于物理概念清晰,使用相對簡單,TFT的電流-電壓特性仍然常用TFT的一級模型來描述,實驗室中或新型TFT技術開發中經常用來結合實驗數據進行TFT特性參數提取。TFT的一級模型與TFT的實際特性相差比較大,為了提取有意義的TFT特性參數,必須對測試條件及數據擬合范圍進行仔細的鑒別。由于在教材甚至專著中往往對這一點避而不談[8-9],因此對于學生和TFT的初級研究人員來說,往往對實驗室中TFT的特性參數提取一頭霧水?;诖?,本文制備了α-IGZO TFT,根據測試曲線給出了α-IGZO TFT電特性參數的提取方法和提取結果。
選用覆蓋有二氧化硅層的玻璃基板,采用如圖1所示的底柵反交疊ES結構,溝道寬長比為20 μm/10 μm。200 nm厚的柵極金屬層和300 nm厚的源漏極金屬層采用直流磁控濺射制備。采用PECVD在350 ℃下形成SiOx柵極絕緣層,絕緣層單位面積電容為18 nF/cm2。采用射頻磁控濺射在室溫下形成50 nm厚的α-IGZO層,IGZO靶材組成按照分子比的典型值為In2O3∶Ga2O3∶ZnO =1∶1∶1,濺射氣體采用Ar/O2混合氣體,氧含量為4%,濺射功率為18.3 kW。由PECVD在200 °C下形成100 nm厚的SiOx薄膜并干法刻蝕形成刻蝕阻擋層。最后在空氣中200℃下退火1 h穩定α-IGZO和金屬電極的接觸電阻。利用Keithley- 4200 SCS系統測試TFT的輸出特性和轉移特性,所有測試均在室溫下進行。
圖1 底柵反交疊刻蝕阻擋型α-IGZO TFT
TFT工作時,加在柵極和源極間的電壓為UGS,正柵壓使α-IGZO的能帶在α-IGZO/SiOx界面向下彎曲,電子積累在α-IGZO/SiOx界面附近形成導電溝道,在漏源電壓UDS作用下,這些載流子在源漏間流通,從而在溝道中產生從漏極到源極的漏極電流ID。定義單位面積柵絕緣層的電容為Ci,TFT的場效應遷移率為μFE。根據TFT的一級模型,當UDS較小時,TFT工作于線性區,漏極電流IDlin為
(1)
式中:UDS≤UGS-UTH,UTH為閾值電壓,指的是產生明顯漏極電流時的外加柵壓。理想情況下,當UGS 增大漏源電壓至漏極飽和電壓UDS sat=UGS-UTH時,漏極電流首先在漏端達到飽和,溝道夾斷。當UDS>UDS sat時,漏極飽和電流ID sat為 (2) 當UDS較小時,令 (3) 式(1)可以改寫為 IDlinn=μFEUGS-UTH (4) 由式(4)可知,IDlinn與UGS成線性關系,直線與UGS軸的交點對應TFT線性區閾值電壓,該直線的斜率即為TFT線性區載流子遷移率。α-IGZO TFT在UDS為0.1和1 V時的轉移特性曲線如圖2所示,確定擬合區間時盡量選擇UGS比較大的值以避免非線性的影響。隨著UDS的升高,線性擬合之后的直線在UGS軸上的截距迅速變大,因此應該選擇UDS很小時的曲線來作擬合,這時的值作為TFT的特性參數。擬合UDS為0.1 V時的曲線可得TFT線性區載流子遷移率和閾值電壓分別為6.27 cm2/V·s和7.7 V。 圖2 α-IGZO TFT線性區場效應遷移率和閾值電壓 TFT工作于飽和區時,令 (5) 由式(2)可以得到飽和區的歸一化漏極電流的平方根與UGS成正比,即 (6) 圖3 α-IGZO TFT飽和區場效應遷移率和閾值電壓 當TFT處于關態(截止狀態)時源漏極間的最小電流叫做關態電流Ioff。TFT的開關比Ion/Ioff定義為20 V時的開態電流Ion與最小關態電流之比。由圖4所示的轉移特性曲線可知,α-IGZO TFT的截止電流低于10-13A,遠小于LTPS TFT的截止電流[10],即使與α-Si:H TFT相比,α-IGZO TFT的截止電流也有1~2個數量級的降低[11],Ion/Ioff值高達109。平板顯示要求TFT的開關比大于10-6,因此,α-IGZO TFT的開關特性非常好。 圖4 α-IGZO TFT的轉移特性曲線和開關比 在TFT的亞閾值區漏極電流增加一個數量級對應的柵壓為亞閾值擺幅S,即 S=dUGS/d(lgIDsub) (7) S的單位是mV/dec,表示ID-UGS關系曲線的上升率,是用作邏輯開關時的一個重要參數。為了提高TFT的亞閾值區工作速度,要求S值越小越好。 lgID~UGS曲線如圖4所示,在漏極電流急劇上升區間選擇適當的數據點反復作直線擬合,最終的擬合直線示于圖中,其斜率的倒數即為S,數值為276mV/dec。對圖4所示曲線進行擬合求導,再取倒數可得如圖5所示曲線,其中的最小值作為S的值,可以求得S為272 mV/dec,與線性擬合的結果相近。α-IGZO TFT的S值接近LTPS TFT的S值,優于α-Si:H TFT的S值[12]。綜合α-IGZO TFT的電特性參數可知,場效應遷移率和亞閾值擺幅已接近文獻[13-15]中的水平,閾值電壓較高,開關比已經處于優勢。 圖5 α-IGZO TFT的亞閾值擺幅 采用磁控濺射法制備了底柵反交疊刻蝕阻擋型α-IGZO TFT,得到了TFT的電流-電壓特性曲線,根據TFT的一級近似模型,給出了TFT的場效應遷移率、閾值電壓、開關比和亞閾值擺幅的提取方法。通過仔細篩選測試條件和數據擬合范圍,得到α-IGZO TFT線性區和飽和區場效應遷移率和閾值電壓分別為6.27 cm2/V·s和7.7 V,7.24 cm2/V·s和4.3 V,α-IGZO TFT的開關比和亞閾值擺幅分別為109和272mV/dec。TFT的特性參數提取方法簡單易行,適用于實驗教學及TFT的研究。2.2 線性區載流子遷移率和閾值電壓
2.3 飽和區載流子遷移率和閾值電壓
2.4 開關比
2.5 亞閾值擺幅
3 結 語