導帶
- 純鐵導帶毛坯硬度影響因素的脫碳工藝研究
0)1 研究背景導帶是彈丸重要組成部分,彈丸發射過程中,在發射藥燃燒產生的高溫、高壓氣體推動下彈丸導帶嵌入炮管膛線中沿膛線運動[1],使彈丸做直線和旋轉復合加速運動,出炮口后高速旋轉的彈丸有利于飛行穩定性;彈丸在膛內運動時導帶也起密閉火藥氣體的作用。旋轉穩定的小口徑炮彈通常采用紫銅導帶,隨著小口徑高炮武器系統向高射速、高射頻、高膛壓和高轉速方向發展[2],相對而言,熔點較低(1083 ℃)的紫銅導帶不能夠承受彈丸進入炮管膛線時由于高速擠壓、強力摩擦產生的高
熱處理技術與裝備 2023年5期2023-10-23
- 不同濃度S摻雜2H-CuInO2的第一性原理研究
nO2的價帶頂和導帶底分別位于布里淵區的點和點，顯示出間接帶隙的性質，帶隙值為0.240eV，摻雜S元素后2H-CuInO2在沿布里淵區的價帶頂和導帶底的高對稱點及帶隙值的變化如表3所示。表3 摻雜S元素后2H-CuInO2隨濃度變化的價帶頂、導帶底及帶隙值圖1是未摻雜及1.04%、1.39%、2.08%濃度S摻雜2H-CuInO2的能帶結構圖。由表3以及圖1可知，摻雜S后2H-CuInO2的帶隙類型沒有改變，仍為間接帶隙，且導帶底均位于Γ點，價帶頂則位于
全面腐蝕控制 2023年5期2023-06-02
- La摻雜氧空位的α-Bi2O3電子結構和光學性質的第一性原理研究
電子從價帶激發到導帶需要的能量減小，電子更容易躍遷，進而提高了光催化活性。東北大學于智清課題組[12]利用第一性原理對氧空位和B離子共摻TiO2的光催化性能進行了研究，發現共摻雜能在提高可見光吸收效率的同時降低光生電子-空穴對的復合效率，有利于提高TiO2的光催化性能，氧空位和B離子共同作用使Ti4+減少且更多低價位的Ti離子出現。在實驗研究方面， Malathy等[13]采用沉淀法成功地制備了過渡金屬(Ni、Zn)摻雜Bi2O3納米顆粒，在可見光的照射下
人工晶體學報 2023年1期2023-02-23
- S摻雜增強CdS/ɡ-C3N4異質結光催化性能的第一性原理研究
層CdS納米片的導帶底（CBM）和價帶頂（VBM）都在G點，是直接帶隙半導體，帶隙為1.67 eV，與實驗值單層CdS 2.4 eV相比略低［29］，主要是由于密度泛函理論計算帶隙時普遍存在誤差，但不影響結構的規律性分析.圖3（b）中ɡ-C3N4的CBM和VBM分別在K和G點，是間接帶隙半導體，帶隙為1.4 eV.圖3（c）中CdS/ɡ-C3N4異質結價帶頂和導帶底分別位于G和M點，是間接帶隙半導體，帶隙為1.00 eV，由于ɡ-C3N4和CdS在價帶部分
白城師范學院學報 2022年5期2022-12-06
- 紡織數碼印花機的機型結構與應用綜述
送方式可以分為：導帶輸送方式、卷對卷收放方式、臺板式。掃描機有導帶式、臺板式和卷對卷3 種輸送方式，Single pass 機有導帶式和卷對卷兩種輸送方式，但一般都是導帶式。印花機實型如圖1所示。圖1 印花機實型2 紡織數碼印花機的各機型結構2.1 Single pass 機（以有導帶的機型為例）2.1.1 機架目前市面上有兩種主流結構：（1）底座獨立，噴頭模組安裝在底座上，每個模組之間預留維修通道；（2）底座與模組安裝機構是一體式的，每個模組都可以獨立拉
染整技術 2021年12期2022-01-14
- 關于某型系列產品“上下導帶二次收緊”合并的工藝技術
簡介：某系列產品導帶收緊是該系列產品的重點關鍵工序，產品質量直接關系到產品質量。工藝要求較嚴格。產品工序簡圖（1）該產品為上下兩個導帶位置，分別是φ153±0.30mm和φ156±0.30mm。本文主要針對導帶收緊工藝流程編制問題，提出優化工藝流程的實質和方法。并結合我公司的生產實際，從實際出發在已有的工藝流程的前提下，采用適當的措施進行調整、改進、達到保證產品的加工質量、降低加工成本、提高生產效率、減輕工人勞動強度的目的。二、應用領域：主要應用于某產品上
裝備維修技術 2021年36期2021-10-25
- 炮射彈藥滑動導帶環結構設計
導炮彈均采用滑動導帶減旋技術，減小彈丸的出炮口轉速，采用尾翼穩定裝置來保證彈丸飛行穩定。制導炮彈滑動導帶減旋技術是常規彈藥制導化的關鍵技術之一，其穩定工作是武器系統制導、控制部件正常作用的前提?；瑒?span class="hl">導帶環由滑動導帶體和鑲嵌在導帶體上的導帶組成。發射時，嵌入膛線的滑動導帶環做高速旋轉，彈體在與滑動導帶環接觸面的摩擦力矩作用下微旋，滑動導帶環同時閉住高壓火藥氣體，避免對火炮身管內膛和彈丸導帶前部的沖刷?；瑒?span class="hl">導帶環工作環境及工作過程相對制式彈藥的導帶復雜很多，且
彈箭與制導學報 2021年3期2021-07-30
- 摻雜CeO2光學性質和電子結構的第一性原理研究
和4f軌道存在；導帶底是由Ce原子的4f軌道貢獻。圖3(b)是N原子摻雜后的態密度圖，在N原子摻雜后，從總態密度和分態密度的曲線形狀和費米能級位置的區別可以看出，能帶整體在向左邊低能量方向移動，能帶移動后電子價態更穩定，得電子更容易，CeO2價帶的氧化能力增強，有利于光催化能力的提升。價帶主要由N的2p和O的2p軌道，以及少量的Ce的5d軌道組成。摻雜后同樣出現了雜質能級，由Ce原子的4f軌道和N的2p軌道共同作用形成。在圖3(c)中，摻雜了Fe原子，從態
華北科技學院學報 2021年1期2021-05-14
- 單層2H-MoTe2光電效應的理論研究
展示MoTe2的導帶的最小值為0.58 eV，價帶的最大值為-0.58 eV，導帶的最小值和價帶的最大值都在第一布里淵區G-X之間的同一點取得，說明單層MoTe2的能帶結構為直接帶隙，且帶隙值為1.16 eV，與其他理論值吻合較好[5]。在第一布里淵區的 S點，價帶的最大值為-0.73 eV(S1)，導帶的最小值是0.90 eV(S2), 次導帶的最小值為1.09 eV(S3)，在S點價帶到導帶的距離為1.63 eV(S1→S2)，價帶到次導帶的距離為1.
人工晶體學報 2021年3期2021-04-17
- 自動導引小車的優化設計與實現
敏傳感器來檢測磁導帶;(3)使用電機驅動模塊來控制電機的運動狀態;(4)具有電源按鍵、復位按鍵和紅黃綠三個LED燈和蜂鳴器.1 系統總體設計以STM32F103R8T6 為核心控制器設計自動導引小車控制系統[4],包括電機驅動、磁敏傳感器和電源等相關電路.系統總體設計如圖1所示.在圖1 中,由軟件部分根據實際情況來控制LED的亮暗和蜂鳴器的響滅,電機的運轉也是按照實際情況來判斷.當小車開始上電或復位時,其初始化順序為:LED 初始化、蜂鳴器初始化、電機初始
湖南理工學院學報（自然科學版） 2021年1期2021-01-29
- g-C3N4基異質結構光催化劑的研究
0]。半導體A的導帶(CB)和價帶(VB)分別比相對應的半導體B的導帶(CB)高，比B的價帶(VB)低。因此，在光照下，電子積聚在半導體B的導帶(CB)上，空穴將積聚在半導體B的價帶(VB)能級上。由于I型異質結光催化劑的電子和空穴都在同一個半導體(B)上聚集，所以導致電子-空穴對不能有效分離。此外，由于在氧化還原電位較低的半導體上發生氧化還原反應，致使光催化劑的氧化還原能力顯著降低。Li等[11]研究使用了濕浸漬法來構建二元結構的 CdIn2S4/g-C
江西化工 2020年6期2021-01-05
- 全自動免扣打捆機在鋅熔鑄中的應用
導槽及穿箭機構、導帶機構、帶盤機構、氣動系統、控制系統等組成。其總體結構見圖1。1.1.1 旋轉頂升工件臺主體由伺服馬達、渦輪旋轉機構，頂升油缸、工件平臺組成，主要負責鋅垛的頂升旋轉，配合打捆機實現鋅垛井字捆帶打包。1.橫移機構；2.減速電機；3.穿箭機構；4.導帶槽1；5.導帶槽2；6.打捆機頭；7.機頭升降機構；8.導帶槽2；9.穿帶導槽機構；10.導帶輪機構圖1 免扣全自動鋼帶打捆機結構總圖Fig.1 General Structure of Ful
有色金屬設計 2020年1期2020-06-17
- Ce摻雜6H-SiC電子結構和光學性質的第一性原理研究
，是間接半導體，導帶最低點在L點，價帶最高點在G點，其禁帶寬度2.045 eV,比實驗值略小，這是由于計算采用的GGA近似方法低估了激發態電子間的相互作用造成的.由(b)中可以得到，摻雜Ce元素，導帶最低點在A點，在M點取得最大值，禁帶寬度為0.812 eV.摻雜后引入了新的雜質能級.6H-SiC的Si原子的2s軌道與2p軌道發生雜化形成sp3軌道，而C原子的3s軌道與3P軌道發生雜化形成sp3軌道，兩個sp3軌道發生能級分裂，形成能量較低的成健態和能量較
原子與分子物理學報 2020年2期2020-05-15
- N-Mo-W共摻雜金紅石相TiO2的第一性原理研究
改變雜質能級或者導帶下移、價帶上移等其實效果參差不齊.基于前人工作的結論來看，增加摻雜金屬原子種類的方法來提高其催化性質是本文研究的一個出發點，從而我們采用了N與Mo、W兩種金屬元素進行共摻雜的方法，來計算所得的結果是否具有意義.2 計算模型與方法所建立的模型是基于2X2X2的超胞，列舉出了各個摻雜情況下的模型結構如下圖1(a-g)所示.依次為本征TiO2，摻雜N，摻雜Mo，摻雜W，摻雜N-Mo，摻雜N-W，摻雜N-Mo-W.在未摻雜時的TiO2的晶格參數
原子與分子物理學報 2019年4期2019-09-17
- 平網印花機進貼布系統的分析探討
貼于印花臺板或者導帶上，直接影響著印花效果的好壞和生產效率的高低?？v觀目前國內外各類平網印花機進貼布系統的配置現狀，因各工廠所印的織物類型、品種、設備購置的年代、操作工的認識和使用習慣不同，具體的配置和使用情況各異，其使用效果存在著明顯的差異。本文試圖對平網印花機常用進貼布裝置和系統的特點及性能優劣進行分析，以供相關人員參考。平網進貼布系統的形式按照織物是否連續分，目前主要有手工單條單片（如毛巾、毛毯、成衣裁片）和連續進貼布系統兩種形式，前者簡單，后者較為
網印工業 2019年8期2019-09-02
- 導帶式數碼噴射印花機運行過程中常見疵病
導帶式數碼噴射印花機在運行過程中常見疵病見下表。1 噴印過程中面料的邊出現越來越偏的現象分析：進布時，面料未放正。解決方法：在把面料放到導帶上時，注意左右位置。2 噴印時突然出現白條或圖案模糊分析：噴頭堵塞。解決方法：清洗噴頭。3 噴印時出現一道道白條或黑條，或出現虛邊分析：噴頭出現堵頭或斜噴。解決方法：清洗噴頭。分析：步進不準。解決方法：對導帶前進控制進行調整。4 噴印時出現白條或黑條，并出現左右不等寬的現象分析：導帶左右的張力不均勻，或主動輥和張力輥不
網印工業 2019年4期2019-05-21
- 打捆機導帶槽裝置及捆帶盤脹縮裝置的改進
或者穿心打捆機，導帶槽裝置和捆帶盤裝置都是其重要組成部分[5]。傳統導帶槽裝置的設計為外置彈簧式開合，并通過螺母固定聯接。外置彈簧式導帶槽裝置所需空間大，導帶槽在頻繁開合時螺母聯接很容易松動而導致彈簧飛出。常見的捆帶盤脹縮裝置為雙鏈板脹縮形式，結構設計復雜且導向輪軸承容易損壞，直接影響包裝機組的作業率。本文以周向打捆機為研究對象，設計了銷子聯接的內置彈簧式導帶槽裝置和結構簡單且無需導向輪的單鏈板捆帶盤脹縮機構。1 打捆機設備組成如圖1所示，周向打捆機主要由
重型機械 2019年2期2019-04-28
- AlGaN插入層對InAlN/AlGaN/GaN異質結散射機制的影響?
帶能級波動散射、導帶波動散射以及合金無序散射三種散射機制的影響.結果顯示:當Al含量由0增大到1,子帶能級波動散射強度與合金無序散射強度先增大后減小,導帶波動散射強度單調減小;在Al含量為0.1附近的小組分范圍內,合金無序散射是限制遷移率的主要散射機制,該組分范圍之外,子帶能級波動散射是限制遷移率的主要散射機制;當Al摩爾百分含量超過0.52,三種散射機制共同限制的遷移率超過無插入層結構的遷移率,AlGaN層顯示出對遷移率的提升作用.1 引 言GaN材料具
物理學報 2019年1期2019-01-25
- 薄壁超高強度鋼熔敷焊接導帶裂紋成因分析及預防
在兵器制造業中，導帶是彈藥炮彈極其重要的組成部分，是炮彈能否“安全”實現“遠”和“準”作戰指標的關鍵部件。傳統炮彈導帶采用機械壓帶工藝，限制了炮彈的裝藥量，同時彈體與導帶的機械連接易使導帶在發射過程中松動、脫落等，影響射擊精度。隨著武器裝備的發展，要求彈體的壁厚減薄，以增加爆炸威力，滿足這一設計要求勢必需要導帶槽的深度減小，因此導帶焊接技術引起廣泛關注與研究[1-4]。導帶熔敷焊接技術是目前國際上先進的導帶焊接技術，其原理為：采用高頻感應電流作為熱源，將預
機械制造與自動化 2018年5期2018-11-05
- 光器件應用改性Ge的能帶結構模型?
導體在應力作用下導帶各能級變化可由形變勢模型給出,合金化作用可由Sn和Ge相關參量的線性插值表征[12,13].(001),(101),(111)雙軸應變Ge導帶各能級變化公式如下(式中各參量物理意義和數值詳見表1):圖1 單軸應力示意圖Fig.1.Diagram of uniaxial stress.表1 IV族半導體導帶形變勢參數(所有物理量單位均為eV)[12,13]Table 1.Deformation potential parameters o
物理學報 2018年19期2018-11-03
- 交換場和非共振光對單層MoS2能帶結構的調控*
層MoS2價帶與導帶之間的能隙，可以得到新的半金屬性和金屬性二維材料.[12-14]筆者將利用緊束縛近似下的低能有效哈密頓模型，研究外部磁近鄰交換場和非共振圓偏振光對單層MoS2電子能帶結構的調控作用.1 模型與方法圖1 MoS2納米場效應管模型Fig. 1 MoS2 Nano Field Effect Transistor Model構建基于單層MoS2的場效應晶體管模型(圖1)，其中單層MoS2置于中心區域并受到磁近鄰交換場作用和非共振圓偏振光的輻照.
吉首大學學報（自然科學版） 2018年3期2018-07-03
- (001)面雙軸應變鍺材料的能帶調控
構建應變Ge材料導帶結構、價帶結構以及帶隙的相關數值模型，最后得到了Ge半導體的禁帶寬度與應變之間的函數關系式。2 模型的構建2.1 應變對Ge晶體對稱性的影響晶體的對稱操作與系統的哈密頓量相互關聯，通過分析晶體的對稱性也能夠獲得半導體能帶結構的一些重要特征。選擇合適晶向或晶面對晶體施加適當的單或雙軸應變可以改變晶體結構的對稱性，因此，通過分析半導體晶體結構的對稱性是研究應變對半導體能帶結構影響的有效而又直觀的方法之一。根據形變勢理論[19-21]，半導體
材料科學與工程學報 2018年3期2018-06-26
- 單軸應變鍺帶隙特性和電子有效質量計算
淵區給定點附近的導帶和價帶結構，通常用于計算載流子的有效質量和運輸特性．目前，針對應變Ge能帶結構和運輸特性的研究主要集中在價帶和空穴遷移率增強方面[4-5]，關于導帶結構，特別是與電子散射和運輸密切相關的有效質量的理論研究相對較少．此外，已有研究表明雙軸應變Ge可以從間接帶隙轉變為直接帶隙半導體，并具有與Ⅲ-Ⅴ化合物半導體相比擬的光增益，可用于光電子器件的設計[6-7]．與雙軸應變相比，單軸應變具有一些顯著的優點，例如，在高垂直電場下維持空穴遷移率增益，
西安電子科技大學學報 2018年3期2018-06-14
- 雙軸拉伸應變對鍺能帶退簡并的影響
e的倒空間中由于導帶最小值位于布里淵區L點，與價帶最大值不在同一位置，因此Ge是一種間接帶隙材料，而在間接帶隙材料中間接導帶谷電子與價帶頂空穴復合時動量不守恒，此時電子與空穴復合需要聲子的輔助，所以電子空穴對復合效率很低，因此發光效果不好[4]。應變作為能帶調節的一種方式，越來越受到人們的關注，應變Ge作為高效發光材料也越來越受到人們的青睞。這是因為施加應變時，導帶Γ點的能量比L點下降的速率快，因此更多的電子將注入到直接導帶Γ谷，直接導帶谷電子與價帶頂空穴
上海金屬 2018年1期2018-04-09
- 半導體中載流子復合的類型
激發時可以躍遷到導帶，同時在原來的位置留下一個空穴，從而形成了電子－空穴對。由于這些電子和空穴在電場作用下可以定向移動，所以也稱為載流子。位于導帶的電子實際上處于一種高能量的亞穩態，它有自發回歸到價帶從而降低能量的傾向，如果電子躍遷回價帶，它將填補空穴，導致電子－空穴對的消失，這個過程就是復合。1 輻射復合導帶中的電子直接躍遷回價帶，并釋放一個光子或多個聲子，這個過程稱為直接復合。如果只輻射光子，那么這種直接復合也是一種輻射復合。需要注意，盡管激發時電子吸
山東化工 2018年23期2018-03-29
- Fe, Co, Ni 對NaNbO3的電子結構與光催化性能影響的密度泛函理論研究
的帶隙間能級位于導帶下面1.06 eV, Co-NaNO3的帶隙間能級 位于導帶下方0.51 eV，Ni-NaNbO3的帶隙間能級位于導帶下方0.55 eV，這些能級將為電子從價帶到導帶的躍遷提供橋梁，從而使得電子吸收光譜發生紅移，對太陽光的光響應范圍增大，提高NaNbO3光催化活性。表1 優化得到的NaNbO3及Fe-NaNbO3, Co-NaNbO3和 Ni-NaNbO3的晶胞參數Tab.1 The optimized lattice paramete
陶瓷學報 2018年1期2018-03-22
- 影響圓網印花精度的因素
花機要達到圓網同導帶的同步，也就是要將圓網鎳網的運行速度，無論在導帶穩速或變速的情況下，嚴格地控制在導帶運行速度的-0.2%至-3%范圍內，即：通常所講圓網同導帶間的速差穩定。因此，我們必須在設計時分別考慮主電機帶輪、過渡軸帶輪、蝸輪蝸桿減速箱、主輥直徑、導帶或織物厚度等影響導帶速度的因素；還同時需要考慮圓網同導帶間隙、網頭、網頭傳動齒輪的速比、網頭傳動齒輪箱速比等影響圓網速度的因素。當然，除此之外，機械配合公差、傳動磨損也是需要研究的，最后使得圓網和導帶
紡織機械 2017年12期2018-01-04
- 張應變和N型摻雜對鍺能帶結構的調節
。張應變使價帶和導帶的能級分裂、偏移，N型摻雜使費米能級偏移，從而將鍺調節為準直接帶隙材料。當單獨引入0.018的張應變時，鍺變為準直接帶隙，直接帶隙為0.53 eV。當單獨摻雜N型雜質9.5×1019cm-3時，鍺的費米能級到達Γ帶底。引入適量的張應變和N型摻雜濃度，既有利于鍺能帶結構的調節，又有利于材料的實際制備。研究結果為鍺發光器件的設計和制作提供借鑒。鍺；張應變；n型摻雜；能帶；發光器件引言制備兼容于硅（Si）互補金屬-氧化物-半導體（CMOS）工
深圳信息職業技術學院學報 2017年3期2017-12-09
- Modification of CaO-based sorbents prepared from calcium acetate for CO2 capture at high temperature☆
，可以較快地與硅導帶和價帶交換電荷,促進了電子通過熱運動由價帶躍遷到導帶，導致表面有效產生速度se增大。由式(1)可知，se增大，Js將增大。電子輻射引起的位移效應，在像素單元體耗盡區內產生大量的體缺陷，這些缺陷能級在禁帶中起到產生-復合中心的作用，使耗盡區載流子壽命τg顯著減小，由式(2)可知，τg顯著減小，Jg將顯著增大。Compared with CaO–CaAc2,the skeleton supporting structure made by
- 固溶體光催化材料的研究進展
電子吸收光躍遷至導帶，產生光生電子和空穴對；(2)光生電子和空穴從半導體內部向表面遷移；(3)光生電子和空穴在表面與吸附物分別發生氧化還原反應。一方面，由于寬的本征帶隙，傳統半導體光催化材料如 TiO2和 SrTiO3等的光響應位于紫外光區，因此這些材料只能吸收和利用很小一部分的太陽能。另一方面，在光催化反應過程中，很大比例的光生電子和空穴在半導體的內部或表面發生復合，以發光和發熱的形式散發部分能量。因此，大部分光催化材料太陽能轉換效率非常低，不能滿足大規
物理化學學報 2017年2期2017-03-10
- 雙波泵浦非對稱量子阱的光學整流效應
流系數表達式，在導帶為拋物線形和非拋物線形兩種條件下對進行對比研究。計算結果表明，其偶極躍遷矩陣元隨量子阱總阱寬的增大而逐漸減小。當固定量子阱總阱寬及其中一束泵浦光波長不變時，隨著另一束泵浦光波長的增加，呈現出先增大后減小的變化趨勢。當深阱為7 nm、總阱寬為23 nm、兩束泵浦光相等為10.64 μm時，達到最大值5.925×10-6m/V;隨著總阱寬的增大，曲線呈現“紅移”現象，其原因為量子限制效應導致了不同阱寬條件下的量子阱能級值差不同，從而造成滿足
發光學報 2016年2期2016-10-28
- 組元厚度結構對層狀聲子晶體導帶的影響
構對層狀聲子晶體導帶的影響唐啟祥，邱學云，胡家光（文山學院信息科學學院，云南文山663099）以三組元層狀聲子晶體為例，采用一定的中心頻率確定各組元的中心波長，以各組元中心波長的倍數為該組元的厚度系數，以不同組元與某一組元的厚度系數之比為相應的厚度系數比，采用傳輸矩陣法計算傳輸特性，研究了不同厚度系數、厚度系數比及原胞數對聲子晶體的傳輸特性的影響。結果顯示，導帶分布具有非常完美的對稱性，且每個導帶的頻率中心值、導帶寬度以及相鄰導帶頻率中心的間隔均隨厚度系數
大理大學學報 2016年6期2016-09-23
- 絲網印刷 專利產品集錦
一種圓網印花機的導帶內側清潔裝置專利申請號：CN201520343044．4公開號：CN204736561U申請日：2015．05．25公開日：2015．11．04申請人：湖州宏鑫綢廠本實用新型公開了一種圓網印花機的導帶內側清潔裝置，包括機架、導帶，所述機架上固定有驅動電機，所述驅動電機的輸出軸上連接有轉軸，所述轉軸的一端固定有一對連桿，所述連桿的一端連接在轉軸上、另一端固定連接有軸承座，連軸的兩端分別鉸接在兩個軸承座上，所述連軸中部通過軸承插套有壓輥，所
網印工業 2016年2期2016-09-19
- 沖壓成型觸點摩擦副力特性設計與優化
其一、電刷觸點與導帶的接觸正壓力。電刷觸點和導帶的配合狀況。其二、電刷觸點或導帶可參與磨損并損耗的體積，姑且稱之為接觸體積。本文將以沖壓型銅合金觸點油位傳感器為例，圍繞接觸副力特性的這兩個方面展開。1 沖壓型油位傳感器接觸副的構成沖壓型油位傳感器的接觸副由電刷觸點和燒結在厚膜電阻片上的導帶構成，電刷觸點與電阻片導帶的接觸部位，通過直接沖壓成型的方式獲得。2 力特性的設計與優化2.1接觸體積設計與優化沖壓型觸點典型失效模式為沖壓觸點接觸部位過度磨損引致的斷裂
山東工業技術 2016年14期2016-09-07
- 杭州開源設備入選國家印染行業推薦目錄
源彩虹7系列高速導帶數碼印花機。近日，杭州開源電腦技術有限公司的“彩虹7系列高速導帶數碼印花機”經過中國印染行業協會嚴謹的考察及評定后，成功入選第9批《中國印染行業節能減排先進技術推薦目錄》。據介紹，此次入選的彩虹7系列高速導帶數碼印花機采用國際領先的數碼噴印技術，優選部件，精工制造，經久耐用，穩定高效，并可有效降低維護費用，能夠滿足7天×24小時不間斷運行要求，日產量達8000平方米～20000平方米，最高打印精度1200dpi，門幅有2.1M/2.8M
紡織機械 2016年1期2016-05-31
- 層狀聲子晶體橫波帶隙結構研究
影響。結果顯示，導帶和禁帶均勻分布，但寬度一般不等；導帶、禁帶的中心均隨厚度系數增大而向低頻段移動，同時，導帶和禁帶寬度也隨之減??；隨著原胞數的增加，導帶中心、禁帶中心及導帶寬度及禁帶寬度沒有發生變化。聲子晶體；橫波；帶隙結構1992年，M. M.Sigalas和E. N. Economou 首次從理論上證實了彈性波帶隙的存在[1]。1995年，M. S. Kushwaha等人在研究鎳/鋁二維固體周期復合介質時第一次明確提出了聲子晶體的概念[2]。通俗地說
文山學院學報 2016年6期2016-04-13
- 摻鎂鋁酸鈣光學性質的理論計算
強相互作用占據著導帶底部，鎂雜質能級進入導帶靠近導帶底部是決定摻雜材料光學性質的主要因素.摻鎂鋁酸鈣；雜質能級；光學性質；第一原理單鋁酸鈣是原始球粒隕石中幾種高壓相的主要成分之一，起初作為新型水泥，僅限于建筑工程施工[1]，直至1996年研究人員發現摻有稀土元素，如銪Eu、鏑Dy、釹Nd等的此種化合物有著比傳統硫化物磷光體發光強度高5～10倍且余輝時間長達20 h的優良發光性能后，才被廣泛關注[2].此后，科研工作者詳細研究了Eu2+激活的鋁酸鹽(MAl2
鞍山師范學院學報 2016年6期2016-02-06
- 碳摻雜WO3電子結構的第一性原理研究
合適的禁帶寬度、導帶和價帶電位.TiO2因其化學性質穩定、抗光腐蝕能力強、難溶、無毒、低成本，是研究中使用最廣泛的光催化材料.但是，TiO2的禁帶寬度達3.2eV，光吸收僅限于紫外光區，只能響應占太陽光譜約5%左右的紫外光，太陽能利用率很低.再加上光生電子空穴對的復合率高，太陽能利用效率僅在1%左右.因此，要提高太陽能利用效率，就必須擴大催化劑響應太陽光波長的范圍，即減小半導體催化劑的帶隙至2 eV 左右.這其中，WO3吸引了人們的注意.WO3是一種n 型
湖南師范大學自然科學學報 2015年4期2015-12-22
- 石墨烯能帶中的重疊矩陣效應:Tight-Binding方法在模擬中的研究
服能帶間隙躍遷到導帶，因此對石墨烯能帶的研究是非常有意義的，這對邏輯電路和其他電子設備的應用是必不可少的［4］.認識石墨烯，首先就必須對其的能帶有足夠清晰的了解. 無論從實驗上還是理論上，前人都已經做了相當全面的工作. Konschuh 等人［5］主要研究了考慮自旋-軌道(s，p，和d)耦合的緊束縛模型，重點研究了d 軌道對高對稱點(K 點)能帶的影響. Harrison［6］從方法學的角度，利用Louie 微擾法，在緊束縛模型中引入了s 軌道激發態，這種
原子與分子物理學報 2015年1期2015-07-13
- 滇西北地區地磁臺陣觀測的短周期變化特征研究
具有北北西走向高導帶特征。不同周期垂直分量變化幅度和水平分量變化幅度的比ΔZ/ΔH的等值線圖反映了高導帶的走向和位置隨深度的變化情況。通過對8個測點轉換函數的計算，獲取了2～256 min周期范圍內的威斯矢量，結果顯示在分界線兩側威斯矢量的指向大體上相互背離，且威斯矢量的大小和指向隨周期的增大不斷變化。根據研究區內大地電磁測深結果，計算出周期—視等效深度曲線，可知高導帶從中下地殼一直延伸至上地幔，且高導帶的位置和走向隨深度不斷發生變化。利用三維交錯采樣有限
地震科學進展 2015年9期2015-03-29
- 應變Si1－xGex(100)電子有效質量研究*
子有效質量(包括導帶能谷電子縱、橫向有效質量，導帶底電子態密度有效質量及電子電導有效質量)進行了系統的研究。結果表明:應變Si1－xGex/(100)Si材料導帶能谷電子縱、橫向有效質量在應力的作用下沒有變化，導帶底電子態密度有效質量在Ge組份較小時隨著x的增加而顯著減小，沿［100］方向的電子電導有效質量隨應力明顯降低。以上結論可為應變Si1－xGex/(100)Si材料電學特性的研究提供重要理論依據。關鍵詞:應變Si1－xGex;有效質量; K-P(K
電子器件 2015年4期2015-02-23
- 飛虎科技推出兩款新型數碼印花機
：FH-052D導帶數碼印花機和FH-052P平板數碼印花機。據悉，FH-052D導帶式數碼印花機是飛虎最新的直噴設備，采用印花導帶的輸送方式，增加了導帶自動水洗裝置、烘干系統，包含傳統印花機的大部分功能；采用先進的伺服傳動系統，保證印花對位的準確性，可以在棉、亞麻、化纖、尼龍、絲綢、羊毛等面料上實現數碼印花生產，同時實現了低能耗、無污染、無噪音的綠色生產過程。FH-052P平板數碼印花機是針對毛衫、服裝裁片印花、家紡等領域研發的高端數碼印花系統，其高效、
紡織機械 2014年8期2014-12-19
- (101)單軸應力對Si材料電子電導率有效質量的影響*
軸應力下Si材料導帶E-k解析模型，重點研究沿任意晶向(101)單軸應力對Si材料電子電導率有效質量的影響。結果表明:(101)單軸應力沿0°和45°晶向均導致導帶底附近的六度簡并能谷分裂成兩組分立的能谷;(101)單軸張應力下，沿45°晶向的電子電導率有效質量隨應力增大而明顯減小，沿0°和90°晶向的電子電導率有效質量隨應力增大而明顯增大;(101)單軸壓應力下，Si材料沿高對稱晶向的電子電導率有效質量隨應力增大而明顯增大或幾乎不變。應變張量;簡并度;晶
電子器件 2014年1期2014-09-28
- N和硫屬元素摻雜及共摻雜TiO2第一性原理計算
N的2p軌道占據導帶頂部［3］，致使N摻雜TiO2的效率并不高。因此，一些研究者對N和硫屬元素進行了一些研究。Jenks W S等［4］指出，經Se摻雜TiO2之后，在可見光區域具有更快的降解速率，表現出更好的光催化性能。高洪寶等［5］運用第一性原理計算指出，N和S摻雜TiO2之后，S引入雜質帶在價帶和導帶之間，從而電子從價帶向導帶的躍遷變得容易。時白成等［6］計算分析了陰離子摻雜TiO2的電子性質，認為，帶間能級的出現使陰離子取代型S摻雜后吸收光譜發生紅
山西化工 2014年1期2014-09-11
- 1維光子晶體中兩種偏振光的場分布
光強迅速衰減；在導帶范圍內，隨著TM波和TE波在1維光子晶體中傳播深度的增加，其光強不會衰減。這一結果對1維光子晶體中TM波和TE波的禁帶和導帶的形成的認識是有幫助的。光電子學；光子晶體；偏振光；光強；位相差引 言光子晶體的概念自JOHN和YABLONOVITCH于1987年提出來后，由于利用光子晶體的帶隙可以十分方便地控制光波的傳播，對光子晶體的研究很快成為光學的前沿領域內一個活躍的課題。在光子晶體的研究中由于1維光子晶體的結構最簡單、研究最方便，但它卻
激光技術 2014年5期2014-04-17
- 一維缺陷光子晶體傳輸特性研究
每個禁帶中心都有導帶出現，M值越大，禁帶的反射率越大，邊緣越陡峭，且導帶的反射率先增大后減小。當M＝4時，禁帶中心導帶的反射率最低，透射效果最好，而且在p取0～4之間時，禁帶中心導帶的透射率較好，p值增大，透射率變差。當M＞8或M＜2時，禁帶中心幾乎沒有導帶，因此缺陷層所處的位置對晶體禁帶中心的導帶有很大的影響。圖2 介質層周期數變化對傳輸特性的影響各介質層的折射率和m值不變，改變周期數N和M 的數值，進行多次仿真研究發現：后面周期介質數比前面周期介質數少
機電信息 2014年6期2014-03-06
- 一種雙頻雙圓極化共面波導饋電縫隙天線
面相連一個倒L型導帶[1]或兩個螺旋型導帶[2]來實現雙頻圓極化，或是包括導帶蝕刻天線[3]，雙單極子天線[4－6]，圓環縫隙天線[7]在內的各種結構都可以實現圓極化性能。2008年，J．Y．Sze提出了添加一對倒L型接地帶的共面波導饋電縫隙天線[8]。文中，利用改進的開口接地環形導帶以及添加水平短截線的結構來使所設計天線實現雙頻雙旋向圓極化輻射。仿真和實驗結果表明了所設計天線的性能，它可以應用在GPS和WLAN系統上。1 天線設計所設計的天線采用厚度為1
電子設計工程 2014年21期2014-01-21
- 圓網印花機誤差分析與系統改進
是由各個圓網跟隨導帶的速度進行轉動，導帶速度發生波動時，導帶輥電機光電編碼器發出的脈沖信號也會發生變化，那么導帶輥電機光電編碼器發出的信號，經電子齒輪后發給各個圓網伺服驅動器的信號也會變化，正是由于這種變化實現了各個圓網與導帶的跟隨。但這種跟隨會產生一定誤差，本文分析了誤差產生的原因，并對系統進行了改進。1 誤差產生原因圓網印花機印花產生的誤差主要有兩個來源:(1)機械原因，主要是機械加工精度造成的，可以通過適當的措施來補償。(2)電氣控制原因，各個圓網與
電氣自動化 2013年2期2013-12-14
- 固-固無限周期聲子晶體中SH波全反射隧穿的諧振理論*
減波,SH波出現導帶.其色散函數利用(13)式繪出色散函數F的圖像,在F的圖像中,F＜0對應禁帶,F≥0對應導帶.3 隧穿效應波從波速小(c0)的介質入射到波速大(c1)的介質的分界面時會發生全反射現象,當SH波從有機玻璃中入射到該聲子晶體時,其全反射角為θm=arcsin c0/c1=0.333 rad.SH波以大于全反射角入射該一維聲子晶體時能否出現全反射隧穿現象呢?計算出SH波以入射角θ0=0.55 rad入射該一維固-固無限周期聲子晶體其色散函數F
物理學報 2013年4期2013-12-12
- 第一性原理研究稀土摻雜ZnO結構的光電性質*
以看出,價帶頂和導帶底都位于G點處,說明ZnO是直接帶隙半導體,帶隙為0.73 eV.這一計算結果與關麗等[26]得到的計算結果(0.72 eV)十分接近,但是與ZnO的實驗禁帶值3.37 eV差距明顯,這是因為采用密度泛函理論計算晶體的結構時,禁帶普遍偏低.對于本文的本征ZnO結構而言,由于Zn 3d態的能量被過高估計,使得其與O 2p態之間的互作用增強,價帶帶寬增大,因此帶隙偏低.但理論計算與實驗之間帶隙的偏差并不影響對ZnO電子結構及相關性質的理論分
物理學報 2013年4期2013-12-12
- BaZrO3和CaZrO3電子結構及光學性質的研究
在R點和M點, 導帶底出現在G點, 屬于間接帶隙結構, 帶隙寬度為3.144eV. 在-10～-20eV能量區域內, 有兩條能帶與其他雜化帶分開, 這兩條能帶主要來源于Ba原子的p態和O的s態電子與導帶間的雜化作用, 其他大于-10eV的能量主要來源于Zr原子的d態和O原子的p態電子與導帶間強烈的雜化.圖2給出了BaZrO3總態密度和各元素的分態密度.由圖2可知, 價帶和導帶都來源于Ba原子和Zr原子的d態和O原子的p態電子間的雜化. 價帶頂態密度主要由O
淮陰師范學院學報（自然科學版） 2013年1期2013-11-02
- 堆疊方法與堆疊層數對扶手型石墨烯納米帶電子能帶的影響*
帶;E-為能量的導帶．1．2 少層扶手型石墨烯納米帶1．2．1 AA 堆疊法圖1為AA堆疊雙層AGNRs，所有1層碳原子直接對應2層碳原子(上下對稱)．單位晶包共有2N個碳原子，同層內的碳原子間鍵長為a=0．142 nm，兩層石墨的間距為b=0．335 nm．為解出能量本征值，由薛定諤方程得到的哈密頓矩陣［Hij］是一個4×4矩陣圖1 AA堆疊雙層AGNRs其中:H11，H12，H21，H22均為2 ×2 的方陣．最后得到本征能量為式(5)中:E±1分別為
浙江師范大學學報（自然科學版） 2012年2期2012-12-17
- 一維摻雜光子晶體結構參數對帶隙結構影響
心出現一個極窄的導帶，該導帶深度會隨著摻雜的位置和自身性質的改變，而影響禁帶中心導帶的深度。目前關于一維光子晶體的研究非常多［3－8］。本文從一維摻雜光子晶體的基本結構出發，利用傳輸矩陣法尋找到當雜質處在某個特定位置時，禁帶中心導帶深度最大，在此基礎上通過改變基本層厚度，來研究基本層厚度變化對禁帶中心導帶深度的影響程度。1 一維摻雜光子晶體結構及理論分析一維光子晶體的基本結構可以是由兩種不同折射率(n1，n2)和不同厚度(a，b)的各向同性介質薄層交替排列
延安大學學報（自然科學版） 2012年1期2012-01-25
- 不同晶系應變Si狀態密度研究*
角晶系應變 Si導帶、價帶態密度模型.結果表明，除單斜和三角晶系導帶底態密度外，應力對其余各態密度均有顯著影響.本文所得模型數據量化，可為應變Si材料物理的理解及其他物理參數模型的建立奠定重要理論基礎.應變Si，KP，態密度PACS:71.20.－ b，71.15.－ m，71.20.mg1.引 言應變Si是當前國內外研究發展重點，在高速/高性能CMOS器件和電路，以及光電子器件中有廣闊的應用前景［1—3］.由于晶格失配，弛豫 Si1－xGex襯底上可外延
物理學報 2011年4期2011-10-25
- (001)面任意方向單軸應變硅材料能帶結構*
晶向對應變硅材料導帶帶邊、價帶帶邊、導帶分裂能、價帶分裂能、禁帶寬度的影響.研究結果可為單軸應變硅器件應力及晶向的選擇設計提供理論依據.單軸應變硅，K·P法，能帶結構PACS:71.15.－ m，71.70.Fk1.引 言應變硅由于具有載流子遷移率高、能帶結構可調、并與硅的微電子技術相兼容等優異特性，成為提高器件與電路性能的首選方案［1］.在硅中引入應變的方法常見有襯底致雙軸應變和工藝致單軸應變.與雙軸應變相比，單軸應變以其在低應變和高垂直電場下可以更大程
物理學報 2011年2期2011-10-23
- 拉伸形變下BC3納米管的能帶結構*
，BC3納米管的導帶能級和價帶能級逐漸靠近，最終發生能帶交疊.壓縮形變下能帶的交疊程度可達0.5 eV，而拉伸形變下只有0.2 eV.對于扶手椅型BC3納米管，隨著拉伸和壓縮的不斷增加，BC3納米管首先由直接半導體轉化為間接半導體，進而發生能帶的交疊，表現出金屬性.在無形變時，扶手椅型BC3納米管是一種很不穩定的直接躍遷窄帶半導體，輕微的壓縮形變(et=－0.003)都可以使其轉化為間接半導體.對于鋸齒型BC3納米管，由于存在平坦的導帶和價帶，輕微的拉伸和
物理學報 2010年6期2010-09-08
- C 摻雜銳鈦礦相TiO2吸收光譜的第一性原理研究*
能量的光子躍遷到導帶，所以從理論上可以計算出摻雜后的TiO2在可見光范圍內存在兩個吸收邊，與實驗中所得到的現象相一致.C摻雜，銳鈦礦TiO2，能帶結構，吸收光譜PACC:7115A，7115H，7210，71201. 引言TiO2由于具有良好的電［1，2］、磁［3］、光催化［4］和電化學性質［5］，在過去的幾十年里被廣泛研究;同時，TiO2在實際應用中也得到了廣泛的開發，例如，用作催化劑、傳感器、顏料［6］等.特別是自從1971年，Fujishima和Ho
物理學報 2010年4期2010-09-08
- 硅基超晶格Si1－xSnx/Si的能帶結構
，價帶頂在Γ點，導帶底在Γ-X方向上的X點附近(約85%處).由于動量守恒的要求，電子的間接躍遷必須借助于其他準粒子過程，如聲子的參與，其躍遷概率遠小于直接躍遷.因此，體Si不是一種合適的發光材料，直接在Si材料上實現全Si光電子集成是一件幾乎不可能的事情.于是，多年來世界上許多科學家把注意力集中到Ⅲ-Ⅴ及Ⅱ-Ⅵ族化合物這些直接帶隙材料上，將其作為一種重要的光電子材料和器件，研究它們與Si芯片的兼容性問題.雖然已經獲得某些進展，但是由于化合物材料的極性晶面
物理學報 2010年7期2010-09-08
- 氮鐵共摻銳鈦礦相TiO2電子結構和光學性質的第一性原理研究*
Fe共摻雜同時在導帶底和價帶頂形成了雜質能級，使TiO2的禁帶寬度變窄，光吸收帶邊紅移到可見光區，這些雜質能級可以降低光生載流子的復合概率，提高TiO2的光催化效率;與Fe摻雜TiO2的態密度相比，共摻雜位于價帶頂的雜質能級的態密度峰明顯增大，導致電子從雜質能級躍遷到導帶的概率增加，使其對太陽能的利用率提高;在不考慮雜質能級的情況下，與純TiO2相比，N，Fe共摻雜TiO2的帶邊位置只有微小變化，因此N，Fe共摻雜TiO2的強氧化還原能力得以保持.第一性原
物理學報 2010年7期2010-09-08
- LTCC基板上薄膜多層布線工藝技術
破其工藝難題，如導帶與通孔柱形成技術、通孔的接觸電阻及斷臺和介質層質量等問題，才能真正掌握LTCC上薄膜多層布線技術。2 LTCC上薄膜多層布線技術薄膜多層布線技術主要有LTCC基板－薄膜界面加工和互連技術、導帶及通孔形成技術、介質膜加工技術等。2.1 LTCC基板－薄膜界面加工和互連技術為了在LTCC 基板上制作多層薄膜布線，共燒后的多層LTCC基板必須進行表面平整化、致密化、潔凈化處理，并使其能兼容薄膜工藝，與淀積薄膜（金屬膜、介質膜）有較高的結合強度
電子與封裝 2010年4期2010-02-26